【摘要】半導(dǎo)體的發(fā)現(xiàn)與起源(~1900)在二十世紀(jì)的近代科學(xué),特別是量子力學(xué)發(fā)展知道金屬材料擁有良好的導(dǎo)電與導(dǎo)熱特性,而陶瓷材料則否,性質(zhì)出來之前,人們對于四周物體的認識仍然屬于較為巨觀的瞭解,那時已經(jīng)介于這兩者之間的,就是半導(dǎo)體材料。英國科學(xué)家法拉第(MIChaelFaraday,1791~1867),在電磁學(xué)方面擁有許多貢獻,為人所知的,則是他在1833年發(fā)現(xiàn)的其中一種半
2025-04-04 02:20
【摘要】微電子學(xué)概論第二章半導(dǎo)體物理與器件(SemiconductorPhysicsAndDevice)?《半導(dǎo)體物理學(xué)》劉恩科等著國防工業(yè)出版社?《半導(dǎo)體物理學(xué)》葉良修高等教育出版社?《半導(dǎo)體物理與器件》(第3版)(美)DonaldA.Neamen著,趙毅強等譯
2025-07-20 05:07
【摘要】1第五章非平衡載流子處于熱平衡狀態(tài)的半導(dǎo)體,在一定溫度下,載流子濃度是一定的。這種處于熱平衡狀態(tài)下的載流子濃度稱為平衡載流子濃度。在非簡并情況下,電子、空穴濃度的乘積為:2000expigvcnTkENNpn???????????該式說明,在一定溫度下,任何
2025-01-13 12:28
【摘要】第5章載流子輸運現(xiàn)象本章學(xué)習(xí)要點:1.掌握載流子漂移運動的機理及其電流密度;掌握遷移率、電導(dǎo)率、電阻率的概念及影響因素;2.掌握載流子擴散運動的機理及其電流密度;掌握擴散系數(shù)的概念;3.掌握愛因斯坦關(guān)系;了解半導(dǎo)體材料中非均勻摻雜帶來的影響;4.了解半導(dǎo)體材
2025-05-06 12:47
【摘要】霍爾效應(yīng)如圖4.3所示,若沿x方向通以電流密度jx,沿垂直于電流的方向z方向施加磁場Bz,那么在垂直于電流和磁場的y方向上將出現(xiàn)橫向電場.這個效應(yīng)稱為霍爾效應(yīng).實驗表明,在弱場范圍內(nèi),橫向電場正比于電流密度和磁場強度:Ey=RjxBz(4-1-14)比例常數(shù)
2024-10-09 15:44
【摘要】粒子物理學(xué)基礎(chǔ)王淦昌先生李文鑄先生汪容先生王凎昌先生和汪容先生粒子物理學(xué)?物質(zhì)的基本組成?物質(zhì)間的基本相互作用?物質(zhì)運動的基本規(guī)律二十世紀(jì)的主要成就?相對論與時空觀念狹義相對論,高速運動粒子廣義相對論,引力理論,宇宙學(xué)
2025-08-01 13:44
【摘要】試卷結(jié)構(gòu):一、選擇題(每小題2分,共30分)二、填空題(每空2分,共20分)三、簡答題(每小題10分,共20分)四、證明題(10分)(第六章)五、計算題(20分)(第五章)§鍺和硅的晶體結(jié)構(gòu)特征金剛石結(jié)構(gòu)的基本特征(重點)§半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)和能帶電子共有化運動概念:原子組成晶體后,由于電子殼層的交疊,電子不再完全局限在某一
2025-06-07 16:48
【摘要】溶膠-凝膠技術(shù)Sol-Geltechnique一、溶膠-凝膠法的基本概念和特點二、溶膠-凝膠法采用的原料三、溶膠-凝膠過程的主要反應(yīng)四、溶膠-凝膠法制備薄膜及涂層材料一、溶膠-凝膠法的基本概念和特點溶膠-凝膠法基本名詞術(shù)語(precursor):所用的起始原料。(metal
2025-08-15 20:59
【摘要】學(xué)業(yè)分層測評知識點一知識點二6.核聚變7.粒子物理學(xué)簡介(選學(xué))學(xué)習(xí)目標(biāo)知識脈絡(luò)1.知道聚變反應(yīng),關(guān)注受控聚變反應(yīng)研究的進展.2.通過核能的利用,思考科學(xué)技術(shù)與社會進步的關(guān)系.3.初步了解粒子物理學(xué)的基礎(chǔ)知識.
2024-11-10 23:01
【摘要】1科學(xué)與物理學(xué)張永德?西方近代科學(xué)?科學(xué)中的物理學(xué)2(一)西方近代科學(xué)3I)近代科學(xué)的本質(zhì)?數(shù)理化,生地天,計算機,原子彈,鐵公機,┅。全體近代科學(xué)的本質(zhì)可以歸納為:邏輯實證主義(實驗驗證+邏輯體系)??實驗驗證?
2025-09-19 17:03
【摘要】一、填充題1.兩種不同半導(dǎo)體接觸后,?費米能級較高的半導(dǎo)體界面一側(cè)帶正電達到熱平衡后兩者的費米能級相等。2.半導(dǎo)體硅的價帶極大值位于空間第一布里淵區(qū)的中央,其導(dǎo)帶極小值位于【100】,因此屬于間接帶隙半導(dǎo)體。3.晶體中缺陷一般可分為三類:點缺陷,如空位間
2025-01-14 18:45
【摘要】半導(dǎo)體物理習(xí)題解答(河北大學(xué)電子信息工程學(xué)院席礪莼)1-1.(P32)設(shè)晶格常數(shù)為a的一維晶格,導(dǎo)帶極小值附近能量Ec(k)和價帶極大值附近能量Ev(k)分別為:Ec(k)=+和Ev(k)=-;m0為電子慣性質(zhì)量,k1=1/2a;a=。試求:①禁帶寬度;②導(dǎo)帶底電子有效質(zhì)量;③價帶頂電子有效質(zhì)量;④價帶頂電子躍遷到導(dǎo)帶底時準(zhǔn)動量的變化。[解]①禁帶寬度
2025-01-14 18:50
2025-06-07 17:02
【摘要】半導(dǎo)體化學(xué)Doctor湯LatticePower(Jiangxi)Corporation1什么是半導(dǎo)體化學(xué)?研究半導(dǎo)體材料的制備、分析以及半導(dǎo)體器件和集成電路生產(chǎn)工藝中的特殊化學(xué)問題的化學(xué)分支學(xué)科。LatticePower(Jiangxi)Corporation半導(dǎo)體材料?元素半導(dǎo)體,如硅(Si)、鍺
2025-08-01 17:58
【摘要】第一節(jié)半導(dǎo)體中量子躍遷的特點半導(dǎo)體中與光有關(guān)的量子(電子或空穴)躍遷主要發(fā)生在導(dǎo)帶與價帶之間。受激吸收之后出現(xiàn)電子-空穴對光電導(dǎo)、光探測器原理。?h半導(dǎo)體
2024-10-14 17:16