數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)-第二章--邏輯門電路基礎(chǔ)(文件)
【正文】 L門電路芯片的封裝十一、其它邏輯功能的 TTL門電路l（一） TTL正與非門l（二） TTL正或非門l（三） TTL正與或非門l（四） TTL異或門十二、集電極開路（ OC）的 TTL門電路外接上拉電阻值的計算方法 OC門上拉電阻最大值的計算 為保證 OC與非門輸出的高電平不低于高電平的下限 VOH(min)， Rp的值不能選得太大，即要保證 Rp(max)=OC門上拉電阻最小值的計算。因為，還要考慮連接輸入和輸出信號的導(dǎo)線上應(yīng)該有一定的抗干擾能力。這時所有負(fù)載電流全部流入唯一的那個處于飽和狀態(tài)的輸出級三極管 T3的集電極，輸出的低電平要低于輸出低電平的上限 V OL(max)。與非門的傳輸延遲時間 tpd是 tPHL和 tPLH的平均值。輸入低電平噪聲容限VNL＝ V OFFV OL（ max）＝ V IL（ max） V OL（ max）＝ ＝ 。（ 4）下降時間 tf—— 集電極電流從 到 。（ 2）當(dāng) vi＝ 2V時判斷三極管的狀態(tài)，并求出 iC和 vo的值。例 21 判斷圖電路中三極管的狀態(tài)，其中 Rb=2k ， RC=2k， VCC=12V， 223。 iB ICS），則三極管處于飽和狀態(tài)。（ 3）在原始電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)基礎(chǔ)上，求出三極管的基極支路中實際流動的電流 iB。假設(shè)三極管處于臨界飽和狀態(tài)（三極管既可以認(rèn)為是處于飽和狀態(tài)也可以認(rèn)為是處于放大狀態(tài)，在放大區(qū)和飽和區(qū)的交界區(qū)域，此時三極管既有飽和狀態(tài)時的特征 VCES =，又有放大狀態(tài)時的特征 IC=223。若發(fā)射結(jié)正偏，則三極管可能處于放大狀態(tài)或處于飽和狀態(tài)，需要進(jìn)一步判斷。若小于，二極管還沒有到達(dá)截止?fàn)顟B(tài)，就又必須隨輸入脈沖而導(dǎo)通，從而失去單向?qū)щ娦浴? 產(chǎn)生反向恢復(fù)過程的原因： 電荷存儲效應(yīng) 反向恢復(fù)時間 tre就是
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