氧化硅薄膜制備ppt課件(參考版)
2025-05-15 12:20本頁面
【正文】 謝謝觀看 。目前雙靶反應(yīng)磁控濺射沉積 SiO 2 膜的設(shè)備已成功地應(yīng)用在 ITO 透明導電玻璃生產(chǎn)線上。此外 , 在研究中還發(fā)現(xiàn) , 在氧化氣氛中進行后處理能夠改善各種沉積方法制備的 SiO 2 薄膜的性能 [34 ]。除了電荷儲存壽命長 (可達 200～ 500 年 )、抗高溫惡劣環(huán)境能力強 (可在近 200 ℃溫度區(qū)內(nèi)工作 ) 外 , 還可以和現(xiàn)代硅半導體工藝相結(jié)合 , 實現(xiàn)微型化甚至集成電路化。利弗莫爾國家實驗室已使用多年。在諧波轉(zhuǎn)換元件 KDP 晶體上用溶膠工藝鍍制保護、增透膜 , 能改善 KDP 晶體的工作條件 ,提高諧波光束的質(zhì)量與可聚焦功率。目前在溶膠凝膠工藝制備保護膜、增透膜方面也取得了一些進展。在波長 350 nm 處的透過率達到 98% 以上 , 紫外區(qū)的最高透過率達到 99% 以上。 ? 中國工程物理研究院與化學所用溶膠凝膠法成功地研制出紫外激光SiO 2 減反膜。通過選用表面粗糙度高、平整的光學用玻璃片或預(yù)先濺射足夠厚的 SiO 2 薄膜的普通玻璃基片 , 使波導模瞬間場分布遠離粗糙表面 , 以減少基底損耗。集成光路中光波導的一般要求 : 單模傳輸、低傳輸損耗、同光纖耦合效率高等。隨著光通信及集成光學研究的飛速發(fā)展 , 玻璃薄膜光波導被廣泛應(yīng)用于光無源器件及集成光路中。這種技術(shù) , 完全達到了保護鈍化器件的目的 , 使得器件的性能穩(wěn)定、可靠 , 減少了外界對芯片沾污、干擾 , 提高了器件的可靠性能。目前普遍采用的制備介質(zhì)層的 SiO 2, 其介電常數(shù)約為 4. 0, 并具有良好的機械性能。 在化學性能方面要求耐腐蝕和低吸水性 。對新型低介電常數(shù)介質(zhì)材料的要求是 : 在電性能方面具有低損耗 和低耗電 。此外 , 隨著大規(guī)模集成電路器件集成度的提高 , 多層布線技術(shù)變得愈加重要 , 如邏輯器件的中間介質(zhì)層將增加到 4～ 5 層 , 這就要求減小介質(zhì)層帶來的寄生電容。在半導體器件中 , 利用 SiO 2 禁帶寬度可變的特性 , 可作為非晶硅太陽電池的薄膜光吸收層 ,
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