金屬和半導體的接觸(已改無錯字)
2023-06-02 06:00:27 本頁面
【正文】 求 電流密度 金屬半導體接觸整流理論 8 － 半導體到金屬 的電子流依賴于電壓 有效理查遜常數(shù) 金屬半導體接觸整流理論 9 － 金屬到半導體 的電子流基本不依賴于電壓 ? 總電流密度 J m→ s：常數(shù) 熱平衡條件下 JST與外加電壓無關，但強烈依賴于溫度 Ge、 Si、 GaAs有較高遷移率，較大平均自由程 ,其電流輸運機構是多數(shù)載流子的熱電發(fā)射 金屬半導體接觸整流理論 10 三、鏡像力和隧道效應的影響 ? 鏡像力影響 電子總電勢能 鏡像力 鏡像勢能 無鏡像力電勢 鏡像力所引起勢壘降低量隨反向偏壓的增加而增加 ——反向漏電流不飽和 ——金屬外面的電子在金屬表面感應出正電荷；電子所受到感應電荷的作用，相當于金屬體內與電子等距離位置等量正電荷的作用 金屬半導體接觸整流理論 11 ? 隧道效應影響 臨界厚度 xc 隧道效應所引起勢壘降低量隨反向偏壓的增加而增加 ——反向漏電流隨反向偏壓增加 考慮隧道效應，電子穿透的概率與 能量 和 勢壘厚度 (xd)有關。 電子能量一定， xdxc，電子直接通過 ——相當于勢壘降低了 四、肖特基勢壘二極管 (SBD) ——利用金 半整流接觸特性制成的二極管 金屬半導體接觸整流理論 12 ? 與 pn結二極管異同 相同點： 都具有單向導電性 ——SBD主要應用于高速集成電路、微波技術等領域 不同點： 作業(yè) 課后習題 8 第七章 金屬和半導體的接觸 施主濃度 ND=10 16cm3的 n型 G
教學課件相關推薦
鄂ICP備17016276號-1