第三章半導體中載流子的統(tǒng)計分布布置作業(yè)解答(編輯修改稿)
2025-07-13 15:28 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 (II),則聯(lián)立（I）（II）可解得：1施主濃度為的n型Si,計算400K時本征載流子濃度、多子濃度、少子濃度和費米能級的位置。解：由P77圖37可查得：T=400K時，本征載流子濃度n型Si處于過渡區(qū)，雜質(zhì)全部電離，且，說明該n型Si是非簡并半導體，且本征激發(fā)不可忽略。電中性方程為： (I)又有 (II)反雙曲正弦函數(shù)：數(shù)值可解得：過渡區(qū)，費米能級公式：％P83 (358)式。1摻磷的n型Si，已知磷的電離能為，求室溫下雜質(zhì)一半電離時費米能級的位置和磷的濃度。解：雜質(zhì)一半電離時，即電子占據(jù)施主雜質(zhì)能級（未電離）的概率：即： %P78 (335)式 (*)又 代入（*）式得：?！厩罅椎臐舛取恳驗?所以該摻P的n型Si是非簡并半導體。室溫下，當雜質(zhì)電離一半時，本征激發(fā)還未開始（可忽略），電中性方程為 (I) 又 (II) %P74 (319)式聯(lián)立（I）(II)得： （III）查表32得，代入（III）式得：1摻有濃度為砷原子和銦原子的Ge材料，分別計算（1）300K(2)600K時費米能級的位置及多子和
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