半導(dǎo)體物理復(fù)習(xí)思考題-資料下載頁
2025-06-07 17:25本頁面
【正文】 衡載流子濃度為，樣品足夠厚。求： 1) 非平衡少數(shù)載流子的擴(kuò)散長度；2) 半導(dǎo)體中非平衡少數(shù)載流子的分布；3) 在距表面多遠(yuǎn)處非平衡少數(shù)載流子濃度等于表面非平衡少數(shù)載流子濃度的。解：，一硅突變pn結(jié)，pn結(jié)兩側(cè)的摻雜濃度分別為：。求：（1）室溫條件下勢壘區(qū)接觸電勢差；（2）計(jì)算下列電壓下的勢壘區(qū)寬度和單位面積上的電容：①10V；②0V；③。注：300K下硅，，。解：（1）（2） =300K時(shí)，硅片中均勻摻入的施主雜質(zhì)，在溫度T=300K時(shí)保持熱平衡條件不變，取，，求：（1） 計(jì)算熱平衡狀態(tài)下的電子和空穴的濃度；（2） 該半導(dǎo)體的；（3） 該半導(dǎo)體硅片的電阻率；（4） 該半導(dǎo)體硅片中的少子擴(kuò)散系數(shù) ；（5） 該半導(dǎo)體硅片中的少子擴(kuò)散長度 。解：8一硅突變pn結(jié)，pn結(jié)兩側(cè)的摻雜濃度分別為：。室溫條件下，求：（1）勢壘區(qū)接觸電勢差；（2）分別計(jì)算在熱平衡和反向偏壓10V時(shí)的勢壘區(qū)寬度和單位面積上的電容；（3）計(jì)算熱平衡下的最大電場強(qiáng)度。解：（1）（2分）（2） （2分）（4分）（3）（2分）
教學(xué)教案相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號-1