【正文】 (2)抗壞血酸碳原子數(shù)目相對較少，但分子內(nèi)含4個羥基，可與水分子間形成氫鍵，因此它易溶于水；分子內(nèi)有碳碳單鍵、對應(yīng)碳原子sp3雜化方式，也有碳碳雙鍵，對應(yīng)碳原子sp2雜化方式；與四個不同的原子或原子團相連的碳原子稱為手性碳原子，由圖知，1個抗壞血酸分子中含2個手性碳原子，則1mol抗壞血酸中手性碳原子的數(shù)目為2NA；故答案為：分子中含有多個羥基，可與水分子間形成氫鍵；spsp2；2NA；(3)結(jié)合信息：O2因具有單電子而成為順磁性分子，從示意圖知B結(jié)構(gòu)中化學(xué)鍵有3電子，B有單電子，B滿足；故答案為：B；(4)①鋰鈷復(fù)合氧化物中Li、Co、O分別形成了六邊層狀結(jié)構(gòu)(圖a)，整個六棱柱結(jié)構(gòu)中：Li個數(shù)為：12+2+6＝9個，Co個數(shù)為：7+6＝9，O個數(shù)為14+12＝18，則，Li、Co和O個數(shù)比為1：1：2，化學(xué)式為 LiCoO2；鈷的原子序數(shù)為27，Co3+有24個電子，電子排布式為[Ar]3d6，其價層電子排布式為3d6；故答案為：LiCoO2；3d6；②石墨晶胞中碳原子數(shù)目＝8+4+1+2＝4，故晶胞的質(zhì)量=4g，層內(nèi)(平行四邊形)CC鍵長為apm＝a1010cm，底面的邊長為2a1010cm＝a1010cm，底面上的高為底面的邊長＝a1010cm，層間距為dpm，則晶胞的體積＝a1010cma1010cm2d1010cm=da21030cm3，則該晶胞的密度=g/cm3，則NA=，故答案為：；(5)該長鏈硅酸根離子每個單元為四面體結(jié)構(gòu)，根據(jù)圖示可知：若一個單環(huán)狀離子中Si原子數(shù)為n，則含有n個四面體結(jié)構(gòu)，含有的氧原子數(shù)為(3n+1)個，即：含有n個Si，則含有(3n+1)個O，帶有的負電荷為：n(+4)+(3n+1) (2)＝?(2n+2)，則其化學(xué)式為：(SinO3n+1)(2n+2)?，故答案為：(SinO3n+1)(2n+2)?。11．1s22s22p63s23p63d9 N＞O＞S sp3 離子 2NA CuSO4和Cu(NO3)2均為離子晶體，SO42所帶電荷比NO3大，故CuSO4晶解析：1s22s22p63s23p63d9 N＞O＞S sp3 離子 2NA CuSO4和Cu(NO3)2均為離子晶體，SO42所帶電荷比NO3大，故CuSO4晶格能較大，熔點較高 A (，) Cu 74% 【解析】【分析】(1)陽離子為Cu 2+，Cu原子核外電子數(shù)為29，原子形成陽離子時，先失去高能層中電子，同一能層先失去高能級中電子；同主族自上而下元素第一電離能減小，N元素原子2p軌道為半充滿穩(wěn)定狀態(tài)，第一電離能高于同周期相鄰元素的；(2)NH3中N原子形成3個NH，含有1對孤對電子，VSEPR模型為四面體；[Cu(NH3)4](NO3)2由[Cu(NH3)4]2+ 與NO3構(gòu)成，是離子化合物；(3)CN與N2互為等電子體，CN中C、N之間形成C≡N三鍵，三鍵含有1個σ鍵、2個π鍵；將N原子用碳原子與1個單位負電荷替換可得到與CN互為等電子體的一種離子；(4)離子電荷越多，晶格能越大，物質(zhì)的熔點越高；(5)同種非金屬元素之間形成非極性共價鍵，碘為分子晶體，碘晶體中的碘原子間存在非極性鍵和范德華力，晶胞中占據(jù)頂點和面心，碘分子的排列有2種不同的取向；(6)晶胞原子坐標參數(shù)A為(0，0，0)、B為(1，0，0)、C為(，)，如圖坐標系中，A為處于坐標系中的原點(定義為O)，則C處于晶胞體心位置，A、D、C的連線處于體對角線線上，且D處于A、C連線的中點位置，D到晶胞左側(cè)面距離為參數(shù)x，D到晶胞前面的距離為參數(shù)y，D到晶胞下底面距離為參數(shù)z；計算晶胞中白色球、黑色球數(shù)目，結(jié)合化學(xué)式確定代表的元素；金屬銅是面心立方最密堆積方式，Cu原子處于頂點與面心，頂點Cu原子與面心Cu原子相鄰，每個頂點為8個晶胞共用，每個面為2個晶胞共用；設(shè)Cu原子半徑為r，則晶胞棱長為2r，計算晶胞中Cu原子總體積，該晶胞中Cu原子的空間利用率。【詳解】(1)陽離子為Cu 2+，Cu原子核外電子數(shù)為29，陽離子的基態(tài)核外電子排布式為：1s22s22p63s23p63d9；由元素周期律可知，同主族自上而下元素第一電離能減小，N元素原子2p軌道為半充滿穩(wěn)定狀態(tài)，第一電離能高于同周期相鄰元素的，故第一電離能為：N＞O＞S；(2)NH3中N原子形成3個NH，含有1對孤對電子，雜化軌道數(shù)目為4，VSEPR模型為四面體，中心N原子采取sp3雜化；[Cu(NH3)4]2+ 與NO3形成離子化合物，則[Cu(NH3)4](NO3)2屬于離子晶體；(3)CN與N2互為等電子體，CN中C、N之間形成C≡N三鍵，三鍵含有1個σ鍵、2個π鍵，1mol CN中含有的2molπ鍵，1mol CN中含有的π鍵數(shù)目為：2NA；將N原子用碳原子與1個單位負電荷替換可得到與CN互為等電子體的一種離子：；(4)CuSO4和Cu(NO3)2均為離子晶體，SO42所帶電荷比NO3大，故CuSO4晶格能較大，熔點較高；(5)A．碘分子的排列有2種不同的取向，在頂點和面心不同，2種取向不同的碘分子以4配位數(shù)交替配位形成層結(jié)構(gòu)，故A正確；B．用均攤法計算：頂點碘分子個數(shù)加面心碘分子個數(shù)=8+6=4，因此平均每個晶胞中有4個碘分子，即有8個碘原子，故B錯誤；C．碘晶體為無限延伸的空間結(jié)構(gòu)，構(gòu)成微粒為分子，是分子晶體，故C錯誤；D．碘晶體中的碘原子間存在II非極性鍵，而晶體中碘分子之間存在范德華力，故D錯誤；故答案為：A；(6)晶胞原子坐標參數(shù)A為(0，0，0)、B為(1，0，0)、C為(，)，如圖坐標系中，A為處于坐標系中的原點(定義為O)，則C處于晶胞體心位置，A、D、C的連線處于體對角線線上，且D處于A、C連線的中點位置，故D到晶胞左側(cè)面距離為、到晶胞前面的距離為，到晶胞下底面距離為，故D的參數(shù)為(，)；晶胞中白色球數(shù)目=1+8=2，黑色球數(shù)目=4，二者數(shù)目之比為1：2，而化學(xué)式為Cu2O，故黑色球為Cu原子、白色球為O原子，即D表示Cu原子；金屬銅是面心立方最密堆積方式，Cu原子處于頂點與面心，頂點Cu原子與面心Cu原子相鄰，每個頂點為8個晶胞共用，每個面為2個晶胞共用，設(shè)Cu原子半徑為r，則晶胞棱長為2r，晶胞體積=(2r)3，晶胞中Cu原子數(shù)目=8+6=4，晶胞中Cu原子總體積=4πr3，該晶胞中Cu原子的空間利用率是=100%=74%?！军c睛】考查物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)，涉及元素周期律應(yīng)用、核外電子排布、分子結(jié)構(gòu)與性質(zhì)、電離能、雜化軌道、等電子體、化學(xué)鍵、等電子體、晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)、晶胞結(jié)構(gòu)與計算等知識，側(cè)重重要的基礎(chǔ)知識考查，需要學(xué)生熟練掌握基礎(chǔ)知識，注意同周期第一電離能的異常情況。12．1s22s22p63s23p2 D sp3雜化 1:2 Al＜Si＜O 硅原子半徑較大，形成的σ鍵的鍵長較長，難以形成π鍵 8 【解析】【分析】解析：1s22s22p63s23p2 D sp3雜化 1:2 Al＜Si＜O 硅原子半徑較大，形成的σ鍵的鍵長較長，難以形成π鍵 8 【解析】【分析】（1）硅是14號元素，根據(jù)原子核外電子排布規(guī)律可以寫出電子排布式；硅原子最外層有4個電子，硅的IIII4相差不多，而I4比I5小很多，則最大；（2）晶體硅具有金剛石型結(jié)構(gòu)，每個硅原子連有4個硅原子，硅原子的配位數(shù)為4，則硅原子的雜化方式是sp3雜化；結(jié)合硅晶體的結(jié)構(gòu)分析硅原子與σ鍵的個數(shù)比；（3）非金屬元素的電負性大于金屬元素，非金屬性越強，電負性越大； （4）因為硅原子半徑比碳原子半徑要大，硅原子之間形成σ鍵后，原子間的距離比較大，p電子云之間進行難以進行“肩并肩”重疊或重疊程度小，所以難以形成穩(wěn)定的雙鍵及三鍵； （5）根據(jù)均攤法計算晶胞中Si原子的個數(shù)，根據(jù)m=ρV列方程進行計算?！驹斀狻浚?）硅是14號元素，根據(jù)原子核外電子排布規(guī)律可以寫出電子排布式為：1s22s22p63s23p2；硅原子最外層有4個電子，硅的IIII4相差不多，而I4比I5小很多，則最大，故答案為：1s22s22p63s23p2；D；(2)晶體硅具有金剛石型結(jié)構(gòu)，每個硅原子連有4個硅原子，硅原子的配位數(shù)為4，則硅原子的雜化方式是sp3雜化；晶體中，每個Si原子與4個Si原子形成σ鍵，每一個共價鍵中Si的貢獻為一半，則平均1個Si原子形成2個σ鍵，則晶體硅中硅原子與σ鍵的個數(shù)比為1：2，故答案為：sp3雜化；1:2；（3）非金屬元素的電負性大于金屬元素，非金屬性越強，電負性越大，則O、Al、Si 電負性由小到大的順序是Al＜Si＜O，故答案為：Al＜Si＜O；（4）因為硅原子半徑比碳原子半徑要大，硅原子之間形成σ鍵后，原子間的距離比較大，p電子云之間進行難以進行“肩并肩”重疊或重疊程度小，所以難以形成穩(wěn)定的雙鍵及三鍵，故答案為：硅原子半徑較大，形成的σ鍵的鍵長較長，難以形成π鍵；（5）由圖可知，晶胞中Si原子的個數(shù)為8+6+41=8；由質(zhì)量關(guān)系可得：molMg/mol=(a10—10cm)3ρ g/cm，解得NA=mol—1，故答案為：8；。