多晶鑄錠生產(chǎn)工藝文件-wenkub
2022-11-05 16:31:51 本頁面
【正文】 中要檢測坩堝內(nèi)表面的溫度，應為 80177。 用 壓縮空氣和去離子 水 清潔 坩堝的內(nèi)表面。 涂層燒結： 此過程是為了 使 噴涂在坩堝內(nèi)表面的 Si3N4 涂層 牢固地附著在坩堝上。 工廠工程部負責整個外圍設施條件，以保證多晶爐正常運行的環(huán)境條件要求。 多晶爐鑄錠： 將盛好硅料的坩堝放入多晶爐中，經(jīng)高溫熔化定向凝固鑄錠。 1 多晶硅錠的生產(chǎn)流程 1. 生產(chǎn)工藝流程 （ 1） 制造工藝流程 圖 （ 2） 工藝流程簡述 坩堝 噴涂 ： 其目的是為了在鑄錠的過程中，防止坩堝的雜質(zhì)混入硅料。 （ 3） 反應 副產(chǎn) 物 生產(chǎn)過程中產(chǎn)生 含 Si3N4 粉塵的 空氣，過濾除塵后排放大氣；鑄錠過程中排放的少量氬氣，直接排放入大氣；鑄錠后產(chǎn)生的石英坩堝碎片作為廢物處理。 5 術語和定義 坩堝噴涂： 在坩堝的內(nèi)表面均勻噴涂 Si3N4 粉溶液，以防止 在 鑄錠時坩堝和硅錠燒結 在一起。 多晶爐鑄錠： 將硅料放入坩堝，并一起放入多晶爐中，硅料經(jīng)高溫熔化、定向凝固成為硅錠。 坩堝噴涂： 取 250g 的 Si3N4 粉末，用濾網(wǎng)篩濾。 5℃，不斷用去油 的 壓縮空氣吹去掉落的顆粒。要保證坩堝處于石墨板的中央，距石墨板周圍 左右 ，誤差不得超過 2mm。冷卻水、氣、電源檢查沒有問題后，方可進行。 進氣壓力范圍為 177。 檢查 真空泵（含 機械泵 和 羅茨泵），包括電源、泵油、運轉情況 等 。 2） LPM （電極 1） F2：（ 14177。 2） LPM （ 爐體側壁 ） F6：（ 42177。對爐子進行手動抽真空檢漏。 5 調(diào)入程序：首先從 “ 模式 ” 下 選擇所需工藝配方 ， 點擊“確定工藝”，接著點擊“執(zhí)行 /下載修改工藝”，然后點擊 “自動運行”，此時，系統(tǒng)進入“初始檢查窗口”，則程序開始自動運行， 進入自動運行階段。如果檢查漏氣，則要排查漏氣孔。 報警會在 4 分鐘 后再次響起 ，處理方法同上。 （ 3）邊緣凝固報警： 一般將報警取消，點擊“ 延時
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