gan基led效率衰減問題研究報告-資料下載頁
2024-11-25 19:53本頁面
【正文】 阻擋層在 P型 GaN一側(cè)。 注：對于樣品 B電子阻擋層的設(shè)計(jì)是個很好的想法，電子阻擋層放在 N型 GaN一側(cè)，一方面對電子的注入有一個限制作用，一方面不會阻礙空穴的注入。 (a)為光輸出功率圖 ， (b)為外量子效率圖 ， 我們發(fā)現(xiàn)將電子阻擋層移至 N型 GaN一側(cè) ， 對光輸出功率有一個明顯的提高 。 外量子效率峰位向大電流方向移動 ， 效率衰減得到一定的緩解 。 RayMing Ling et al. Appl. Phys. Lett. 97, 181108 (2021) 我們可以開展的工作 在總結(jié)別人工作的基礎(chǔ)上 ， 我們現(xiàn)在所要開展的工作主要從兩方面入手 ， 一方面進(jìn)一步削減極化 ， 另一方面增加空穴注入效率 ， 改善空穴分布均勻性 。 也可以將這兩者結(jié)合到一起來考慮 。 實(shí)驗(yàn)設(shè)想一： Xiaofeng Ni通過減小壘層厚度形成耦合量子井 ， 使得空穴穿過勢壘達(dá)到分布均勻 。 我們同樣可以通過削減勢壘的高度 ， 使得空穴較為容易的越過勢壘 ， 達(dá)到分布較為均勻 。 但是削減勢壘高度會影響量子井對電子和空穴的限制作用 ， 影響復(fù)合效率 。 所以在空穴分布均勻性和復(fù)合效率之間探索最佳值 ， 這是我們需要做的工作 。 實(shí)驗(yàn)方面考慮 實(shí)驗(yàn)設(shè)想二：受 RayMing Ling 的啟發(fā)，我們將電子阻擋層移至 N型 GaN一側(cè)，但是我們采用晶格匹配的 AlInN作為電子阻擋層，這樣進(jìn)一步削減了極化作用，應(yīng)該會使得效率衰減進(jìn)一步改善。 實(shí)驗(yàn)設(shè)想三： 在實(shí)驗(yàn)二的基礎(chǔ)上，在 P型 GaN一側(cè)也加上晶格匹配的 AlInN電子阻擋層，這樣雖然對空穴的注入有一點(diǎn)的影響，但是它同意阻擋了電子穿過 P區(qū)形成漏電流。 理論模擬考慮 利用 crosslight 對可能的 LED結(jié)構(gòu)進(jìn)行模擬計(jì)算，給實(shí)驗(yàn)一些指導(dǎo)。 YenKuang Kuo et al. Opt. Lett. Vol. 35, No. 19. 總結(jié) ? LED效率衰減的根本原因尚不明確，但我認(rèn)為 GaN基 LED之所以產(chǎn)生效率衰減而其它材料 LED沒有這種現(xiàn)象的主要原因在于 GaN材料本身的性質(zhì)， GaN屬六角結(jié)構(gòu)，極性材料。換句話說，我認(rèn)為極化是效率衰減的重要原因，但是極化不可能是效率衰減的唯一原因，從上面的介紹我們也知道，通過增強(qiáng)空穴的注入；改善空穴的分布均勻性我們也可以改善 LED效率衰減現(xiàn)象，這就說明空穴的注入效率和分布均勻性也是影響 LED效率衰減的一個重要原因。同時俄歇復(fù)合，結(jié)溫，位錯密度等等都可能對效率衰減產(chǎn)生影響。
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