紫外光能譜upsppt課件-資料下載頁
2025-05-03 01:33本頁面
【正文】 頻率可分為100MHz、 200MHz、 400MHz、 800MHz、900MHz等，按射頻源又可分為連續(xù)波波譜儀（ CWNMR）和脈沖傅立葉變換波譜儀（ PFTNMR）等。 在所有原子核中， 1H的磁矩最大，給出的核磁共振訊號(hào)最強(qiáng)，而且 1H又是有機(jī) 物最重要的成分之一， 12C和 16O因沒有核磁矩，不會(huì)干擾質(zhì)子的吸收訊號(hào)，這樣研究質(zhì)子核磁共振譜就可以鑒定有機(jī)物的結(jié)構(gòu)，這是很有價(jià)值的。這里介紹質(zhì)子核磁共振譜。 由于核外圍電子的存在，與外磁場(chǎng)的相互作用受到屏蔽，使核實(shí)際感受的有效磁場(chǎng) H比外加磁場(chǎng) H0略小一些，表示為： H=（ 1–?） H0 式中， ?為屏蔽常數(shù)，它隨核在分子中所處的環(huán)境不同而 變化。同一種核在分子中不同環(huán)境下的?值不同， H不同，因此產(chǎn)生核磁共振吸收峰位置不同，這就是化學(xué)位移。 影響質(zhì)子化學(xué)位移的因素有以下幾種。 （ 1）電子密度 氫核周圍的電子密度是隨鄰近原子的電負(fù)性大小而變化的，鄰 近原子的電負(fù)性大，誘導(dǎo)效應(yīng)強(qiáng)，氫核周圍的電子密度減小，屏蔽效應(yīng)減弱，使得氫核共振磁場(chǎng)向低場(chǎng)偏移；反之，會(huì)移向高場(chǎng)。 （ 2） 反磁各向異性 （ 3）溶劑和氫鍵的影響 使用不同溶劑往往有不同的 ?值，若有 H鍵生成可使 ?值增大幾個(gè) ppm。 正電子湮沒譜 正電子射入材料中時(shí)，在與周圍達(dá)到熱平衡后，通常要 才會(huì)和電子湮沒，這段時(shí)間稱為正電子壽命。材料中的空位、孔洞和位錯(cuò)等缺陷強(qiáng)烈吸收正電子，使其處于被束縛狀態(tài)。處于自由態(tài)或束縛態(tài)的正電子都會(huì)和電子湮沒同時(shí)發(fā)射出 ?射線。正電子湮沒譜（ PAS）為不同正電子壽命與湮 沒事件之間的關(guān)系圖譜。通過對(duì)圖譜分析，可得到在不同空位型缺陷中與電子湮沒的正電子壽命、材料的電子結(jié)構(gòu)或缺陷結(jié)構(gòu)的有用信息。 基于不同的湮沒模式和壽命，有 3種測(cè)量方法 （ 1）壽命測(cè)量（ 2）測(cè)量?光子的多普勒展寬；（ 3）測(cè)量正負(fù)電子湮沒所產(chǎn)生的 2 ?光子的角關(guān)聯(lián) 。 常用的慢電子源有兩大類：一類是放射性同位素，另一類是高能電子加速器中產(chǎn)生ee+ 電子對(duì)，通常流強(qiáng)可達(dá) 1071010 e+ /S，即所謂強(qiáng)度流慢正電子束。 慢正電子束技術(shù)的建立給正電子研究領(lǐng)域帶來了一場(chǎng)革命，為研究固體的表面、界面，獲得正電子偶素，測(cè)量低能衍射截面等提供了極好的手段。慢正電子束測(cè)量技術(shù)有如下特點(diǎn)： 敏； ，可用于現(xiàn)場(chǎng)探測(cè)； 學(xué)信息； ； ，容易與電子分辨，又可形成電子偶素，用正電子探究可 以獲得電子探針無法得到的更多的物理信息； ，因而可獲得缺陷或結(jié)構(gòu) 不均勻性沿樣品深度的分布，而且正電子具有分辨不同原子密度區(qū)域的能力等。
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