mosfet直流特性ppt課件(編輯修改稿)
2025-06-01 18:16 本頁面
【文章內容簡介】 S再增加，增加的部分全部降落再夾斷區(qū)，導致夾斷點向源區(qū)移動。對于長溝道， L’?L， 可以認為溝道長度基本不變，電流也不再變化，夾斷后 漏電流由 Idsat外推得到。 ?n?nL?39。LL一級近似模型： MOSFET飽和區(qū) LL ???P夾斷的條件 ： ① Qi(Y=L)=0 ② 漏電流達到最大 夾斷時的源漏電壓 ： VDS=VDsat=VGSVTn 夾斷后， VDS再增加 ： ? 增加的部分全部降落在夾斷區(qū) ? 夾斷點向源端方向移動，夾斷區(qū)展寬 ? 夾斷區(qū)是耗盡區(qū) ? 若 L ?L，漏電流維持在 IDsat 一級近似模型： MOSFET飽和區(qū) 0???DSDSVI二者等價 溝道真的被夾斷了？ )()( YWQIYEIsDSY ??溝道長度調制效應（ CLM） ChannelLengthModulation 當 VDSVDsat,漏耗盡區(qū)展寬，夾斷點向源端移動，夾斷點P和 n+漏區(qū)之間的夾斷區(qū) ?L 使得有效溝道長度 L減小為L’ 。 ?L與（ VDSVDSAT）有關，它將調制有效溝道長度，這種現(xiàn)象稱為溝道長度調制。 對于短溝道器件，溝道長度調制 使得 MOST 工作在飽和區(qū)時，漏電流 IDS隨 VDS增加而緩慢增加。 精確描述 CLM，需要二維求解。 SPICE中用 溝道長度調制系數(shù) λ表示飽和區(qū) VDS對 IDS的影響程度。 DSVLL 1??? )1()(22DSTnGSoxsD s a t VVVLWCI ?? ???TnGS VVLYV ??? )39。(0 LD satDS VV ?0 39。LD satDS VV ? D satDS VV ?TnGS VVLYV ??? )(一級近似模型：結論 MOSFET的一級模型，由下面方程描述 ???????????????????D s a tDSTnGSDSTnGSoxsD s a tDSTnGSDSDSTnGSoxsTnGSDSVVVVVVVLWCVVVVVVVVLWCVVI,)1()(2,)(02???一級模型即使對于溝道很大的器件，例如 10微米，其精確性也不能令人滿意，但對基本的電路分析和手工計算非常應用。 截止區(qū) 線性區(qū) 飽和區(qū) TnGSD s a t VVV ??平方律理論 體電荷模型（ Bulk charge Model） 基本假設：保留 1～ 10項假設，撤銷第 11項假設，該假設認為沿溝道長度方向 Qb是不變的。事實上，當 VDS≠0時，從源到漏的 Qb（耗盡層寬度 Xdmax）是逐漸增加的 ,體電荷模
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