大規(guī)模集成電路基礎(chǔ)(1)-資料下載頁(yè)
2025-05-15 05:13本頁(yè)面
【正文】 W P t S i2 C o S i2 T i S i2 S i l i c i d e s M o S i2 T a S i2 S i3N4 P o l y s i l i c o n A l S i O2 Si 1 9 7 0 1 9 8 0 1 9 9 0 2 0 0 0 2 0 1 0Q ua ntum l e a p in ne w m a te r ia ls集成電路中的材料 小結(jié)： Bipolar： 基區(qū) (Base)，基區(qū)寬度 Wb 發(fā)射區(qū) (Emitter) 收集區(qū) (Collector) NPN， PNP 共發(fā)射極特性曲線 放大倍數(shù) ?、 ? 特征頻率 fT 小結(jié)： MOS ?溝道區(qū) (Channel)，溝道長(zhǎng)度 L，溝道寬度 W ?柵極 (Gate) ?源區(qū) /源極 (Source) ?漏區(qū) /漏極 (Drain) ?NMOS、 PMOS、 CMOS ?閾值電壓 Vt，擊穿電壓 ?特性曲線、轉(zhuǎn)移特性曲線 ?泄漏電流 (截止電流 )、驅(qū)動(dòng)電流 (導(dǎo)通電流 ) 小結(jié)：器件結(jié)構(gòu) ?雙極器件的縱向截面結(jié)構(gòu)、俯視結(jié)構(gòu) ?CMOS器件的縱向截面結(jié)構(gòu)、俯視結(jié)構(gòu) ?CMOS反相器的工作原理 ?IC：有源器件、無(wú)源器件、隔離區(qū)、互連線、鈍化保護(hù)層 作 業(yè) ?畫(huà)出 CMOS反相器的截面圖和俯視圖 ?畫(huà)出雙極晶體管的截面圖和俯視圖
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