對惰性電子對效應產生的原因的理解(編輯修改稿)
2025-07-15 12:59 本頁面
【文章內容簡介】 、電子數(shù)增大遠強于半徑增大趨勢，這也是電子受核場引力較大因素之一。(5) 由于該族元素的氧化值已為+3，其中核電荷數(shù)大于電子數(shù)，即正電荷數(shù)大于負電荷數(shù)，從而進一步增強了核場對電子的引力，這是該族元素在此氧化態(tài)下，自上而下漸趨穩(wěn)定的又一原因。(6) 由表2可以看出，VA族元素原子的最外層電子排布為ns2np3，由于s軌道全滿，P軌道半滿，應屬一相對穩(wěn)定狀態(tài)(設其為穩(wěn)態(tài)I)。當其氧化值為+3時，s軌道全滿，p軌道全空，則形成一新的相對穩(wěn)定狀態(tài)(設其為穩(wěn)態(tài)Ⅱ)。由于此時正電荷數(shù)大于負電荷數(shù)，異性電荷引力增大，該狀態(tài)下其半徑相對于原子半徑均有減小，所以，穩(wěn)態(tài)Ⅱ強于穩(wěn)態(tài)Ⅰ。因此，顯得ns2電子較為“惰性”。綜析上述因素，從“結構”角度來討論“惰性電子對效應”，可以看出，在正電核數(shù)大于負電核數(shù)的情況下，該族元素自上而下由于(n1)d及(n2)f電子的填充，使鉆穿效應大于屏蔽效應，整體效果是異性電荷引力的增大趨勢大于原子半徑的增大趨勢，最終產生了“惰性電子對效應”。2 熱力學原理 干態(tài)下離子化合物圖1 BornHaber循環(huán)以ⅡB元素Zn、Gd、Hg形成氧化物為例，從能量因素進行粗略的分析:由BornHaber循環(huán)來計算（圖1）:△fHo=S+(I1+I2)+1/2D+EA+U 上述數(shù)據說明了干態(tài)下ⅡB元素氧化物隨原子序數(shù)的遞增，其穩(wěn)定性逐漸減小。表3 IIB元素的有關熱力學數(shù)據(KJ / mol1)熱力學數(shù)據ZnGdHg升華熱(S)13111262電離能(I1 + I2 )265825142833離解能(1/2D)249249249電子親合能(Ea )134134134晶格能(U) 3499 3247 3350MO(s)標準生成熱(ΔH fo) 327 238 72 干態(tài)下共價化合物表4列出了砷分族和鍺分族氟化物的單鍵平均鍵能表4 砷分族和鍺分族氟化物的單鍵平均鍵能 (KJ / mol1)元素MF(MF5)MF(MF3)元素MF(MF4)MF(MF2)As406484Ge452481Sb402440Sn414481Bi
環(huán)評公示相關推薦
鄂ICP備17016276號-1