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正文內(nèi)容

年華南理工大學(xué)半導(dǎo)體物理試題(編輯修改稿)

2024-10-22 18:31 本頁面
 

【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 五、(15分)有n型Ge樣品尺寸為10180。2180。(mm3)[長(zhǎng)、寬、厚],用10mA電流沿長(zhǎng)度方向通過樣品,并在厚度方向加上103高斯磁場(chǎng),測(cè)得此時(shí)的霍爾電壓為4mV。試求樣品的霍爾系數(shù)?已知電子遷移率為3900cm2/,求樣品的電阻率?六、(15分)試求本征硅室溫時(shí)本征費(fèi)米能級(jí)的實(shí)際位置?若給本
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