半導(dǎo)體hgs在高壓下的電子結(jié)構(gòu)和能帶結(jié)構(gòu)。黃海鋒(編輯修改稿)
2024-08-31 14:42 本頁(yè)面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 總能對(duì)于電子密度分布的這樣一個(gè)泛函。因此Hohenberg和Kohn基于他們的非均勻電子氣理論，提出了如下兩個(gè)定理：定理1 不計(jì)自旋的全同費(fèi)密子系統(tǒng)的基態(tài)能量是粒子數(shù)密度函數(shù)的唯一泛函。定理2 能量泛函在粒子數(shù)不變的條件下，對(duì)正確的粒子數(shù)密度函數(shù)取極小值，并等于基態(tài)能量[2,3]。這里所處理的基態(tài)是非簡(jiǎn)并的，多電子體系Hamilton量分開寫做動(dòng)能部分、多電子系統(tǒng)相互作用部分和多電子系統(tǒng)之外的外場(chǎng)部分: ()則HohenbergKohn定理證明體系總能存在對(duì)基態(tài)電子密度分布函數(shù)的泛函形式:HgS光學(xué)性質(zhì)研究理論及計(jì)算方法 研究半導(dǎo)體HgS光學(xué)性質(zhì)的重要意義半導(dǎo)體的光學(xué)性質(zhì)是半導(dǎo)體物理性質(zhì)最重要的內(nèi)容之一，半導(dǎo)體的光學(xué)性質(zhì)及其基本的光學(xué)函數(shù)在半導(dǎo)體材料和器件的應(yīng)用中具有重要作用。HgS是重要的IIB族化合物半導(dǎo)體材料之一，其在電儀器、半導(dǎo)體激光器、發(fā)光二極管、抗輻射太陽(yáng)能電池以及異質(zhì)結(jié)晶體管等許多高技術(shù)領(lǐng)域有廣泛應(yīng)用，所以各技術(shù)先進(jìn)國(guó)家都普遍加強(qiáng)了對(duì)半導(dǎo)體HgS材料的重視程度。 固體中的光吸收 半導(dǎo)體的帶隙光照可以激發(fā)價(jià)帶的電子到導(dǎo)帶，形成電子空穴對(duì)，這個(gè)過程稱為本征光吸收，本征光吸收光子能量應(yīng)滿足 ()或者 ()其中為光波的波長(zhǎng)，由此可以知道，存在一個(gè)長(zhǎng)波限 ()此波長(zhǎng)叫做本征吸收邊。在本征吸收邊的光躍遷有兩種類型。第一種類型對(duì)應(yīng)于導(dǎo)帶底和價(jià)帶頂在空間相同點(diǎn)的情況，電子吸收光子自價(jià)帶狀態(tài)躍遷到導(dǎo)帶態(tài)時(shí)，除了必須滿足能量守恒外，還必須符合準(zhǔn)動(dòng)量守恒的選樣定則，即光子動(dòng)量 ()由于本征吸收光子的波矢為，而在能帶中布里淵區(qū)的尺度為（2），數(shù)量級(jí)是，所以，光吸收的躍遷選擇定則可以近似寫為：=
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