【總結(jié)】華?僑?大?學(xué)?專?用?集?成?電?路?系?統(tǒng)?實(shí)?驗(yàn)?室?IC設(shè)計(jì)基礎(chǔ)EDAC華僑大學(xué)電子工程電系2022年華?僑?大?學(xué)?專?用?集?成?電?路?系?統(tǒng)?實(shí)?驗(yàn)?室?2022/2/42第3章IC制造工藝
2025-01-08 15:42
【總結(jié)】集成電路設(shè)計(jì)基礎(chǔ)莫冰華僑大學(xué)電子工程系廈門市專用集成電路系統(tǒng)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室第五章MOS場(chǎng)效應(yīng)管的特性MOS場(chǎng)效應(yīng)管MOS管的閾值電壓體效應(yīng)MOSFET的溫度特性MOSFET的噪聲MOSFET尺寸按比例縮小MOS器件的二階效應(yīng)MOS場(chǎng)效應(yīng)管
2025-01-07 01:55
【總結(jié)】第5章放大電路的頻率響應(yīng)頻率響應(yīng)的基本概念復(fù)習(xí)11OiiRjCUUUjRCRjC???????PN結(jié)電容?勢(shì)壘電容CB當(dāng)外加電壓不同時(shí),耗盡層的電荷量隨外加電壓而增多或減少,與電容的充放電過(guò)程相同。耗盡層寬窄變化所等效的電容為勢(shì)壘電容。
2025-08-07 11:01
【總結(jié)】制作:路勇(第一、二、三、四、七章)李金平(第八章)祁英(第六章)張玉慧(第五章)1999年12
2025-01-19 10:52
【總結(jié)】微電子學(xué)概論第二章半導(dǎo)體物理與器件(SemiconductorPhysicsAndDevice)?《半導(dǎo)體物理學(xué)》劉恩科等著國(guó)防工業(yè)出版社?《半導(dǎo)體物理學(xué)》葉良修高等教育出版社?《半導(dǎo)體物理與器件》(第3版)(美)DonaldA.Neamen著,趙毅強(qiáng)等譯
2025-07-20 05:07
【總結(jié)】桂林電子科技大學(xué)職業(yè)技術(shù)學(xué)院芯片互連技術(shù)前課回顧?引線鍵合技術(shù)(WB)主要內(nèi)容?載帶自動(dòng)鍵合技術(shù)(TAB)?倒裝芯片鍵合技術(shù)(FCB)引線鍵合技術(shù)概述引線鍵合技術(shù)是將半導(dǎo)體裸芯片(Die)焊區(qū)與微電子封裝的I/O引線或基板上的金屬布線焊區(qū)(Pad)用金屬細(xì)絲連接起來(lái)的工藝
2025-03-20 06:10
【總結(jié)】第四章集成電路制造工藝芯片制造過(guò)程?圖形轉(zhuǎn)換:將設(shè)計(jì)在掩膜版(類似于照相底片)上的圖形轉(zhuǎn)移到襯底上。?摻雜:根據(jù)設(shè)計(jì)的需要,將各種雜質(zhì)摻雜在需要的位置上,形成晶體管、接觸等。?制膜:制作各種材料的薄膜。基本步驟:硅片準(zhǔn)備、外延、氧化、摻雜、淀積、刻蝕、光刻硅片準(zhǔn)備光刻(Lithography)圖形轉(zhuǎn)移
2025-03-01 12:22
【總結(jié)】第一章半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)?半導(dǎo)體的晶格結(jié)構(gòu)和結(jié)合性質(zhì)?半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)和能帶?半導(dǎo)體中電子的運(yùn)動(dòng)有效質(zhì)量?本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)構(gòu)空穴?常見(jiàn)半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)重點(diǎn):有效質(zhì)量、空穴概念的理解研究方法?單電子近似:假設(shè)每個(gè)電子是在周期性排列且固定不動(dòng)的原子核勢(shì)場(chǎng)及其他電子的平均勢(shì)場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)。該勢(shì)
2025-03-22 06:44
【總結(jié)】1金陵科技學(xué)院《電子技術(shù)基礎(chǔ)論文》——姓名:王琳晨學(xué)號(hào):1304202113學(xué)院:機(jī)電工程學(xué)院專業(yè):電氣工程及其自動(dòng)化
2025-06-07 00:13
【總結(jié)】下一頁(yè)上一頁(yè)集成電路制造工藝——雙極集成電路制造工藝下一頁(yè)上一頁(yè)上一次課的主要內(nèi)容?CMOS集成電路工藝流程N(yùn)型(100)襯底的原始硅片NMOS結(jié)構(gòu)PMOS結(jié)構(gòu)P阱(well)隔離閾值調(diào)整注入柵氧化層和多晶硅柵NMOS管源漏注入PMOS管源漏注入接觸和互
2025-05-13 02:13
【總結(jié)】三、pn結(jié)在前面幾結(jié)中我們了解了本征半導(dǎo)體和雜質(zhì)半導(dǎo)體,根據(jù)對(duì)導(dǎo)電性的影響,雜質(zhì)半導(dǎo)體又分為n型半導(dǎo)體和p型半導(dǎo)體。如果把一塊n型半導(dǎo)體和p型半導(dǎo)體結(jié)合在一起,在兩者的交界面就形成了所謂的pn結(jié),在這一結(jié)我們就是要了解pn結(jié)的一些性質(zhì)。1、pn結(jié)的形成和雜質(zhì)分布在一塊n型(或p型)半導(dǎo)體單晶上,
2025-07-25 02:12
【總結(jié)】第9章工藝集成,IC制造工藝流程—原始材料:拋光晶片—薄膜成型:外延膜、電介質(zhì)膜、多晶硅膜、金屬膜,氧化膜—摻雜與光刻:擴(kuò)散、注入、各種光刻—刻蝕:濕法與干法—IC芯片:圖形轉(zhuǎn)換到晶片IC芯片與集成度...
2024-11-21 22:00
【總結(jié)】電阻和電容的匹配?測(cè)得的器件比率相對(duì)于預(yù)期比率的偏離?比如一對(duì)10kΩ的電阻,制作后,測(cè)得為。兩電阻的比率為,比預(yù)期比率略大1%,這對(duì)電阻表現(xiàn)出1%的失配。失配的原因-隨機(jī)變化失配的原因-隨機(jī)變化?面變化面積失配kms???兩個(gè)電容匹配?匹配電容的
2025-08-09 15:44
【總結(jié)】1集成電路封裝技術(shù)清華大學(xué)微電子所賈松良Tel:62781852Fax:62771130Email:2022年6月12日2目錄一、中國(guó)將成為世界半導(dǎo)體封裝業(yè)的重要基地二、IC封裝的作用和類型三、IC封裝的發(fā)展趨勢(shì)四、IC封裝的基本工藝五、幾種新穎
2025-08-01 17:54
【總結(jié)】第四章集成電路設(shè)計(jì)集成電路中的無(wú)源元件與互連線雙極和MOS集成電路比較集成電路中的無(wú)源元件與互連線集成電路中的電阻模型集成電路互連線l集成電路的無(wú)源元件主要包括電阻、電容和電感(一般很少用)。無(wú)源元件在集成電路中所占面積一般都比有源元件(如雙極晶體管、MOSFET等)要大。因此
2024-12-27 20:50