氧化硅薄膜制備ppt課件-資料下載頁(yè)
2025-05-12 12:20本頁(yè)面
【正文】 院與化學(xué)所用溶膠凝膠法成功地研制出紫外激光SiO 2 減反膜。結(jié)果表明 , 浸入涂膜法制備的多孔 SiO 2 薄膜比早期的真空蒸發(fā)和旋轉(zhuǎn)涂膜法制備的 SiO 2 薄膜有更好的減反射效果。在波長(zhǎng) 350 nm 處的透過(guò)率達(dá)到 98% 以上 , 紫外區(qū)的最高透過(guò)率達(dá)到 99% 以上。該 SiO 2 薄膜有望用于慣性約束聚變 ( ICF) 和 X 光激光研究的透光元件的減反射膜。目前在溶膠凝膠工藝制備保護(hù)膜、增透膜方面也取得了一些進(jìn)展。此法制備的 SiO 2 光學(xué)薄膜在慣性約束聚變的激光裝置中已成為一種重要的手段 , 廣泛地應(yīng)用于增透光學(xué)元件上 , 如空間濾波器、窗口、靶室窗口或打靶透鏡。在諧波轉(zhuǎn)換元件 KDP 晶體上用溶膠工藝鍍制保護(hù)、增透膜 , 能改善 KDP 晶體的工作條件 ,提高諧波光束的質(zhì)量與可聚焦功率。 Thomas 用溶膠 2凝膠工藝制備的增透膜和保護(hù)膜在美國(guó)洛侖茲 利弗莫爾國(guó)家實(shí)驗(yàn)室已使用多年。 其他方面： ? 非晶態(tài) SiO 2 薄膜由于具有十分優(yōu)良的負(fù)電荷充電和存儲(chǔ)能力 , 在 20 世紀(jì) 80 年代初、中期成為無(wú)機(jī)駐極體的代表性材料 , 與已經(jīng)得到廣泛應(yīng)用的傳統(tǒng)有機(jī)高分子聚合物駐極體相比 , 以單晶硅為基片的 SiO 2 薄膜駐極體無(wú)疑具有不可比擬的優(yōu)勢(shì)。除了電荷儲(chǔ)存壽命長(zhǎng) (可達(dá) 200～ 500 年 )、抗高溫惡劣環(huán)境能力強(qiáng) (可在近 200 ℃溫度區(qū)內(nèi)工作 ) 外 , 還可以和現(xiàn)代硅半導(dǎo)體工藝相結(jié)合 , 實(shí)現(xiàn)微型化甚至集成電路化。在駐極體電聲器件與傳感器件、駐極體太陽(yáng)能電池板、駐極體馬達(dá)與發(fā)電機(jī)等方面獲得更廣泛的應(yīng)用。此外 , 在研究中還發(fā)現(xiàn) , 在氧化氣氛中進(jìn)行后處理能夠改善各種沉積方法制備的 SiO 2 薄膜的性能 [34 ]。在 ITO 透明導(dǎo)電玻璃中 , SiO 2 可作為鈉離子阻擋層。目前雙靶反應(yīng)磁控濺射沉積 SiO 2 膜的設(shè)備已成功地應(yīng)用在 ITO 透明導(dǎo)電玻璃生產(chǎn)線上。兩年多的連續(xù)運(yùn)行表明 , 設(shè)備和工藝穩(wěn)定可靠 , 產(chǎn)品特性和質(zhì)量符合有關(guān)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)。 謝謝觀看
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