數(shù)字電子技術基礎-第二章--邏輯門電路基礎(編輯修改稿)
2025-02-11 00:34 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 存儲時間 ts—— 從輸入信號 vi下跳變的瞬間開始，到集電極電流 iC下降到 間。（ 4）下降時間 tf—— 集電極電流從 到 。 對輸入脈沖的要求ton = td + trtoff = ts + tfl輸入信號 vi的正半周的寬度 tonl輸入信號 vi的負半周的寬度 toff以保證三極管能可靠進入飽和狀態(tài)和截止狀態(tài)三、 MOS管的開關特性l（一） MOS管的靜態(tài)開關特性l（二） MOS管的動態(tài)開關特性第二節(jié) 二極管邏輯門電路l概念u高電平u低電平u正邏輯體制u負邏輯體制一、正與門電路正邏輯體制負邏輯體制二、正或門電路正邏輯體制負邏輯體制呢 ?三、非門電路第三節(jié) TTL邏輯門電路一、標準生產(chǎn)工藝的 TTL非門的工作原理TTL的含義： Transistor Transistor （一）輸入 VI為高電平 l（二）輸入 VI為低電平 時二、標準生產(chǎn)工藝的 TTL非門的電路結(jié)構(gòu)特點輸入級采用三極管以提高工作速度。采用了推拉式輸出級，輸出阻抗比較小，可迅速給負載電容充放電 ,提高開關速度和帶負載能力。三、 TTL非門的電壓傳輸特性曲線和從其上可以得出的電路參數(shù)（一）電壓傳輸特性曲線（二）從電壓傳輸特性曲線上可以得出的電路參數(shù)l 1．輸出高電平 VOHl 2．標準輸出高電平 VSH V OH（ min） l 3．輸出低電平 VOLl 4．標準輸出低電平 VSL V OL（ max） l 5．輸入高電平 VIH l 6．輸入高電平的下限 VIH（ min） (開門電平 VON ）l 7．輸入低電平 VIL l 8．輸入低電平的上限 V IL（ max） （關門電平 VOFF）
教學課件相關推薦
鄂ICP備17016276號-1