mosfet直流特性ppt課件(編輯修改稿)
2025-06-01 18:16 本頁(yè)面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 S再增加，增加的部分全部降落再夾斷區(qū)，導(dǎo)致夾斷點(diǎn)向源區(qū)移動(dòng)。對(duì)于長(zhǎng)溝道， L’?L， 可以認(rèn)為溝道長(zhǎng)度基本不變，電流也不再變化，夾斷后 漏電流由 Idsat外推得到。 ?n?nL?39。LL一級(jí)近似模型： MOSFET飽和區(qū) LL ???P夾斷的條件 ： ① Qi(Y=L)=0 ② 漏電流達(dá)到最大 夾斷時(shí)的源漏電壓 ： VDS=VDsat=VGSVTn 夾斷后， VDS再增加 ： ? 增加的部分全部降落在夾斷區(qū) ? 夾斷點(diǎn)向源端方向移動(dòng)，夾斷區(qū)展寬 ? 夾斷區(qū)是耗盡區(qū) ? 若 L ?L，漏電流維持在 IDsat 一級(jí)近似模型： MOSFET飽和區(qū) 0???DSDSVI二者等價(jià) 溝道真的被夾斷了？ )()( YWQIYEIsDSY ??溝道長(zhǎng)度調(diào)制效應(yīng)（ CLM） ChannelLengthModulation 當(dāng) VDSVDsat,漏耗盡區(qū)展寬，夾斷點(diǎn)向源端移動(dòng)，夾斷點(diǎn)P和 n+漏區(qū)之間的夾斷區(qū) ?L 使得有效溝道長(zhǎng)度 L減小為L(zhǎng)’ 。 ?L與（ VDSVDSAT）有關(guān)，它將調(diào)制有效溝道長(zhǎng)度，這種現(xiàn)象稱為溝道長(zhǎng)度調(diào)制。 對(duì)于短溝道器件，溝道長(zhǎng)度調(diào)制 使得 MOST 工作在飽和區(qū)時(shí)，漏電流 IDS隨 VDS增加而緩慢增加。 精確描述 CLM，需要二維求解。 SPICE中用 溝道長(zhǎng)度調(diào)制系數(shù) λ表示飽和區(qū) VDS對(duì) IDS的影響程度。 DSVLL 1??? )1()(22DSTnGSoxsD s a t VVVLWCI ?? ???TnGS VVLYV ??? )39。(0 LD satDS VV ?0 39。LD satDS VV ? D satDS VV ?TnGS VVLYV ??? )(一級(jí)近似模型：結(jié)論 MOSFET的一級(jí)模型，由下面方程描述 ???????????????????D s a tDSTnGSDSTnGSoxsD s a tDSTnGSDSDSTnGSoxsTnGSDSVVVVVVVLWCVVVVVVVVLWCVVI,)1()(2,)(02???一級(jí)模型即使對(duì)于溝道很大的器件，例如 10微米，其精確性也不能令人滿意，但對(duì)基本的電路分析和手工計(jì)算非常應(yīng)用。 截止區(qū) 線性區(qū) 飽和區(qū) TnGSD s a t VVV ??平方律理論 體電荷模型（ Bulk charge Model） 基本假設(shè)：保留 1～ 10項(xiàng)假設(shè)，撤銷第 11項(xiàng)假設(shè)，該假設(shè)認(rèn)為沿溝道長(zhǎng)度方向 Qb是不變的。事實(shí)上，當(dāng) VDS≠0時(shí)，從源到漏的 Qb（耗盡層寬度 Xdmax）是逐漸增加的 ,體電荷模
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