金屬和半導(dǎo)體的接觸(編輯修改稿)
2025-05-29 06:00 本頁(yè)面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 流過(guò)勢(shì)壘區(qū) V0,半導(dǎo)體一側(cè)勢(shì)壘降 ——電流：金屬 → 半導(dǎo)體（電子：半導(dǎo)體 → 金屬） 且 隨 V增而電流增 V0,半導(dǎo)體一側(cè)勢(shì)壘增 ——電流：半導(dǎo)體 → 金屬（電子：金屬 → 半導(dǎo)體） 但 隨 V增而電流變化小 ← 金屬一邊勢(shì)壘不隨外加電壓變化 ——即 阻擋層具有類(lèi)似 pn結(jié)的整流作用 外加偏壓對(duì) n型阻擋層的能帶圖 Vf=0 Vf0 Vr0 一、擴(kuò)散理論 ? 同時(shí)考慮勢(shì)壘區(qū)擴(kuò)散和漂移電流 ——適用于勢(shì)壘寬度 電子平均自由程 電子通過(guò)勢(shì)壘區(qū)要發(fā)生多次碰撞 金屬半導(dǎo)體接觸整流理論 2 金屬半導(dǎo)體接觸整流理論 3 主要取決于 x=0附近的電勢(shì)值 1 金屬半導(dǎo)體接觸整流理論 4 平衡態(tài)近似 :x=0處電子和金屬近似處于平衡態(tài)； n(0)近似為平衡時(shí)電子濃度 JSD隨電壓變化 ——反向電流密度 不飽和 適用于勢(shì)壘寬度 電子平均自由程 ——小遷移率 半導(dǎo)體，如氧化亞銅 金屬半導(dǎo)體接觸整流理論 5 隨電壓而變化，并不飽和 二、熱電子發(fā)射理論 金屬半導(dǎo)體接觸整流理論 6 ——適用于勢(shì)壘寬度 電子平均自由程 電子在勢(shì)壘區(qū)碰撞忽略， 勢(shì)壘高度起決定作用 電流的計(jì)算歸結(jié)為 計(jì)算超越勢(shì)壘載流子數(shù)目 ) 即為 速度空間 單位體積中的電子數(shù) 則單位體積中 E~(E+dE)范圍內(nèi)的電子數(shù)為 金屬半導(dǎo)體接觸整流理論 7 實(shí)空間單位體積，速度空間電子的分布 實(shí)空間單位面積，單位時(shí)間，速度 vx(0)的電子都可以到達(dá)金半界面，其數(shù)目為 可以越過(guò)勢(shì)壘電子的能量要
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