聚焦離子束報(bào)告(編輯修改稿)
2025-09-01 15:55 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 晶體管及其連線，線路系統(tǒng)中難免會(huì)有疏漏差錯(cuò)，電路設(shè)計(jì)一旦變成實(shí)際的芯片就無法再改變。運(yùn)用 FIB的 濺射與沉積 功能，可以將某一處的連線斷開，或?qū)嚅_的部分連接起來。 圖 合肥工業(yè)大學(xué) 儀器科學(xué)與光電工程學(xué)院 修復(fù)光刻掩膜缺陷 ? 掩模缺陷主要有兩大類：遮光缺陷與透光缺陷。這些缺陷在集成電路曝光過程中會(huì)轉(zhuǎn)移到硅片上變成電路缺陷，最終導(dǎo)致集成電路失效。 FIB修補(bǔ)遮光缺陷的原理就是離子濺射 。 圖 合肥工業(yè)大學(xué) 儀器科學(xué)與光電工程學(xué)院 制作透射電鏡樣品 圖 TEM樣品 ? 無論 TEM還是 STEM都需要制作非常薄的樣品，以便電子穿透樣品，形成電子衍射圖像。利用FIB 從兩個(gè)方向 濺射 ，中間留一個(gè)薄區(qū)域即可實(shí)現(xiàn)，圖示為 TEM觀察到的樣品 ,厚度為 100nm。 合肥工業(yè)大學(xué) 儀器科學(xué)與光電工程學(xué)院 多用途微切割工具 圖 圖 刀具的 SEM照片 ? 右圖示銑削微刀具的實(shí)驗(yàn)平臺(tái)，雙束系統(tǒng)，離子束工作電壓 5～ 30kV，電流 1pA～ 20nA，離子束最小直徑 5nm。 ? 樣品臺(tái)參數(shù)： x、 y、 z軸方向上的運(yùn)動(dòng)范圍為
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