多晶鑄錠生產(chǎn)工藝文件-資料下載頁(yè)
2024-10-25 16:31本頁(yè)面
【導(dǎo)讀】的Si3N4粉起到一個(gè)隔離雜質(zhì)和防止粘堝的作用。坩堝燒結(jié)：此過(guò)程是為了使噴涂在坩堝內(nèi)表面的Si3N4粉牢固附著在坩堝上。生產(chǎn)部負(fù)責(zé)鑄錠的整個(gè)過(guò)程。用壓縮空氣和去離子水清潔坩堝的內(nèi)表面。壁30cm左右，只噴涂坩堝底部和側(cè)壁3/4的地方，要均勻不要使液體凝聚。將坩堝放在燒結(jié)爐中進(jìn)行烘烤。保溫2∽3小時(shí)，然后等坩堝冷卻后待用。將坩堝放在石墨板上，并一起放在磅秤上稱量。坩堝處于石墨板的中央，距石墨板周圍左右，誤差不得超過(guò)2mm。啟動(dòng)設(shè)備前，檢查水、電、氣。進(jìn)氣壓力范圍為±。確認(rèn)電控柜正常供電。分鐘，壓強(qiáng)增加值小于，并記錄隨后4分鐘增大的壓強(qiáng)變化量。報(bào)警會(huì)在4分鐘后再次。坩堝會(huì)自然裂開(kāi)，不能直接接觸，以免燙傷。潔凈服，防止人體的產(chǎn)物掉到或擦到坩堝上，同時(shí)防止粉塵吸入肺部。
【正文】 0℃，然后用 6 小時(shí)線性升溫到 1000℃，在 1000℃恒溫 3∽ 4 小時(shí)，然后等坩堝自然冷卻后待用。 燒結(jié)后如發(fā)現(xiàn)起皮，要 將 涂層全部刮去，用 白 潔布處理表面后，重新噴涂。 3 裝料 清潔液 8 裝料時(shí)要保證潔凈度，盡量防止灰塵落入，人員應(yīng)穿潔凈服。 保護(hù)涂層 裝料是要小心、輕放，防止破壞 Si3N4 涂層。 正確擺放 裝塊 狀 料時(shí)，最下層擺放要疏松，防止膨脹 過(guò)程中坩堝脹裂。 裝料到一半時(shí)，按照計(jì)算出的量加入高硼硅 摻 雜 ： 摻 雜劑使用前要酸洗表面并干燥。酸洗可先用 HF:HNO3的體積比 1:4 的溶液稍微拋光，然后用 去離子 水沖洗干凈并干燥 ，化學(xué)試劑推薦使用電子級(jí)純度，如用分析純，一定要用 去離子水 多 次 沖洗。 上料 整個(gè)裝料和上料過(guò)程中，要保證坩堝處于石墨 板的中央，石墨板要處于定向凝固 塊中央，誤差都不可以超過(guò) 5mm，建議誤差不超過(guò) 2mm。 4 鑄錠工藝 鑄錠工藝分為五個(gè)主要階段 加熱 隔 熱籠下降到最低，真空狀態(tài)下讓硅料升溫排出石墨件和硅料吸附的水汽和其它氣體。該過(guò)程為功率控制模式，加熱器按照設(shè)定功率加熱。 熔化 加熱到 1175℃ 時(shí) 通 入 保護(hù)氣體 — 氬氣，進(jìn)入熔化步驟，迅速升溫到熔化點(diǎn)以上，熔化開(kāi)始。從熔化開(kāi)始進(jìn)入溫度控制模式，加熱器按照 TC1 的設(shè)定溫度反饋控制加熱 。 完全熔化后， 由 TC2 或功率斜率 微分觸發(fā)熔化完成報(bào)警。 長(zhǎng)晶 隔 熱籠開(kāi)始提升， 定向凝固 塊開(kāi)始把 熱量輻射到下?tīng)t壁，形成 溫度 梯度，定向凝固開(kāi)始。中央結(jié)晶完成由 光學(xué)高溫計(jì) 觸發(fā)，邊 沿 結(jié)晶完成由功率斜率 9 觸發(fā)。 退 火 完全凝固后， 隔 熱籠重新下降，使整個(gè)硅錠達(dá)到相同溫度（ 1250—1300℃），高溫退 火 減少位錯(cuò)和應(yīng)力。 冷卻 加熱器停止工作， 隔 熱籠緩慢升起， TC2 冷卻到 300℃時(shí)整個(gè)過(guò)程結(jié)束?？梢蚤_(kāi)爐取錠 。 具體每個(gè)階段的詳細(xì)步驟設(shè)定和時(shí)間，按 48 所 提供的 240kg 和 270kg錠標(biāo)準(zhǔn)工藝執(zhí)行。
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