3d封裝的發(fā)展動(dòng)態(tài)與前景(編輯修改稿)
2024-07-26 10:16 本頁(yè)面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 片的MCP，芯片厚度40μm，芯片間中介層厚度40μm，采用這種8個(gè)芯片堆疊的存儲(chǔ)器，使過去1Gb存儲(chǔ)器占用的電路板現(xiàn)在能容納1GB的存儲(chǔ)器。[4]ST微電子還推出超薄窄節(jié)距雙芯片堆疊的UFBGA，采用BGA工藝處理只有正常圓片厚度的1/4，金絲球焊高度也降至40μm。該公司通常的MCP是堆疊2～4個(gè)不同的類型的存儲(chǔ)器芯片，如SRAM，閃存或DRAM。ST微電子于2004年推出4片堆疊的LFBGA，。[5]MCP內(nèi)存在日本、韓國(guó)的手機(jī)、數(shù)碼相機(jī)和便攜式游戲機(jī)中被廣泛采用。如三星電子向索尼便攜式Play Station游戲機(jī)提供容量64Mb的雙片堆疊 MCP，它含256Mb NAND閃存和256Mb DDR DRAM，還向索尼數(shù)碼相機(jī)提供內(nèi)存MCP，它含移動(dòng)DRAM＋NOR閃存，移動(dòng)DRAM＋one NAND閃存，國(guó)外已推出用于3G手機(jī)的8個(gè)芯片堆疊的MCP，其尺寸為11mm14mm，它含2片1Gb NAND閃存，2片256Mb NOR閃存、2片256Mb移動(dòng)DRAM、1片128Mb Ut RAM和1片64Mb Ut RAM。參與芯片堆疊技術(shù)的公司還有Matrix、Tezzaron和IrVine Sensors等公司。至2004年底Matrix已交付100萬(wàn)塊3D封裝的一次性可編程非易失性存儲(chǔ)器， Media Card封裝，密度達(dá)64MB。 芯片堆疊的互連[2]從圖1可知，芯片間的互連是采用金絲球焊的方式來完成的，這要求金絲球形成高度必須小于75μm當(dāng)多個(gè)芯片堆疊時(shí)，對(duì)金絲球焊的要求更高，即要求金絲球焊的高度更低。IMEC、FraunhofeBerlin和富士通等公司聯(lián)合推出聚合物中芯片工藝，它不采用金絲球焊，而采用硅垂直互連的直接芯片/圓片堆疊，將芯片減薄后嵌入到薄膜或聚合物基中，見圖2。它的關(guān)鍵技術(shù)是：①通孔，采用DRIE（深反應(yīng)離子刻蝕）制備硅孔，如采用SF6快速刻蝕硅，在多工藝部的各向
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