化學氣相沉積ppt課件(2)-資料下載頁
2025-01-14 09:49本頁面
【正文】 鍵 : 是合理控制氣相沉積過程中的凝結形核及生長方式 。 ? 用 SiH4除了能合成納米 Si微粒外，還能合成 SiC和 Si3N4納米微粒，粒徑可控范圍為幾納米至70nm，粒度分布可控制在 177。 幾納米以內(nèi)。合成反應如下 ： ? ? ? ? ? ? ? ?? ? ? ? ? ? ? ?? ? ? ? ? ? ? ?.622.4.1243242424424334gHsS i CgHCgS i HgHsS i CgCHgS i HgHsNSigNHgS i H?????????實例：制備難生成化合物 小結 ? CVD特點 CVD應用 保形性 晶粒可控性 制備環(huán)境純凈 薄膜材料及器件 低維材料 超純物質 ? 原料： 是氣態(tài)或易于揮發(fā)成蒸汽的液態(tài)或固態(tài)物質。 ? 1）低周期元素的氫化物 ? 2）有機烷氧基的元素化合物 ? 3）金屬的碳基化合物 ? 4）鹵化物 CVD分類 ? 根據(jù)反應類型不同分為： ① 熱解化學氣相沉積 ② 化學合成氣相沉積 a、 氧化還原反應沉積 b、 化合反應沉積 ① 化學輸運反應沉積 根據(jù)激活方式不同分為： ① 熱激活：電阻加熱、感應加熱、紅外輻射加熱 ② 等離子增強的反應沉積 ③ 激光增強的反應沉積 CVD設備 ① 氣源控制部件； ② 沉積反應室； ③ 沉積溫控部件； ④ 真空排氣和壓強控制部件； ⑤ 增加激勵能源控制部件。
教學課件相關推薦
鄂ICP備17016276號-1