半導(dǎo)體物理學(xué)--預(yù)覽頁(yè)
【正文】 的周期性完全一致 。 Semiconductor Physics Chapter 1 單胞是以格點(diǎn)為頂點(diǎn) ， 以三個(gè)獨(dú)立方向上的周期為邊長(zhǎng)構(gòu)成的平行六面體 ，它是晶體中的一個(gè)小體積 ，一個(gè)周期性重復(fù)的區(qū)域 。 Semiconductor Physics Chapter 1 每個(gè)原胞只能包含一個(gè)基元 ， 即一個(gè)布拉伐格點(diǎn) ，且該布拉伐格點(diǎn)只能在原胞的頂角上 ， 體心和面心不能有布拉伐格點(diǎn) 。 Semiconductor Physics Chapter 1 NaCl 晶體的單胞通常選擇圖示立方體 Na+ Cl a b c Semiconductor Physics Chapter 1 現(xiàn)在計(jì)算單胞中含多少個(gè)布拉伐格點(diǎn) 。 Semiconductor Physics Chapter 1 由此可知，一個(gè)單胞中布拉伐格點(diǎn)的平均數(shù)為： 4818216 ????Semiconductor Physics Chapter 1 就是說 ， 面心立方體單胞 ，包含四個(gè)布拉伐格點(diǎn) 。 a b c a1 a2 a3 Semiconductor Physics Chapter 1 Semiconductor Physics Chapter 1 原胞中 ， 因?yàn)楦顸c(diǎn)都在頂角上 ， 所以每個(gè)原胞中平均只包含 —個(gè)格點(diǎn) 。 Semiconductor Physics Chapter 1 a b c Semiconductor Physics Chapter 1 原基矢量是支揮起原胞的三個(gè)獨(dú)立矢量，通常表為 a1， a2， a3 。 Semiconductor Physics Chapter 1 引入上述這些概念后，晶體內(nèi)部結(jié)構(gòu)的周期性，可以這樣來(lái)描述： 各個(gè)原胞中的點(diǎn)，原子排列情況是相同的。 Semiconductor Physics Chapter 1 再?gòu)?qiáng)調(diào)一次，布拉伐格子不是晶體。 Semiconductor Physics Chapter 1 14 種不同類型的布拉伐格子 (1) 簡(jiǎn)單三斜 (2) 簡(jiǎn)單單斜 (3) 底心單斜 (4) 簡(jiǎn)單正交 (5) 底心正交 (6) 體心正交 (7) 面心正交 (8) 簡(jiǎn)單正方 (9) 體心正方 （ 10） 簡(jiǎn)單立方 (11) 體心立方 (12) 面心立方 （ 13） 三角 （ 14） 六角 Semiconductor Physics Chapter 1 Semiconductor Physics Chapter 1 表中，按單胞形式將 14 種布拉伐格子分成七大晶系 所謂單胞形式指的是晶系的劃分均以支撐起單胞的三個(gè)基矢量 a， b， c 的相對(duì)長(zhǎng)度和它們之間的夾角作標(biāo)志。≠β 簡(jiǎn)單單斜 底心單斜 Semiconductor Physics Chapter 1 正交晶系 單胞基矢量的特征 a≠b≠c ； α=β=γ=90 186。 ≠ 90 186。 Semiconductor Physics Chapter 1 Semiconductor Physics Chapter 1 Semiconductor Physics Chapter 1 Semiconductor Physics Chapter 1 立方體底面上原子排列的投影圖 Semiconductor Physics Chapter 1 凡原子排列情況和金剛石相同的晶體屬于金剛石結(jié)構(gòu)。 Semiconductor Physics Chapter 1 碳、硅和鍺都是第 IV 族元素，每個(gè)原子有四個(gè)價(jià)電子，近鄰原子的價(jià)電子形成共價(jià)鍵，每個(gè)共價(jià)鍵包含兩個(gè)自旋相反結(jié)成一對(duì)的電子。 晶體中，原子排列成的直線稱 晶列 Semiconductor Physics Chapter 1 111面 100面 110面 立方體晶格的三個(gè)常見晶面 Semiconductor Physics Chapter 1 密勒指數(shù) （ Miller Indices ） 通過液相還是汽相生長(zhǎng)晶體時(shí)，生成的原子相對(duì)于可選的有效位臵，呈現(xiàn)在某種優(yōu)先位臵上定位的趨向，便形成了宏觀上的晶面。某平面的密勒指數(shù)就是被規(guī)定為與三個(gè)截距倒數(shù)之比相同的三個(gè)最小整數(shù)： Semiconductor Physics Chapter 1 zyx mmmlkh1:1:1:: ?z x y 平面與三個(gè)坐標(biāo)軸的截距分別是 3和 2，于是該平面的密勒指數(shù)便是 2 和 3，這個(gè)面便標(biāo)作 （ 623） 面 。 [110] 。 Semiconductor Physics Chapter 1 晶體中存在的不完整性 ，將嚴(yán)重影響晶體的物理性質(zhì) 。 Semiconductor Physics Chapter 1 空位和間隙原子是典型的點(diǎn)的不完整性，它們成對(duì)出現(xiàn)，這種點(diǎn)缺陷稱 費(fèi)侖克爾缺陷 。 單晶中 ， 由于應(yīng)力作用 ，面間距較大的晶面之間可以發(fā)生滑移 ， 引起晶體范件形變 。 Semiconductor Physics Chapter 1 Semiconductor Physics Chapter 1
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