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年華南理工大學半導體物理試題(文件)

2025-10-13 18:31 上一頁面

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【正文】 ],用10mA電流沿長度方向通過樣品,并在厚度方向加上103高斯磁場,測得此時的霍爾電壓為4mV。1016/cm3,求單位面積的平帶電容CFB (300 K下) (e0=180。第 2 頁。八、(20分)請定性畫出理想情況下P型半導體形成MOS結(jié)構(gòu)的高頻CV特性曲線,并對此變化規(guī)律進行定性
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