電位移有介質(zhì)時(shí)的高斯定理-資料下載頁(yè)
2025-01-19 10:31本頁(yè)面
【正文】 ddSQ ??12r21r2r1r00ddSUQC????????0r1r11139。 ???? ?? + + + + + + + + + + + + + + + + + + + 1d2d0??39。1??39。1??39。2??39。2??0??1S1E?2E?0r2r22139。 ???? ??（ 2） 1r00r101 ??????? DEr200r202 ??????? DE第五章靜電場(chǎng)中的導(dǎo)體和電介質(zhì) 5 – 2 電位移 有電介質(zhì)時(shí)的高斯定理 r 例 3 常用的圓柱形電容器，是由半徑為 的長(zhǎng)直圓柱導(dǎo)體和同軸的半徑為 的薄導(dǎo)體圓筒組成，并在直導(dǎo)體與導(dǎo)體圓筒之間充以相對(duì)電容率為 的電介質(zhì) .設(shè)直導(dǎo)體和圓筒單位長(zhǎng)度上的電荷分別為 和 . 求（ 1） 電介質(zhì)中的電場(chǎng)強(qiáng)度、電位移和極化強(qiáng)度； （２） 電介質(zhì)內(nèi)、外表面的極化電荷面密度；（３） 此圓柱形電容器的電容． ??1R2Rr???1R2R????第五章靜電場(chǎng)中的導(dǎo)體和電介質(zhì) 5 – 2 電位移 有電介質(zhì)時(shí)的高斯定理 lSDS ???? ?? d解（ 1） lrlD ??π2rDπ2??rDEr0r0 π2 ???????)( 21 RrR ???????rEPrr0r π21)1( ????1R2Rr????第五章靜電場(chǎng)中的導(dǎo)體和電介質(zhì) 5 – 2 電位移 有電介質(zhì)時(shí)的高斯定理 （２） 由上題可知 1rr10r1 π2)1()1(39。 RE ?????? ????2rr20r2 π2)1()1(39。 RE ?????? ????1r01 π2 RE ???? )( 1Rr ?2r02 π2 RE ???? )( 2Rr ?rDEr0r0 π2 ???????1R2Rr????第五章靜電場(chǎng)中的導(dǎo)體和電介質(zhì) 5 – 2 電位移 有電介質(zhì)時(shí)的高斯定理 真空?qǐng)A柱形電容器電容 （３） 由（１）可知 rEr0π2 ???? )( 21 RrR ???? ??? 21 r0π2dd RR rrrEU?????120lnπ2 RRr????12r0 lnπ2 RRl???UQC ?0r C??12r0 lnπ2 RRlC ???單位長(zhǎng)度電容 1R2Rr????
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