半導(dǎo)體中的雜質(zhì)和缺陷(編輯修改稿)
2025-06-17 20:52 本頁(yè)面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 222oHohrnmq???玻爾原子電子的運(yùn)動(dòng) 軌道半徑 為： n=1為基態(tài)電子的運(yùn)動(dòng)軌跡 42228onomqEhne=氫原子中的電子的電離能為 E0= 玻爾能級(jí)： 玻爾原子模型 類氫模型： 計(jì)算束縛電子或空穴運(yùn)動(dòng)軌道半徑及電離能 22*2ro hrnmq????運(yùn)動(dòng)軌道半徑： 4* 4 * *02 2 2 2 2 2 21188or o o r o o rmqm q m mEEh m h m? ? ? ? ?? ? ? ?電離能： 對(duì)于 Si中的 P原子，剩余電子的運(yùn)動(dòng)半徑約為 197。： Si: a= 剩余電子本質(zhì)上是在晶體中運(yùn)動(dòng) Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si P Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si 1222???qmhroo??12)( ?Sir? * ?Si： r= 施主能級(jí)靠近導(dǎo)帶底部 100,16,12 2 ??? rr Ger S i ???** 000 .2 6 , 0 .1 2e S i e G em m m m==對(duì)于 Si、 Ge摻 P Ec Ev ED *021eDormEEm ???eVE SiD , ??eVE GeD , ??估算結(jié)果與實(shí)測(cè)值有相同的數(shù)量級(jí) *021PAormEEm ?? ? ?? ? 0. 04 A SiE e V??對(duì)于 Si、 Ge摻 B ? ? 0. 01 A GeE e V??Ec Ev EA Ec ED 電離施主 電離受主 Ev 5. 雜質(zhì)的補(bǔ)償作用 (1) ND＞ NA 半導(dǎo)體中同時(shí)存在施主和受主雜質(zhì)，施主和受主之間有互相抵消的作用 此時(shí)半導(dǎo)體為 n型半導(dǎo)體 有效施主濃度 n=NDNA EA Ec ED EA Ev 電離施主 電離受主 (2) NDNA 此時(shí)半導(dǎo)體為 p型半導(dǎo)體 有效受主濃度 p=NA ND (3) ND≈NA 雜質(zhì)的高度補(bǔ)償 Ec ED EA Ev 本征激發(fā)產(chǎn)生的導(dǎo)帶電子 本征激發(fā)產(chǎn)生的價(jià)帶空穴 6. 深雜質(zhì)能級(jí) 根據(jù)雜質(zhì)能級(jí)在禁帶中的位置，雜質(zhì)分為： 淺能級(jí)雜質(zhì) → 能級(jí)接近導(dǎo)帶底Ec或價(jià)帶頂 Ev， 電離能很小 深能級(jí)雜質(zhì) → 能級(jí)遠(yuǎn)離導(dǎo)帶底Ec或價(jià)帶頂 Ev，電離能較大 EC ED EV EA Eg EC EA EV ED Eg gD EE ??? gA EE ???例： 在 Ge中摻 Au 可產(chǎn)生 3個(gè)受主能級(jí)， 1個(gè)施主能級(jí) Au的電子組態(tài)是： 5s25p65d106s1 Au Ge G
高考資料相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號(hào)-1