工藝晶體外延生長(zhǎng)技術(shù)課件(編輯修改稿)
2025-03-22 15:44 本頁(yè)面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 0)/( GSifSifPHNPNN?? – 2）生長(zhǎng)速率和溫度的影響 為什么溫度升高會(huì)使?jié)舛冉档停? Silicon Vapor Phase Epitaxy Reactors Exhaust Exhaust Exhaust RF heating RF heating Gas inlet Gas inlet Horizontal reactor Barrel reactor Vertical reactor – 外延過(guò)程中的雜質(zhì)再分布和自摻雜 – 1）襯底雜質(zhì)的再分布 N1 （見(jiàn) page 228） – 在外延區(qū)： 時(shí)（一般都成立） – 2）摻入雜質(zhì)的再分布 總分布為： N=N1+N2 tDvt 1??)2(erf c21),(11 tDxNtxNsub? )]2(erf c21[1),(12 tDxNtxNf? – 3）自摻雜（ autodoping）效應(yīng) 襯底中的雜質(zhì)不斷地蒸發(fā)出來(lái)，進(jìn)入總氣流并摻入外延層。 – 4）減小自摻雜效應(yīng)措施 襯底雜質(zhì)的選擇：（擴(kuò)散系數(shù)小、蒸發(fā)速率低，如 Sb） 兩步外延、低溫（變溫）技術(shù)（如選擇適當(dāng)?shù)幕瘜W(xué)體系、光照、等離子體等）、 低壓技術(shù)、掩蔽技術(shù)等 – 清潔技術(shù) – 外延層性能檢測(cè) 電阻率、雜質(zhì)分布、 厚度 、缺陷 紅外干涉法 IR（ Infrared） Reflection，（ coherence） Page 369 – 外延過(guò)程中的圖形漂移 (Page 367) 對(duì)策：晶向偏 2~5176。,含 Cl, (100) ? GaAs外延生長(zhǎng)工藝 – 1）汽相外延 (369~371) 難點(diǎn)： As壓與生長(zhǎng)速率的控制（缺陷） – 2）液相外延 （ LPE） 特點(diǎn)：雜質(zhì)均勻、缺陷少，表面質(zhì)量差、厚度不易控制 ? 異質(zhì)結(jié)問(wèn)題 (370~372) – 晶格失配 對(duì)策：襯底材料的晶向、過(guò)度層 – 缺陷控制和摻雜問(wèn)題 對(duì)策：催化、過(guò)度層；新技術(shù)； – 主流技術(shù)：氣相外延 一種 GeSi量子點(diǎn) ? 先進(jìn)外延生技術(shù) – 1） MBE（ molecular beam epitaxy) 配以 RHEED、Auger（ AES） 進(jìn)行原位監(jiān)測(cè)； 是一超高真空（ UHV）系統(tǒng)（ 1012~ 106 Torr）； 襯底溫度低500176。C 精度高，但生長(zhǎng)速率低，成本高 可以控制到單原子層 – 2)MOV
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