【總結(jié)】第一章CMOS集成電路工藝基礎(chǔ)1、半導(dǎo)體材料:N型半導(dǎo)體:N-NN+P型半導(dǎo)體:P-PP+2、CMOS集成電路工藝氧化工藝攙雜工藝淀積工藝鈍化工藝光刻和腐蝕工藝
2025-05-11 01:31
【總結(jié)】集成電路版圖基礎(chǔ)——電容版圖設(shè)計光電工程學(xué)院王智鵬一、電容概述?電容器,能夠存儲電荷的器件。?單位:法拉(F)兩塊導(dǎo)電材料中間存在絕緣介質(zhì)就會形成電容?電容充電二、MOS集成電路中的電容器MOS集成電路中的電容器幾乎都是平板電容器。平板電容器的電容表示式:C=εoε
2025-04-30 18:27
【總結(jié)】1第二部分參考答案第0章緒論,將晶體管,二極管等有源器件和電阻,電容等無源元件,按一定電路互連。集成在一塊半導(dǎo)體基片上。封裝在一個外殼內(nèi),執(zhí)行特定的電路或系統(tǒng)功能。(SSI),中規(guī)模集成電路(MSI),大規(guī)模集成電路(VSI),超大規(guī)模集成電路(VLSI),特大規(guī)模集成電路(ULSI),巨大規(guī)模集成電路(
2025-01-09 05:37
【總結(jié)】?2022/8/20東?南?大?學(xué)射?頻?與?光?電?集?成?電?路?研?究?所集成電路設(shè)計基礎(chǔ)王志功東南大學(xué)無線電系2022年東?南?大?學(xué)射?頻?與?光?電?集?成?電?路?研?究?所?2022/8/202第六章M
2025-08-01 14:45
【總結(jié)】半導(dǎo)體集成電路常見封裝縮寫解釋1.DIP(dualin-linePACkage)雙列直插式封裝。插裝型封裝之一,引腳從封裝兩側(cè)引出,封裝材料有塑料和陶瓷兩種。DIP是最普及的插裝型封裝,應(yīng)用范圍包括標(biāo)準(zhǔn)邏輯IC,存貯器LSI,微機電路等。,引腳數(shù)從6到64。。的封裝分別稱為skinnyDIP和slimDIP(窄體型DIP)。但多數(shù)情況下并不加區(qū)分,
2025-04-07 21:53
【總結(jié)】2022/2/61《集成電路設(shè)計概述》2022/2/62目的?認(rèn)識集成電路的發(fā)展歷史、現(xiàn)狀和未來?了解集成電路設(shè)計工藝?熟悉集成電路設(shè)計工具?培養(yǎng)集成電路設(shè)計興趣2022/2/63主要內(nèi)容集成電路的發(fā)展集成電路的分類
2025-01-09 14:11
【總結(jié)】CMOS集成電路設(shè)計基礎(chǔ)-數(shù)字集成電路基礎(chǔ)對邏輯門的基本要求1)魯棒性(用靜態(tài)或穩(wěn)態(tài)行為來表示)靜態(tài)特性常常用電壓傳輸特性(VTC)來表示即輸出與輸入的關(guān)系),傳輸特性上具有一些重要的特征點。邏輯門的功能會因制造過程的差異而偏離設(shè)計的期望值。(2)噪聲容限:芯片內(nèi)外的噪聲會使電路的響應(yīng)偏離設(shè)計的期望值(電感、電容耦合,電源
2025-01-09 01:07
【總結(jié)】Module3模擬集成電路版圖基礎(chǔ)Lab3-1CMOS無源器件結(jié)構(gòu)與版圖?知識單元:?1、電阻?2、電容?3、電阻和電容畫法實例一、電阻:1、方塊電阻?方塊電阻測量方法:–用poly來做一個電阻,先做一個正方形,長,寬相等。通過在其兩端加電壓,測量電流的方法,可以得到它的阻值。?電阻連接
2025-05-13 00:45
【總結(jié)】《集成電路設(shè)計基礎(chǔ)》山東大學(xué)信息學(xué)院劉志軍BCEP+P+PMOSN+PN阱N阱縱向NPN-SUBP+N+N+NMOS-P-epiN+N+-BLN+-BL2022/2/13《集成電路設(shè)
2025-01-17 09:42
【總結(jié)】CMOS集成電路設(shè)計基礎(chǔ)-MOS器件MOS器件多晶硅GSD氧化層LeffLdrawnN+N+P型襯底LDWNMOS管的簡化結(jié)構(gòu)制作在P型襯底上(P-Substrate,也稱bulk或body,為了區(qū)別于源極S,襯底以B來表示),兩個重摻雜N區(qū)形成源區(qū)和漏區(qū),
2025-01-12 16:50
【總結(jié)】集成電路設(shè)計基礎(chǔ)莫冰華僑大學(xué)電子工程系廈門市專用集成電路系統(tǒng)重點實驗室第四章集成電路器件工藝雙極型集成電路的基本制造工藝MESFET和HEMT工藝MOS工藝和相關(guān)的VLSI工藝BiCMOS工藝第四章集成電路器件工藝IC材料、工藝、器件和電路材料工藝器件
2025-01-07 01:54
【總結(jié)】2022/2/41第二章IC制造材料結(jié)構(gòu)與理論了解集成電路材料半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識PN結(jié)與結(jié)型二極管雙極型晶體管基本結(jié)構(gòu)與工作原理MOS晶體管基本結(jié)構(gòu)與工作原理2022/2/42表集成電路制造所應(yīng)用到的材料分類
【總結(jié)】華?僑?大?學(xué)?專?用?集?成?電?路?系?統(tǒng)?實?驗?室?IC設(shè)計基礎(chǔ)EDAC華僑大學(xué)電子工程電系2022年華?僑?大?學(xué)?專?用?集?成?電?路?系?統(tǒng)?實?驗?室?2022/2/42第3章IC制造工藝
2025-01-08 15:42
【總結(jié)】集成電路設(shè)計基礎(chǔ)莫冰華僑大學(xué)電子工程系廈門市專用集成電路系統(tǒng)重點實驗室第五章MOS場效應(yīng)管的特性MOS場效應(yīng)管MOS管的閾值電壓體效應(yīng)MOSFET的溫度特性MOSFET的噪聲MOSFET尺寸按比例縮小MOS器件的二階效應(yīng)MOS場效應(yīng)管
2025-01-07 01:55
【總結(jié)】第5章放大電路的頻率響應(yīng)頻率響應(yīng)的基本概念復(fù)習(xí)11OiiRjCUUUjRCRjC???????PN結(jié)電容?勢壘電容CB當(dāng)外加電壓不同時,耗盡層的電荷量隨外加電壓而增多或減少,與電容的充放電過程相同。耗盡層寬窄變化所等效的電容為勢壘電容。
2025-08-07 11:01