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正文內(nèi)容

數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)-第二章--邏輯門(mén)電路基礎(chǔ)(編輯修改稿)

2025-02-11 00:34 本頁(yè)面
 

【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 存儲(chǔ)時(shí)間 ts—— 從輸入信號(hào) vi下跳變的瞬間開(kāi)始,到集電極電流 iC下降到 間。( 4)下降時(shí)間 tf—— 集電極電流從 到 。 對(duì)輸入脈沖的要求ton = td + trtoff = ts + tfl輸入信號(hào) vi的正半周的寬度 tonl輸入信號(hào) vi的負(fù)半周的寬度 toff以保證三極管能可靠進(jìn)入飽和狀態(tài)和截止?fàn)顟B(tài)三、 MOS管的開(kāi)關(guān)特性l(一) MOS管的靜態(tài)開(kāi)關(guān)特性l(二) MOS管的動(dòng)態(tài)開(kāi)關(guān)特性第二節(jié) 二極管邏輯門(mén)電路l概念u高電平u低電平u正邏輯體制u負(fù)邏輯體制一、正與門(mén)電路正邏輯體制負(fù)邏輯體制二、正或門(mén)電路正邏輯體制負(fù)邏輯體制呢 ?三、非門(mén)電路第三節(jié) TTL邏輯門(mén)電路一、標(biāo)準(zhǔn)生產(chǎn)工藝的 TTL非門(mén)的工作原理TTL的含義: Transistor Transistor (一)輸入 VI為高電平 l(二)輸入 VI為低電平 時(shí)二、標(biāo)準(zhǔn)生產(chǎn)工藝的 TTL非門(mén)的電路結(jié)構(gòu)特點(diǎn)輸入級(jí)采用三極管以提高工作速度。采用了推拉式輸出級(jí),輸出阻抗比較小,可迅速給負(fù)載電容充放電 ,提高開(kāi)關(guān)速度和帶負(fù)載能力。三、 TTL非門(mén)的電壓傳輸特性曲線(xiàn)和從其上可以得出的電路參數(shù)(一)電壓傳輸特性曲線(xiàn)(二)從電壓傳輸特性曲線(xiàn)上可以得出的電路參數(shù)l 1.輸出高電平 VOHl 2.標(biāo)準(zhǔn)輸出高電平 VSH V OH( min) l 3.輸出低電平 VOLl 4.標(biāo)準(zhǔn)輸出低電平 VSL V OL( max) l 5.輸入高電平 VIH l 6.輸入高電平的下限 VIH( min) (開(kāi)門(mén)電平 VON )l 7.輸入低電平 VIL l 8.輸入低電平的上限 V IL( max) (關(guān)門(mén)電平 VOFF)
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