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正文內(nèi)容

第三章代表性工藝(編輯修改稿)

2025-03-28 00:19 本頁面
 

【文章內(nèi)容簡介】 閾值調(diào)整 多晶硅淀積 源漏注入 接觸、金屬化、覆蓋保護層 ? 可用器件 NMOS晶體管 PMOS晶體管 襯底 PNP晶體管 多晶硅電阻 NSD和 PSD電阻 電容 ? 工藝擴展 雙層金屬 淺槽隔離 擴展漏區(qū)高壓晶體管 模擬 BiCMOS工藝 ? 基本特征
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