六西格瑪培訓(xùn)教材完全要因?qū)嶒?yàn)fullfactorialdesigns(ppt58)-管理培訓(xùn)-資料下載頁(yè)
2025-08-09 20:19本頁(yè)面
【導(dǎo)讀】Kn要因?qū)嶒?yàn)是對(duì)K水準(zhǔn)、n個(gè)因子的所有水準(zhǔn)組合,進(jìn)行實(shí)。適合于特性化/最佳化階段。對(duì)主效果和交互作用的效果都能進(jìn)行評(píng)價(jià)。所規(guī)定的實(shí)驗(yàn)領(lǐng)域內(nèi)的全部過(guò)程中可以推定輸出(反應(yīng)). 通過(guò)反復(fù)實(shí)驗(yàn)可以求出實(shí)驗(yàn)誤差。高水準(zhǔn)表示為“+”或“+1”。23設(shè)計(jì)的標(biāo)準(zhǔn)排列。意味著根據(jù)因子水準(zhǔn)變化的反應(yīng)值平均變化。反應(yīng)溫度對(duì)數(shù)率影響大，但濃度對(duì)此幾乎沒(méi)有影響。的前提下才能說(shuō)這結(jié)論是準(zhǔn)確。出變量變化是交叉或不平行。ProcessEngineer知道對(duì)半導(dǎo)體數(shù)率的溫度，濃度及壓力的效果。2階段:設(shè)定因子及水準(zhǔn)，用Minitab作成實(shí)驗(yàn)DATASHEET. 反應(yīng)溫度(℃):160℃(-1),180℃(+1). :2X2X2=8個(gè)runs的完全要因?qū)嶒?yàn)。
【正文】 P Main Effects 2 Curvature 1 Residual Error 5 Lack of Fit 1 Pure Error 4 Total 8 中心點(diǎn)怎么樣 ? 有影響嗎 ? Proprietary to Samsung Electronics Company Improve 完全要因?qū)嶒?yàn) 53 Rev 0 . 30 . 20 . 1 0 . 0 0 . 1 0 . 243210R e s i d u a lFrequencyH i s t o g r a m o f R e s i d u a ls98765432100 . 50 . 0 0 . 5O b s e r v a t i o n N u m b e rResidualI C h a r t o f R e s i d u a lsX = 0 . 0 0 03 . 0 S L = 0 . 4 9 8 7 3 . 0 S L = 0 . 4 9 8 74 1 . 54 0 . 53 9 . 50 . 30 . 20 . 10 . 0 0 . 1 0 . 2 0 . 3F i tResidualR e s i d u a ls v s . F i t s1 . 51 . 00 . 50 . 0 0 . 5 1 . 0 1 . 50 . 30 . 20 . 10 . 0 0 . 1 0 . 2 0 . 3N o r m a l P lo t o f R e s i d u a l sN o r m a l S c o r eResidualR e s i d u a l M o d e l D i a g n o s t i c s? 6階段 : 分析殘差圖確認(rèn)模型的適合性。 ? Stat Regression Residual Plots 0 . 20 . 10 . 0 0 . 1 0 . 2 0 . 3543210R e s i d u a lFrequencyH i s t o g r a m o f R e s i d u a ls98765432100 . 50 . 0 0 . 5O b s e r v a t i o n N u m b e rResidualI C h a r t o f R e s i d u a lsX = 0 . 0 0 03 . 0 S L = 0 . 5 1 0 3 3 . 0 S L = 0 . 5 1 0 34 2 . 54 1 . 54 0 . 53 9 . 50 . 20 . 10 . 0 0 . 1 0 . 2 0 . 3F i tResidualR e s i d u a ls v s . F i t s1 . 51 . 00 . 50 . 0 0 . 5 1 . 0 1 . 50 . 20 . 10 . 0 0 . 1 0 . 2 0 . 3N o r m a l P lo t o f R e s i d u a l sN o r m a l S c o r eResidualR e s i d u a l M o d e l D i a g n o s t i c s制品 2 制品 1 Proprietary to Samsung Electronics Company Improve 完全要因?qū)嶒?yàn) 54 Rev ? 7階段 : 在 ANOVA表分析有影響的主效果 ? Stat DOE Factorial Plots Main Effects Plot ? Stat DOE Factorial Plots Cube Plot P r e s sT e m p4 03 01601 504 1 . 24 0 . 84 0 . 44 0 . 03 9 . 6YieldM a i n E f f e c t s P l o t ( d a t a m e a n s ) f o r Y i e l dC e n te r p o i n tP r e s sT e m p4 03 01601 504 2 . 44 1 . 84 1 . 24 0 . 64 0 . 0Yield2M a i n E f f e c t s P l o t ( d a t a m e a n s ) f o r Y i e l d 2C e n te r p o i n t4 1 . 5 0 04 0 . 9 0 04 0 . 0 0 03 9 . 3 0 04 0 . 4 6P r e s sT e m p1 6 01 5 04 03 0C u b e P l o t ( d a t a m e a n s ) f o r Y i e l dC e n t e r p o in tF a c t o r ia l P o in t4 1 . 5 0 04 0 . 9 0 04 0 . 0 0 03 9 . 3 0 04 2 . 4 6P r e s sT e m p1 6 01 5 04 03 0C u b e P l o t ( d a t a m e a n s ) f o r Y i e l d 2C e n t e r p o in tF a c t o r ia l P o in t制品 2 制品 1 因點(diǎn)脫離直線，可以知道有曲率效果。 Proprietary to Samsung Electronics Company Improve 完全要因?qū)嶒?yàn) 55 Rev ? 8階段 : 在 ANOVA表分析有影響的交互效果 ? Stat DOE Factorial Plots Interaction Plot 15016030 403 9 . 54 0 . 54 1 . 5P r e ssT e m pMeanI n t e r a ct i o n P lo t ( d a t a m e a n s) f o r Y i e ldC e n t e r p o i n t1 5 01 6 04 03 04 2 . 54 1 . 54 0 . 53 9 . 5P r e s sT e m pMeanI n t e r a c t i o n P l o t ( d a t a m e a n s ) f o r Y i e l d 2C e n t e r p o i n t點(diǎn)在兩個(gè)直線的外面，可以知道有曲率效果。 制品 2 制品 1 Proprietary to Samsung Electronics Company Improve 完全要因?qū)嶒?yàn) 56 Rev ? 9階段 : 記述數(shù)學(xué) MODEL的結(jié)果 ? 制品 1的模型 ? 與制品 2的數(shù)率 (yield2)相關(guān)，還沒(méi)得到有效的模型。 現(xiàn)在始點(diǎn)，只知道曲線 效果存在。 ?從新設(shè)定水準(zhǔn)，再實(shí)行 DOE或反應(yīng)表面分析 (RSM). Yield = + * Temp + * Press Term Effect Coef T P Constant Temp Press Proprietary to Samsung Electronics Company Improve 完全要因?qū)嶒?yàn) 57 Rev ? 10階段 : 把數(shù)學(xué) MODEL的意思轉(zhuǎn)換為 Process用語(yǔ)。 ? 11階段 : 再現(xiàn)最佳條件。擬定下一個(gè)階段實(shí)驗(yàn)的計(jì)劃或適用 變化的條件。
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