模擬集成電路基礎三--資料下載頁
2025-08-07 11:01本頁面
【正文】 間的關系，可以整理得 ? ?? ?? ?? ? ? ?? ?12222/1)/1()()()(aajjCRRjCRjjajIjIjALCEEmsoIs ????????????????? ?? ?? ?? ? ? ?? ?? ? ? ?? ?1112122221/1)/1()()()(CChRRRRhRahRChhRCaRRRhRRhaaajjCRRjCRjjajIjIjAEiesEBEfeBfesEfefesLssfessfemLCEEmsoIs??????????????????????????????????其中：????????例題 ： CE電路參數(shù)如下： ???????khhFCFCFCkRkRRRkRiefeEBLESc,44,1 0 0,10,5,10,1,221??????????? ? ? ? ? ?? ? ? ? ? ?21 2 1 01 8 . 5 2 4 8 . 5 3 3jjAjj j j???? ? ????? ? ?小結：低頻響應是由電路中耦合電容和旁路電容引起的。 ? ?Aj?? 和旁路電容引起 是引起低頻響應的主要原因； 原因； ——增益帶寬積； 幾點結論 單管共基放大電路的高頻等效電路 us+ UC CRb 1Rb 2RcRLRsReCbC1C2uoRsusRe39。LRuo39。ber 39。bbr 39。beC 39。bcC39。beu 39。m beguieic39。bRsusRe39。LRuo39。ber 39。beC 39。bcC39。beu 39。m beguieicb39。RsusRe39。LRuo39。ber 39。beC 39。bcC39。beu39。m beguieic39。bbr 很 小 ， 可 忽 略 。上限頻率 39。39。1e1( / / / / )H S b e b eR R r C? ?39。1 39。1HL bcRC? ?由于 rb’e很小，所以上限頻率很高。 ? 如果放大器由多級級聯(lián)而成 ， 那么 ， 總增益 )()()()()(lg20)(lg20)(lg20)(lg20)(lg20)()()()()(121121121???????????????????jjjjjAjAjAjAjAjAjAjAjAjAknkkunkunuuunkukunuuu??????????????????????????? 多級放大器的頻率響應 一 、 多級放大器的上限頻率 fH ? 設單級放大器的增益表達式為 ])(1[])(1][)(1[)(111)(1)(2222112211HnHHuIuHnuIHuIHuIuku I kukAjAjAjAjAjAjAjA????????????????????????????????????)a rc t a n()a rc t a n()a rc t a n()(21 HnHHj ? ?? ?? ??? ???????式中 ， |AuI|=|AuI1||AuI2|… |AuIn|為多級放大器中頻增益 。 令 2])(1[])(1][)(1[2)(22221????????HnHHHHHuIHuAjA???????二、多級放大器的下限頻率 fL 設單級放大器的低頻增益為 ?????????????????????????LnLLLnLLu I nuIuIuLnu I nLuILuIuLku I kukjAAAjAjAjAjAjAjAjAa r c t a na r c t a na r c t a n)(])(1[])(1][)(1[)(111)(1)(2122221112111????????????????????????????? 解得多級放大器的下限角頻率近似式為 122])(1[112122121???????????nLLnLLLnLLL????????若各級下限角頻率相等 ， 即 ωL1=ωL2=…=ωLn,則 小 結 ? 放大器的增益與頻率有關，稱幅頻特性；放大器的相移也與頻率有關，稱相頻特性，兩者統(tǒng)稱為頻率響應。 高頻響應 —由晶體管的結電容引起的。 低頻響應 —由電路中耦合電容和旁路電容引起的。 ? 分析放大器的高頻響應借助于晶體管的高頻模型即混合 ?模型，具體分析步驟： 1. 畫出放大器的交流通路； ?模型代替晶體管畫出放大器的高頻等效電路； ； ； ，確定高頻截頻及帶寬。
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