金屬和半導體的接觸(文件)
【正文】 ctor Contact 加上正向電壓（金屬一邊為正）時： 加上反向電壓 (金屬一邊為負 )時： p型阻擋層的討論完全類似 ， 不同的是這里 (Vs)0＞ 0， 正反向電壓的極性與 n型阻擋層相反 。計算通過勢壘的電流時，必須同時考慮漂移和擴散運動。 考慮半導體是均勻摻雜的，那么耗盡層中的電荷密度是均勻且等于 qND 勢壘高度 qVDk0T時，勢壘區(qū)內(nèi)的載流子濃度～ 0 ? ?? ?? ?1xx0xx0qNddD? ????????????? ?2022? ???????rdxVd代入泊松方程? ?30qN0D22? ????????? ??rdxVd即 勢壘區(qū)的電勢分布 ：半導體內(nèi)電場為零，E(xd)=0；取金屬費米能級位置為零電位， 則V(0)=－ ?ns； 則邊界條件為： E(xd)=0 V(0)=－ ?ns； ? ? ? ?? ? ? ??????? ????? ??????4030nsxxdVdxdVxEd?利用邊界條件ns?VD n?? ? ? ? ? ?? ?0205162DdrDd d n srqNdVE x x xdxqNV x x x??????? ? ? ? ?????????? ? ? ?????? ???積 分 得 到Rectification Theory of MetalSemiconductor Contact
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