工藝晶體外延生長技術課件(編輯修改稿)
2025-03-22 15:44 本頁面
【文章內容簡介】 0)/( GSifSifPHNPNN?? – 2）生長速率和溫度的影響 為什么溫度升高會使?jié)舛冉档停? Silicon Vapor Phase Epitaxy Reactors Exhaust Exhaust Exhaust RF heating RF heating Gas inlet Gas inlet Horizontal reactor Barrel reactor Vertical reactor – 外延過程中的雜質再分布和自摻雜 – 1）襯底雜質的再分布 N1 （見 page 228） – 在外延區(qū)： 時（一般都成立） – 2）摻入雜質的再分布 總分布為： N=N1+N2 tDvt 1??)2(erf c21),(11 tDxNtxNsub? )]2(erf c21[1),(12 tDxNtxNf? – 3）自摻雜（ autodoping）效應 襯底中的雜質不斷地蒸發(fā)出來，進入總氣流并摻入外延層。 – 4）減小自摻雜效應措施 襯底雜質的選擇：（擴散系數(shù)小、蒸發(fā)速率低，如 Sb） 兩步外延、低溫（變溫）技術（如選擇適當?shù)幕瘜W體系、光照、等離子體等）、 低壓技術、掩蔽技術等 – 清潔技術 – 外延層性能檢測 電阻率、雜質分布、 厚度 、缺陷 紅外干涉法 IR（ Infrared） Reflection，（ coherence） Page 369 – 外延過程中的圖形漂移 (Page 367) 對策：晶向偏 2~5176。,含 Cl, (100) ? GaAs外延生長工藝 – 1）汽相外延 (369~371) 難點： As壓與生長速率的控制（缺陷） – 2）液相外延 （ LPE） 特點：雜質均勻、缺陷少，表面質量差、厚度不易控制 ? 異質結問題 (370~372) – 晶格失配 對策：襯底材料的晶向、過度層 – 缺陷控制和摻雜問題 對策：催化、過度層；新技術； – 主流技術：氣相外延 一種 GeSi量子點 ? 先進外延生技術 – 1） MBE（ molecular beam epitaxy) 配以 RHEED、Auger（ AES） 進行原位監(jiān)測； 是一超高真空（ UHV）系統(tǒng)（ 1012~ 106 Torr）； 襯底溫度低500176。C 精度高，但生長速率低，成本高 可以控制到單原子層 – 2)MOV
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