【正文】 膠”雙層掩模掩蔽反應(yīng)離子刻蝕鋁，突破了常規(guī)干法刻蝕鋁的厚度限制，實(shí)現(xiàn)了厚達(dá)6μm的鋁，顯著減小了電感的串聯(lián)電阻和提高了品質(zhì)因數(shù)；　?。?）采用上述自主開發(fā)的局部介質(zhì)增厚技術(shù)和超厚鋁技術(shù)，在高阻SOI襯底上制作的2/5/，性能處于同類工藝（兩層鋁布線、高阻襯底）的當(dāng)時(shí)國際領(lǐng)先水平，圖18～圖19為電感結(jié)構(gòu)示意圖和芯片照片?！　　　　　。?）研制了緩變溝道摻雜的射頻SOINMOS器件。其結(jié)構(gòu)和工藝完全兼容于LDMOS器件，；　?。?）研制了SOILDDNMOS器件。，具有優(yōu)良的直流及射頻性能；，處于當(dāng)時(shí)國內(nèi)領(lǐng)先水平；　?。?）針對薄柵氧LDMOS難于制作自對準(zhǔn)硅化物的問題，開發(fā)了“氧化硅/氮化硅”雙層復(fù)合側(cè)墻基礎(chǔ)上的自對準(zhǔn)硅化物新技術(shù)，成功地用于制作薄柵氧、薄膜SOILDMOS器件硅化物，使不同柵長的LDMOS器件截止頻率提高了27%42%，最高振蕩頻率提高了14%22%。，，達(dá)到當(dāng)時(shí)的國際先進(jìn)水平；　　圖20一種SOI射頻集成電路剖視圖　　（7）采用上述開發(fā)的新技術(shù)和器件結(jié)構(gòu)，在單層多晶硅、包含了功率MOS、NMOS、電感、電容、電阻及MOS變?nèi)莨艿榷喾N有源和無源器件，圖20為一種SOI射頻集成電路剖視圖?！　。骸　。?）清華大學(xué)和中芯國際（上海），其主要技術(shù)特點(diǎn)為：，，共28層光刻版。，典型字節(jié)編程速度為8V/10ms，塊擦除速度為5ms，擦寫疲勞可靠性105擦寫循環(huán)，室溫和150℃下數(shù)據(jù)保持可靠性10年。該工藝技術(shù)具有單元面積小、工藝簡單、成本低、讀取速度高、可靠性好、適宜更小線寬工藝兼容等優(yōu)點(diǎn)；　?。?），聯(lián)合承擔(dān)單位合作成功開發(fā)出4M位SONOS存儲器IP硬核（THESM040M）。該IP核芯片具有多區(qū)塊劃分、內(nèi)置編程和擦除算法、自動(dòng)掛起和恢復(fù)操作功能、內(nèi)部狀態(tài)監(jiān)控功能、靈活的區(qū)塊保護(hù)設(shè)置、功耗管理功能、異步分頁讀取模式及內(nèi)建自測試等多種功能模式；芯片采用內(nèi)部高壓電路功耗管理、新型陣列結(jié)構(gòu)、反向編程正向讀取技術(shù)和讀取靈敏放大電路等多項(xiàng)專利技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了低壓低功耗操作及高速讀取。，編程速度為10181。s，讀取速度40ns。該IP核芯片在嵌入式MCP、智能卡、PDA、機(jī)頂盒和各種消費(fèi)類電子產(chǎn)品等產(chǎn)品領(lǐng)域有廣闊的應(yīng)用前景；　　　　　?。?）在上述技術(shù)基礎(chǔ)上，、4M位特種應(yīng)用快閃存儲器芯片和65nm/128MbNOR型快閃存儲器芯片等系列成果。；　?。骸　。?）提出了多種可集成的創(chuàng)新型功率MOS器件結(jié)構(gòu)，包括具有緩沖層、復(fù)合場極板及內(nèi)置場限環(huán)的三維高壓MOS結(jié)構(gòu)等，對硅基工藝下的器件擊穿電壓、導(dǎo)通電阻、安全工作區(qū)等關(guān)鍵技術(shù)指標(biāo)獲得突破性提升；　?。?）首次提出了體硅100VCDMOS和200～800V外延高低壓兼容的BCD集成工藝技術(shù)，具有工藝穩(wěn)定性高、兼容性好、成本低等優(yōu)勢，使這些新型器件適用于多種功率MOS集成電路的量產(chǎn)；　　（3）首次提出了一種帶有緩沖級的新型低功耗高低壓轉(zhuǎn)換電路，使功率集成芯片功耗降低20％以上；　　（4）提出了多種功率MOS集成電路可靠性和良率控制技術(shù)，包括消除集成工藝中復(fù)用光刻板套準(zhǔn)誤差影響的技術(shù)和功率MOS集成電路抗閂鎖效應(yīng)技術(shù)等；　?。?）在國際上首次提出SOI（SilicononInsulator）基高壓器件的介質(zhì)場EI增強(qiáng)理論；　?。?）首次提出硅基高壓器件體內(nèi)場降低理論。上述理論及技術(shù)與傳統(tǒng)“表面場優(yōu)化”技術(shù)相對應(yīng)，稱之為“體內(nèi)場優(yōu)化”技術(shù)；　　（7）基于背柵場控效應(yīng)，降低SOI橫向高壓器件體內(nèi)高場區(qū)電場，提高體內(nèi)低場區(qū)電場，以優(yōu)化體內(nèi)場分布，突破習(xí)用結(jié)構(gòu)的縱向耐壓限制，提高SOI橫向高壓器件的擊穿電壓；　?。?）基于體內(nèi)場優(yōu)化理論，提出場氧注入IFO（ImplantationafterFieldOxide）技術(shù)，解決薄層SOI高壓器件穿通擊穿難題；　?。?）發(fā)明了系列高壓半導(dǎo)體器件新結(jié)構(gòu)和功率集成電路產(chǎn)品?！　　　　　　　?　　　　四、集成電路封裝　　近十年來，我國集成電路封裝產(chǎn)業(yè)始終保持著強(qiáng)勁的增長勢頭。以2010年統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)為例，%，在集成電路設(shè)計(jì)、芯片制造和封裝測試三大產(chǎn)業(yè)中，封裝測試業(yè)的規(guī)模仍然保持最大，%。在第五屆（2010）年中國半導(dǎo)體創(chuàng)新產(chǎn)品和技術(shù)的評比中，封裝測試業(yè)有四個(gè)產(chǎn)品入圍，同時(shí)國家重大科技專項(xiàng)的實(shí)施加快了集成電路封裝產(chǎn)業(yè)的技術(shù)創(chuàng)新步伐，為其發(fā)展增添了活力?！　∧壳皣鴥?nèi)封裝測試企業(yè)仍主要集中于長江三角洲、珠江三角洲和京津環(huán)渤海灣地區(qū)，中西部地區(qū)因國家政策扶持引導(dǎo)，區(qū)位優(yōu)勢逐步顯現(xiàn)，對內(nèi)外資企業(yè)的吸引力不斷增強(qiáng)。長三角洲地區(qū)仍是外資、臺資封裝測試企業(yè)在中國大陸的主要聚集地，但近幾年來，因土地、人力、能源等運(yùn)營成本不斷提升，對外資封測企業(yè)的吸引力在減弱。長三角地區(qū)，歐美日資本在退出封裝測試業(yè)，而韓國、臺灣地區(qū)的資本在大規(guī)模進(jìn)入，總體分布情況變化不大，數(shù)量有少量增加?！　?jù)統(tǒng)計(jì)，2010年底，國內(nèi)有一定規(guī)模的集成電路封裝測試企業(yè)有79家，其中本土企業(yè)或內(nèi)資控股企業(yè)23家，其余均為外資、臺資及合資企業(yè)。目前，國內(nèi)外資IDM型封裝測試企業(yè)主要封測自己的產(chǎn)品，OEM型企業(yè)所接訂單多為中高端產(chǎn)品；而內(nèi)資封裝測試企業(yè)的產(chǎn)品已由DIP、SOP等傳統(tǒng)低端產(chǎn)品向QFP、QFN/DFN、BGA、CSP等中高端產(chǎn)品發(fā)展，而且中高端產(chǎn)品的產(chǎn)量與規(guī)模不斷提升。表1是國內(nèi)集成電路封裝測試業(yè)統(tǒng)計(jì)表，表2是國內(nèi)封裝測試企業(yè)的地域分布情況。　　　　就封裝形式來講，國內(nèi)市場仍以SOP（SSOP、TSOP）、QFP（LQFP、TQFP）等中低端產(chǎn)品為主，但隨著平板電視、信息家電和3G手機(jī)等消費(fèi)及通信領(lǐng)域技術(shù)的迅猛發(fā)展，國內(nèi)集成電路市場對中高端電路產(chǎn)品的需求不斷增加，集成電路設(shè)計(jì)公司和整機(jī)廠對MCM（MCP）、QFN/DFN、BGA、CSP、3D、SiP、WLP和FC等中高端封裝技術(shù)產(chǎn)品的需求明顯增強(qiáng)。隨著三網(wǎng)融合、物聯(lián)網(wǎng)及TDSCDMA(3G手機(jī)標(biāo)準(zhǔn))與CMMB（中國移動(dòng)多媒體廣播）兩大自主標(biāo)準(zhǔn)與技術(shù)的進(jìn)一步融合與發(fā)展，先進(jìn)封裝產(chǎn)品的市場需求將穩(wěn)步增長?！　闈M足歐盟RoHS、WEEE及中國《電子信息產(chǎn)品污染控制管理辦法》等指令的要求，無鉛化電鍍、綠色樹脂等技術(shù)已廣泛使用，無鉛產(chǎn)品已是集成電路產(chǎn)品的主流。同時(shí)，因黃金、銅等有色金屬價(jià)格的不斷攀升，合金絲（金基、非金基）及矩陣式框架等低成本技術(shù)的研究日趨活躍，部分批量生產(chǎn)的產(chǎn)業(yè)化技術(shù)趨于成熟，各公司正大力推廣此類降低成本的技術(shù)，以保證企業(yè)有足夠的市場競爭力?！　〗鼛啄辏瑖鴥?nèi)集成電路封裝測試企業(yè)技術(shù)創(chuàng)新方面又有突破。不斷研發(fā)、持續(xù)投入，創(chuàng)新封測技術(shù)及產(chǎn)品已是業(yè)界共識。通富微電、長電科技等企業(yè)在多圈陣列四邊無引腳封測、高密度BUMP、雙層線路WLCSP，多芯片封裝（MCP）等技術(shù)領(lǐng)域取得了新的成果，部分產(chǎn)品已開始量產(chǎn)。在中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會、中國電子報(bào)等聯(lián)合舉辦的“第五屆（2010年度）中國半導(dǎo)體創(chuàng)新產(chǎn)品和技術(shù)”評選活動(dòng)中，長電科技、通富微電等單位的四項(xiàng)技術(shù)成功入選。　　 　　當(dāng)前，在工藝技術(shù)發(fā)展和電子系統(tǒng)需求的雙重驅(qū)動(dòng)下，系統(tǒng)級封裝（SiP，SysteminPackage）成為未來封裝技術(shù)和系統(tǒng)集成的主流技術(shù)路線之一，國際半導(dǎo)體技術(shù)藍(lán)圖（ITRS）2003年即明確將SiP列為了半導(dǎo)體技術(shù)的重要發(fā)展趨勢。ITRS在上述白皮書中表述的關(guān)于未來半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展的基本判斷中包括：延續(xù)摩爾定律（MoreMoore）、擴(kuò)展摩爾定律（MorethenMoore,MtM）和超越CMOS（BeyondCMOS）是三個(gè)主要的發(fā)展方向。半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展必須滿足未來高性能、低功耗、小型化、異質(zhì)工藝集成、低成本的系統(tǒng)需求，單純依靠芯片系統(tǒng)（SoC，SystemonChip）已經(jīng)難以實(shí)現(xiàn)和滿足這樣的需要，因此與SoC互補(bǔ)，在封裝層次完成系統(tǒng)集成是一個(gè)現(xiàn)實(shí)的解決方案。SiP和SoC兩者的充分結(jié)合將是未來高附加值集成電子產(chǎn)品的主要解決方案?！　≡赟iP成為熟知的概念之前，多芯片模塊（MCM）曾經(jīng)作為重要的技術(shù)方向被關(guān)注，但是由于當(dāng)時(shí)所處的環(huán)境和技術(shù)的成熟度，導(dǎo)致了良率上存在較多的問題，因此沒有廣泛應(yīng)用。自2000年以來，系統(tǒng)級封裝（SiP）作為一種新的集成方法成為了封裝領(lǐng)域關(guān)注的一個(gè)焦點(diǎn)。作為一項(xiàng)先進(jìn)的系統(tǒng)集成和封裝技術(shù)，SiP具有一系列獨(dú)特的技術(shù)優(yōu)勢，滿足了當(dāng)今電子產(chǎn)品高性能、多功能以及更輕、更小和更薄的發(fā)展需求，具有廣闊的應(yīng)用市場和發(fā)展前景?！　】上驳氖牵趪蚁嚓P(guān)政策的支持下，尤其是2009年以來在國家科技重大專項(xiàng)（如02專項(xiàng)）的支持下，國內(nèi)骨干的集成電路封裝企業(yè)（如長電科技、南通富士通、天水華天、華潤安盛等）在先進(jìn)封裝技術(shù)的開發(fā)、儲備、應(yīng)用上得到了長足發(fā)展，在某些方面開始對國際封裝企業(yè)巨頭開始形成了挑戰(zhàn)。國內(nèi)的研究機(jī)構(gòu)在多年堅(jiān)持跟蹤國際研究動(dòng)態(tài)的基礎(chǔ)上，結(jié)合國內(nèi)產(chǎn)業(yè)的現(xiàn)狀，在緊密聯(lián)系產(chǎn)業(yè)界的同時(shí)，也提出了在SiP技術(shù)領(lǐng)域的研究方向。國內(nèi)信息產(chǎn)業(yè)的一些重要的集成制造商（如華為、中興通訊、聯(lián)想、國民技術(shù)等）在產(chǎn)品系統(tǒng)集成的過程中，不斷面臨著SiP技術(shù)落后的障礙，因而對系統(tǒng)級封裝有著巨大的需求?！　∨c國際上的情況一樣，系統(tǒng)集成制造商和芯片設(shè)計(jì)企業(yè)對系統(tǒng)級封裝的需求是封裝企業(yè)在SiP技術(shù)開發(fā)方面的推動(dòng)力。中興通訊、華為技術(shù)、聯(lián)想科技等大型終端產(chǎn)品企業(yè)對SiP技術(shù)的也有較多需求。華為技術(shù)、中興通訊這類通信設(shè)備廠家需要SiP技術(shù)的產(chǎn)品包括：DDR內(nèi)存集成、基站RF多頻模組、手機(jī)上網(wǎng)卡、手機(jī)基帶與射頻、電源管理芯片集成等。聯(lián)想科技在手機(jī)上網(wǎng)卡、手機(jī)基帶與射頻、電源管理芯片集成、MCU和電源管理芯片集成等方面有SiP需求。華為、中興、聯(lián)想等終端產(chǎn)品企業(yè)產(chǎn)品定位在國際一線市場，對SiP技術(shù)的需求一直跟隨國際最新的發(fā)展趨勢，在國內(nèi)是最先進(jìn)行技術(shù)研究和產(chǎn)品嘗試的企業(yè)；國民技術(shù)、展訊通訊、中星微電子等企業(yè)產(chǎn)品定位在國內(nèi)中低端市場，更多借用國外量產(chǎn)技術(shù)進(jìn)行二次創(chuàng)新的方式來完成積累，技術(shù)方向主要由本土市場來驅(qū)動(dòng)?！　鴥?nèi)骨干封裝企業(yè)近年來發(fā)展迅速，在先進(jìn)封裝技術(shù)開發(fā)上投入了大量的力量，在圓片級凸點(diǎn)技術(shù)、應(yīng)用于CMOSImageSensor封裝的TSV技術(shù)等方面已經(jīng)具備了和世界級封裝企業(yè)競爭的實(shí)力，正處在“全面趕上、局部突破”的關(guān)鍵發(fā)展階段?！　￠L電科技/長電先進(jìn)、南通富士通（通富微電）、天水華天等企業(yè)均在系統(tǒng)級封裝及測試領(lǐng)域展開了研發(fā)。這些企業(yè)已經(jīng)可以提供WaferBumping的服務(wù)，硅通孔（TSV）技術(shù)也已取得一些專利成果并開始產(chǎn)業(yè)化過程。在系統(tǒng)級封裝的選型、封裝設(shè)計(jì)、封裝模型電性參數(shù)提取、SI/PI分析服務(wù)方面我國企業(yè)也已經(jīng)積累了一些重要經(jīng)驗(yàn)?！　￠L電科技目前的主要SiP封裝產(chǎn)品為存儲卡、智能卡、安全芯片、MEMS和DDR內(nèi)存驅(qū)動(dòng)等，其在2010年給國民技術(shù)設(shè)計(jì)的用于移動(dòng)支付的RFIDmicroSD卡，集成了6顆芯片、20顆電容電阻和晶振，已經(jīng)可以量產(chǎn)。南通富士通（通富微電）能夠提供從系統(tǒng)設(shè)計(jì)、電仿真、熱力模擬到產(chǎn)品封裝、測試的完整解決方案與產(chǎn)業(yè)鏈服務(wù)模式，其產(chǎn)品包括CMMB模塊、電源模塊等。天水華天在SiP方向采取低投入跟隨型戰(zhàn)略已經(jīng)在試產(chǎn)RFSIM數(shù)據(jù)卡和sidebysideLGASiP封裝的產(chǎn)品?！　鴥?nèi)在先進(jìn)封裝技術(shù)方面的研究工作有多年的歷史，在封裝材料界面機(jī)理、封裝工藝過程和裝備原理等方面多家研究所和大學(xué)都開展過多方面的工作?！　≡谙冗M(jìn)封裝技術(shù)方面，國內(nèi)多家大學(xué)和研究所在金屬基封裝材料、無鉛焊料性能與機(jī)理、封裝的仿真與模擬等方面開展了基礎(chǔ)性和應(yīng)用性的研究。在系統(tǒng)級封裝領(lǐng)域主要的研究力量包括中科院微電子所、中科院微系統(tǒng)所、清華大學(xué)、北京大學(xué)、復(fù)旦大學(xué)、華中科技大學(xué)、上海交通大學(xué)、中電13所等機(jī)構(gòu)?！　〗陙懋a(chǎn)業(yè)發(fā)展迅速，對先進(jìn)技術(shù)的需求強(qiáng)烈，產(chǎn)業(yè)自發(fā)投入資源開始技術(shù)研發(fā)，在設(shè)備條件等方面已經(jīng)領(lǐng)先于研究機(jī)構(gòu)。因此目前國內(nèi)的研究機(jī)構(gòu)一方面在基礎(chǔ)研究上繼續(xù)開展工作，另一方面都與產(chǎn)業(yè)內(nèi)的骨干企業(yè)建立了戰(zhàn)略合作?！凹呻娐犯呙芏确庋b國家工程實(shí)驗(yàn)室”（發(fā)改委支持）、“集成電路封測產(chǎn)業(yè)鏈技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟”（02專項(xiàng)支持）、“中科華天西鈦先進(jìn)封裝聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室”（企業(yè)支持）、TSV聯(lián)合攻關(guān)體（企業(yè)支持）等聯(lián)合機(jī)構(gòu)的建立，是研究機(jī)構(gòu)（研究所、大學(xué)）在系統(tǒng)級封裝的研究為產(chǎn)業(yè)服務(wù)的表現(xiàn)。在國家02專項(xiàng)的支持下，中科院微電子所聯(lián)合多家研究機(jī)構(gòu)（中南大學(xué)、清華大學(xué)、復(fù)旦大學(xué)、北京大學(xué)、華中科技大學(xué)、中科院深圳先進(jìn)技術(shù)研究院、中科院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所、東南大學(xué)），以“高密度三維系統(tǒng)級封裝的關(guān)鍵技術(shù)研究”為主題，重點(diǎn)開展了系統(tǒng)級封裝的設(shè)計(jì)方法研究、可靠性和可制造性基礎(chǔ)研究、三維集成封裝的關(guān)鍵技術(shù)研究和多功能化集成系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)方法等研究工作，成為國內(nèi)系統(tǒng)級封裝研究的主要團(tuán)隊(duì)。目前在系統(tǒng)級三維封裝設(shè)計(jì)、混合信號芯片的測試方法、TSV關(guān)鍵工藝等方面有顯著突破。中科院微電子所組織國內(nèi)相關(guān)的企業(yè)和研究機(jī)構(gòu)，成立了針對TSV技術(shù)的聯(lián)合攻關(guān)體，更多的研究機(jī)構(gòu)（上海交通大學(xué)、浙江大學(xué)、中國科技大學(xué)、哈爾濱工業(yè)大學(xué)、北京工業(yè)大學(xué)、西安電子科技大學(xué)等）也加入到系統(tǒng)級封裝的研究中。來源:中國半導(dǎo)體行業(yè)信息網(wǎng)37 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