氧化硅薄膜制備ppt課件(編輯修改稿)
2025-06-08 12:20 本頁(yè)面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 009～ 1. 4連續(xù)可調(diào)、結(jié)構(gòu)可控的 SiO 2 納米網(wǎng)絡(luò)。但是 SiO 2 減反射膜 (即增透膜 ) 往往不具有疏水的性能 , 受空氣中潮氣的影響 , 使用壽命較短。經(jīng)過(guò)改進(jìn) , 以正硅酸乙酯 (TEO S) 和二甲基二乙氧基硅烷 (DDS) 2 種常見(jiàn)的物質(zhì)為原料 , 通過(guò)二者的共水解 2縮聚反應(yīng)向 SiO 2 網(wǎng)絡(luò)中引入疏水的有機(jī)基團(tuán) —— CH3, 由此增加膜層的疏水性能。同時(shí) , 通過(guò)對(duì)體系溶膠 2凝膠過(guò)程的有效控制 , 使膜層同時(shí)具有良好的增透性能及韌性。此外 , 在制備多孔SiO 2 膜時(shí)添加聚乙二醇 (PEG) 可加強(qiáng)溶膠顆粒之間的交聯(lián) , 改善 SiO 2 膜層的機(jī)械強(qiáng)度 , 有利于提高抗激光損傷強(qiáng)度。 液相沉積法 ? 在化學(xué)沉積法中 , 使用溶液的濕化學(xué)法因需要能量較小 , 對(duì)環(huán)境影響較小 , 在如今環(huán)境和能源成為世人矚目的問(wèn)題之時(shí)備受歡迎 , 被稱(chēng)為 sof t2p rocess (柔性過(guò)程 )。近年來(lái)在濕化學(xué)法中發(fā)展起一種液相沉積法 (L PD) , SiO 2 薄膜是用 L PD 法最早制備成功的氧化物薄膜。通常使用 H2SiF6 的水溶液為反應(yīng)液 , 在溶液中溶入過(guò)飽和的 SiO 2 (以 SiO 硅膠或硅酸的形式 ) , 溶液中的反應(yīng)為 : H2SiF6+ 2H2O SiO 2+ 6HF。目前可在相當(dāng)?shù)偷臏囟?(～ 40 ℃ ) 成功地在 GaA s 基底上生長(zhǎng) SiO 2 薄膜 , 其折射率約為 1. 423。 PLD 成膜過(guò)程不需熱處理 , 不需昂貴的設(shè)備 , 操作簡(jiǎn)單 , 可以在形狀復(fù)雜的基片上制膜 , 因此使用廣泛。 4 二氧化硅（ SiO2）薄膜的應(yīng)用 微電子領(lǐng)域 光學(xué)領(lǐng)域 其他方面 微電子領(lǐng)域： ? 在微電子工藝中 , SiO 2 薄膜因其優(yōu)越的電絕緣性和工藝的可行性而被廣泛采用。在半導(dǎo)體器件中 , 利用 SiO 2 禁帶寬度可變的特性 , 可作為非晶硅太陽(yáng)電池的薄膜光吸收層 , 以提高光吸收效率 。 還可作
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