模擬電子技術(shù)第一章(編輯修改稿)
2025-01-23 03:59 本頁(yè)面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 參與運(yùn)行，因此，還被稱為 雙極型晶體管 （Bipolar Junction Transistor,簡(jiǎn)稱 BJT）。 BJT是由兩個(gè) PN結(jié)組成的。模擬電子技術(shù)第一章上頁(yè) 首頁(yè) 下頁(yè)一、 BJT的結(jié)構(gòu)NPN型 PNP型符號(hào) : 三極管的結(jié)構(gòu)特點(diǎn) :（ 1）發(fā)射區(qū)的摻雜濃度＞＞集電區(qū)摻雜濃度。（ 2）基區(qū)要制造得很薄且濃度很低。N NP發(fā)射區(qū) 集電區(qū)基區(qū)發(fā)射結(jié) 集電結(jié)e cb發(fā)射極 集電極基極P PN發(fā)射區(qū) 集電區(qū)基區(qū)發(fā)射結(jié) 集電結(jié)e cb發(fā)射極 集電極基極模擬電子技術(shù)第一章上頁(yè) 首頁(yè) 下頁(yè)N型硅二氧化硅保護(hù)膜B ECN+P型硅（ a） 平面型N型鍺ECB銦 球銦 球PP+（ b）合金型模擬電子技術(shù)第一章上頁(yè) 首頁(yè) 下頁(yè) NPN 型三極管集電區(qū)集電結(jié)基區(qū)發(fā)射結(jié)發(fā)射區(qū)NN集電極 C基極 B發(fā)射極 E 再?gòu)?qiáng)化一下三極管的結(jié)構(gòu) 分類和符號(hào)PECB符號(hào)模擬電子技術(shù)第一章上頁(yè) 首頁(yè) 下頁(yè)集電區(qū)集電結(jié)基區(qū)發(fā)射結(jié)發(fā)射區(qū) CBEN集電極 C發(fā)射極 E基極 BNPPN PNP型三極管符號(hào)模擬電子技術(shù)第一章上頁(yè) 首頁(yè) 下頁(yè) UCEECRC ICCEBUBE共發(fā)射極 接法放大電路二、二、 三極管的電流分配和放大原理三極管的電流分配和放大原理三極管具有電流控制作用的外部條件 : （ 1）發(fā)射結(jié)正向偏置；（ 2）集電結(jié)反向偏置。對(duì)于 NPN型三極管應(yīng)滿足 : UBE 0UBC 0即 VC VB VE對(duì)于 PNP型三極管應(yīng)滿足 : UEB 0UCB 0即 VC VB VE輸出回路輸入回路公共端EBRBIB模擬電子技術(shù)第一章上頁(yè) 首頁(yè) 下頁(yè) 三極管在工作時(shí)要加上適當(dāng)?shù)闹绷髌秒妷?。若在放大工作狀態(tài)：發(fā)射結(jié)正偏：+UCE －＋UBE－＋UCB－集電結(jié)反偏：由 VBB保證由 VCC、 VBB保證UCB=UCE UBE 0 反偏 共發(fā)射極接法c區(qū)b區(qū)e區(qū)共發(fā)射極接法原理圖UBE0 正偏模擬電子技術(shù)第一章上頁(yè) 首頁(yè) 下頁(yè)BJT內(nèi)部的載流子傳輸過(guò)程模擬電子技術(shù)第一章上頁(yè) 首頁(yè) 下頁(yè)電流分配關(guān)系三個(gè)電極上的電流關(guān)系 : IE =IC+IB定義：(1)IC與 I E之間的關(guān)系 :所以 :其值的大小約為 ～ 。 共基直流電流放大系數(shù)模擬電子技術(shù)第一章上頁(yè) 首頁(yè) 下頁(yè)(2)IC與 I B之間的關(guān)系：聯(lián)立以下兩式 ：得：所以 ：得：令 ： 共射直流電流放大系數(shù)模擬電子技術(shù)第一章上頁(yè) 首頁(yè) 下頁(yè)IBUBE0UCE ≥ 1V死區(qū)電壓1. 三極管的輸入特性 （共發(fā)射極接法）IB = f (UBE ) UC E = 常數(shù)三、三、 三極管的特性曲線三極管的特性曲線模擬電子技術(shù)第一章上頁(yè) 首頁(yè) 下頁(yè)（ 1） uCE=0V時(shí)，相當(dāng)于兩個(gè) PN結(jié)并聯(lián)。（ 2）當(dāng) uCE=1V時(shí)， 集電結(jié)已進(jìn)入反偏狀態(tài)，開始收集電子，所以基區(qū)復(fù)合減少， 在同一 uBE 電壓下， iB 減小。特性曲線將向右稍微移動(dòng)一些。模擬電子技術(shù)第一章上頁(yè) 首頁(yè) 下頁(yè)（ 3） uCE ≥1V再增加時(shí)，曲線右移很不明顯。 死區(qū)電壓硅 鍺 導(dǎo)通壓降硅 鍺 模擬電子技術(shù)第一章上頁(yè) 首頁(yè) 下頁(yè)IB =40181。AIB =60181。AUCE 0IC IB增加IB 減小IB = 20181。AIB = 常數(shù)IC = f (UCE )2. 三極管的輸出特性模擬電子技術(shù)第一章上頁(yè) 首頁(yè) 下頁(yè)現(xiàn)以 iB=60uA一條加以說(shuō)明。 （ 1）當(dāng) uCE=0 V時(shí)，因集電極無(wú)收集作用， iC=0。（ 2） uCE ↑ → Ic ↑ 。 （ 3） 當(dāng) uCE ＞ 1V后，收集電子的能力足夠強(qiáng)。這時(shí)，發(fā)射到基區(qū)的電子都被集電極收集，形成 iC。所以 uCE再增加， iC基本保持不變。同理，可作出 iB=其他值的曲線。 1V輸出特性曲線有三個(gè)特點(diǎn)：模擬電子技術(shù)第一章上頁(yè) 首頁(yè) 下頁(yè)IC / mAUCE /V0放大區(qū)三極管輸出特性上的三個(gè)工作區(qū)域 IB= 0 181。A20181。A40 181。A截止區(qū)飽和區(qū) 60 181。A80 181。A嚴(yán)格地說(shuō)還有一個(gè)擊穿區(qū)模擬電子技術(shù)第一章上頁(yè) 首頁(yè) 下頁(yè)飽和區(qū) —— iC受 uCE顯著控制的區(qū)域，該區(qū)域內(nèi) uCE＜ V。 此時(shí)發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)也正偏。截止區(qū) —— iC接近零的區(qū)域，相當(dāng) iB=0的曲線的下方。 此時(shí)，發(fā)射結(jié)反偏，集電結(jié)反偏。放大區(qū) —— 曲線基本平行等 距。 此時(shí)，發(fā) 射結(jié)正偏，集電 結(jié)反偏。 該區(qū)中有：飽和區(qū) 放大區(qū)截止區(qū)模擬電子技術(shù)第一章上頁(yè) 首頁(yè) 下頁(yè)四、 BJT的主要參數(shù)（ 2）共基極電流放大系數(shù)： iCE△=20uA(mA)B=40uAICu=0 (V)=80uAI△BBBIBiIBI =100uACBI=60uAi一般取 20~200之間（ 1）共發(fā)射極電流放大系數(shù)：直流（靜態(tài)）交流（動(dòng)態(tài)）模擬電子技術(shù)第一章上頁(yè) 首頁(yè) 下頁(yè) （ 2）集電極發(fā)射極間的穿透電流 ICEO 基極開路時(shí)，集電極到發(fā)射極間的電流 —— 穿透電流 。其大小與溫度有關(guān)。 （ 1）集電極基極間反向飽和電流 ICBO 發(fā)射極開路時(shí)，在其集電
教學(xué)課件相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號(hào)-1