集成電路分析與設(shè)計(jì)-資料下載頁
2025-01-07 01:53本頁面
【正文】 P S U BN+N阱N+N+EBP阱N+N阱P+P+P+N+N+阱PP+外延層N M O SP M O S BiCMOS工藝簡介 ? 這種結(jié)構(gòu)的特點(diǎn)是采用 N＋ 及 P＋ 雙埋層雙阱結(jié)構(gòu)，采用薄外延層來實(shí)現(xiàn)雙極器件的高截止頻率和窄隔離寬度。 ? 此外，利用 CMOS工藝的第二層多晶硅做雙極器件的多晶硅發(fā)射極，不必增加工藝就能形成淺結(jié)和小尺寸發(fā)射極。 雙極工藝為基礎(chǔ)的 BiCMOS工藝（ 4） 無源器件 雙極工藝中電阻（ 1） 基區(qū)擴(kuò)散電阻 雙極工藝中最常見的電阻類型，其薄層電阻 RSB=100—200Ω/□ 無源器件 雙極工藝中電阻（ 2） 發(fā)射區(qū)擴(kuò)散電阻 由于發(fā)射區(qū)擴(kuò)散層的薄層電阻較小，其 RSE=2—10Ω/□， 所以只能做小電阻 無源器件 雙極工藝中電阻（ 3） 埋層電阻 RS， BL≈20Ω/□，便于做與晶體管集電極相連的小電阻 ,影響電阻值的工藝因素太多，不易精確控制，精度較差 無源器件 雙極工藝中電阻（ 4） 基區(qū)溝道電阻 薄層電阻較大，可制作小面積大阻值的電阻 無源器件 雙極工藝中電阻（ 5） 又稱為 “ 體電阻 ” 薄層電阻較大，可制作高阻值的電阻 外延層電阻 無源器件 雙極工藝中電阻（ 6） 離子注入電阻 電阻精度高，阻值范圍大（薄層電阻可控范圍為 20kΩ/□ ） 無源器件 CMOS工藝中電阻（ 1） 多晶硅電阻 通過摻雜可形成阻值范圍較廣的電阻（方塊電阻從幾十歐到幾千歐），精度較高 無源器件 CMOS工藝中電阻（ 2） N阱電阻 電阻率隨工藝變化較大，精度較差 無源器件 電容（ 1） 多晶硅 — 擴(kuò)散層電容 無源器件 電容（ 2） 多晶硅 — 多晶硅電容 無源器件 電容（ 3） 金屬 — 多晶硅電容 無源器件 電容（ 4） 金屬 — 金屬電容 無源器件 電感 多匝螺旋型線圈 多匝直角型線圈 無源器件 實(shí)例：電阻 一種多晶硅電阻的版圖 多晶硅薄膜電阻阻值 多晶硅薄膜電阻允許最大電流密度 無源器件 實(shí)例：電容（ 1） MIM結(jié)構(gòu)電容的版圖 MIM結(jié)構(gòu)電容截面圖 無源器件 實(shí)例：電容（ 2） 圖 65 一種高值多晶硅電容的版圖 圖 66 高值多晶硅電容的截面圖 無源器件 實(shí)例：電感 無源器件 實(shí)例：焊盤 無源器件 實(shí)例：焊盤 焊盤模型 THE END 謝謝大家！
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