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電位移有介質(zhì)時(shí)的高斯定理(文件)

2025-02-06 10:31 上一頁面

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【正文】 內(nèi)部的場(chǎng)由自由電荷和束縛電荷共同產(chǎn)生 EEE ??? ??? 00Q 1q?2q?P例 2 平行板電容器 自由電荷面密度為 0?00 ?? ??? ???r?充滿相對(duì)介電常數(shù)為 的均勻各向同性線性電介質(zhì) r?P點(diǎn)的場(chǎng)強(qiáng)? 共同產(chǎn)生 第五章靜電場(chǎng)中的導(dǎo)體和電介質(zhì) 5 – 2 電位移 有電介質(zhì)時(shí)的高斯定理 EEE ??? 0rE???00?rE?0?????? 0 單獨(dú) 普遍 ? 000 ???E0?? ???E共同產(chǎn)生 r????????? 000EE??o???? ???00? ? ? ?EP rn 10 ???? ??? ? 聯(lián)立 均勻各向同性電介質(zhì)充滿 兩個(gè)等勢(shì)面之間 rEE?0???第五章靜電場(chǎng)中的導(dǎo)體和電介質(zhì) 5 – 2 電位移 有電介質(zhì)時(shí)的高斯定理 由前,高斯面包圍的束縛電荷為 自由電荷 第五章靜電場(chǎng)中的導(dǎo)體和電介質(zhì) 5 – 2 電位移 有電介質(zhì)時(shí)的高斯定理 1)線上每一點(diǎn)的切線方向?yàn)樵? 點(diǎn)電位移矢量的方向; 2)通過垂直于電位移矢量的單 位面積的電位移線數(shù)目應(yīng)等 于該點(diǎn)電位移矢量的大小。 在無自由電荷 的地方不中斷。 ?? ???? P?26000r0 EED ?????? ?????r0 ?EE ?第五章靜電場(chǎng)中的導(dǎo)體和電介質(zhì) 5 – 2 電位移 有電介質(zhì)時(shí)的高斯定理 + + + + + + + + + + + 1d2d0??0??1d 2dr1? r2? 例 2 一平行平板電容器充滿兩層厚度各為 和 的電介質(zhì),它們的相對(duì)電容率分別為 和 , 極板面積為 . 求( 1) 電容器的電容; ( 2) 當(dāng)極板上的自由電荷面密度的值為 時(shí),兩介質(zhì)分界面上的極化電荷面密度 . 1S0? + + + + + + 39。2??1S10d SSDS ??????0??D1E?2E?1r00r101 ??????? DEr200r202 ??????? DE解( 1) 第五章靜電場(chǎng)中的導(dǎo)體和電介質(zhì) 5 – 2 電位移 有電介質(zhì)時(shí)的高斯定理 2211d dEdElEU l ???? ???)(2r21r10 ???ddSQ ??12r21r2r1r00ddSUQC????????0r1r11139。2??39。 RE ??????
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