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年華南理工大學(xué)半導(dǎo)體物理試題(存儲版)

2024-10-24 18:31上一頁面

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【正文】 解釋。1016/cm3,求單位面積的平帶電容CFB (300 K下) (e0=180。三、(15分)試用能帶圖描述金屬與N型半導(dǎo)體接觸的主要接觸類型,并給予適當(dāng)解釋;形成良好歐姆接觸的兩種基本方法是什么?(不考慮表面態(tài)的影響)四、(15分)光照射在一n型Si半導(dǎo)體樣品,設(shè)光被樣品內(nèi)部均勻吸收產(chǎn)生非
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