金屬和半導體的接觸(編輯修改稿)
2025-09-01 16:17 本頁面
【文章內容簡介】 (Vs0十 V)，因而半導體一邊的電子勢壘高度由 qVs0 改變?yōu)?q(Vs0十 V)下降 ，形成從金屬到半導體的正向凈電流，它是由 n型半導體中多數(shù)載流子構成的。外加電壓越高，勢壘下降越多正向電流越大。 如外加反向電壓 (即 V＜ 0），勢壘增高，金屬到半導體的電子流占優(yōu)勢，形成由半導體到金屬的反向凈電流。由于金屬中的電子要越過相當高的 q?ns才能到達半導體中，因此反向電流很小。因金屬一邊的勢壘不隨外加電壓變化，所以從金屬到半導體的電子流是恒定的。 當反向電壓進一步提高，使半導體到金屬的電子流可以忽略不計時，反向電流將趨于飽和值。所以這樣的阻擋層具有類似 pn結的伏 — 安特性，即有整流作用。 Rectification Theory of MetalSemiconductor Contact qVD=q(Vs)0 nsq?0JJJ smms ??? ? ??? ??凈電流xd Rectification Theory of MetalSemiconductor Contact 加上正向電壓（金屬一邊為正）時： 加上反向電壓 (金屬一邊為負 )時： p型阻擋層的討論完全類似 ， 不同的是這里 (Vs)0＞ 0， 正反向電壓的極性與 n型阻擋層相反 。 當 V＜ 0， 即金屬加負電壓時 ， 形成從半導體流向金屬的正向電流；當 V＞ 0， 即金屬加正電壓時 ， 形成反向電流 。 無論是哪種阻擋層 ， 正向電流都相 應等于多數(shù)載流子由半導體到金屬所形成的電流 。 以上定性的說明了金屬半導體接觸整流理論 ， 下面根據(jù)擴散和熱電子發(fā)射理論定量討論 整流理論 （ 1）擴散理論 xdLn時 （ 2）熱電子發(fā)射理論 xdLn時 （ 1）擴散理論 n型阻擋層，當勢壘的寬度比電子的平均自由程大得多時 (xd
環(huán)評公示相關推薦
鄂ICP備17016276號-1