晶體生長機理ppt課件(編輯修改稿)
2024-11-30 22:39 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 ，這類晶體為閃爍晶體。 ? 應(yīng)用： 核醫(yī)學(xué)、核技術(shù)、空間物理等。 非平衡材料研究室 西安理工大學(xué) （ 9）半導(dǎo)體晶體 ? 定義： 電阻率處于導(dǎo)電體（ 10 5 ?.cm）和絕緣體（ 1010 ?.cm ）之間的晶體為半導(dǎo)體晶體。 ? 應(yīng)用： 聲、光、電等。 非平衡材料研究室 西安理工大學(xué) （ 10）薄膜晶體 ? 定義： 1?m或以下厚度的 晶體。 ? 應(yīng)用： 電子管和超大規(guī)模集成電路等。 非平衡材料研究室 西安理工大學(xué) （ 11） …… 晶體 ? 除了以上談到的晶體以外，尚有：鐵電、硬質(zhì)、絕緣、敏感、熱光、超導(dǎo)體、快離子導(dǎo)體等等 。 非平衡材料研究室 西安理工大學(xué) 晶體生長單晶時原料（母相）狀態(tài)對生長方法進行分類： 氣相 液相 固相 非平衡材料研究室 西安理工大學(xué) 1. 晶體生長方法分類 晶體生長方法 溶液生長法 熔液生長法 氣相生長法 固相生長法 薄膜生長法 降溫，恒溫蒸發(fā)，溫差水熱，循環(huán)流動，凝膠等 提拉，下降，焰熔，導(dǎo)模，冷坩堝，助熔劑區(qū)熔，浮區(qū)，基座等 真空蒸發(fā)鍍膜，升華，氣相外延，化學(xué)氣相沉積等 高壓，再結(jié)晶等 真空蒸發(fā)，分子束外延，濺射，粒子束外延，液相外延，離子注入， LB膜等 非平衡材料研究室 西安理工大學(xué) 科學(xué)發(fā)展要求晶體材料的數(shù)量 、 品質(zhì) 、 品種等越來越高 。 晶體生長方法各有其特點 ， 生產(chǎn)中采用哪一種完全要根據(jù)要求來確定 。 非平衡材料研究室 西安理工大學(xué) 2. 晶體生長方法發(fā)展動向 晶體生長技術(shù)發(fā)展動向 完整性 利用性 功能性 重復(fù)性 雜質(zhì)、缺陷的控制，特殊環(huán)境下生長等 大尺寸、異形、薄膜等 極端條件下生長，結(jié)構(gòu)、組織的控制生長 自動化，程序化，原材料規(guī)范化等 非平衡材料研究室 西安理工大學(xué) 3. 晶體生長研究方法 晶體生長研究方法同其它材料的研究方法相同 ，除了嚴格控制晶體生長原材料之外 ， 對晶體的結(jié)構(gòu) 、 晶體的生長方法和晶體的性質(zhì)進行研究是晶體生長研究的重點 。 由此可見：研究晶體生長必然以 （ 1） 晶體生長 （ 2） 晶體物理 （ 3） 晶體化學(xué) 為基礎(chǔ) 。 簡言之： 非平衡材料研究室 西安理工大學(xué) 晶體生長 控制 生長工藝 生長設(shè)備 生長理論 生長方法 晶體物理 晶體化學(xué) 形貌 缺陷 物性 應(yīng)用 結(jié)構(gòu) 組成 化學(xué)鍵 相關(guān)系 圖 晶體學(xué)研究的基礎(chǔ)內(nèi)容及相互關(guān)系 非平衡材料研究室 西安理工大學(xué) 材料科學(xué)研究與發(fā)展方向 （ 1）材料復(fù)合化 （ 2）納米材料 （ 3）智能材料 （ 4）生物醫(yī)學(xué)材料 （ 5） C60系列材料 非平衡材料 非平衡材料研究室 西安理工大學(xué) C－ CARBON 非平衡材料
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