mosfet直流特性ppt課件-閱讀頁
2025-05-20 18:16本頁面
【正文】 ： ])e x p [1](e x p [2tDStTnGStoxdD s u b VVVVVVCCI ??????qTkVxCCCLWC Btdsidoxdoxs ????? ????? 01? 亞閾值電流隨 VGS呈指數(shù)變化 ? 對于長溝道器件， VDS4Vt時， IDsub與 VDS無關(guān)（但對于短溝道器件，亞閾值電流強烈依賴于漏電壓） ? 亞閾值電流與溫度有強烈的依賴關(guān)系，低溫時亞閾值電流隨 VGS變化陡峭 亞閾值斜率 S ?表征亞閾值區(qū)的重要參數(shù) ?物理意義是器件從導(dǎo)通電流減小到截至電流時所要求的柵壓的變化量，也稱為柵壓擺幅。 ?S的單位： V/dec ?S越小器件的開關(guān)特性越好 )( )( lo g DSGSDSGSIddVIddVS ??亞閾值電流 （ 3） 測量得到的亞閾值電流數(shù)據(jù)。直線斜率的倒數(shù) S定義為亞閾值斜率的倒數(shù)（簡稱為亞閾值斜率） ?qTkCCqTkSBoxdB)1(???降低 S的方法： ? 降低 Tox。增加 VSB。通常， MOST處在“關(guān)”態(tài)的標(biāo)準(zhǔn)是當(dāng) VG=0時流過漏極的電流不超過 VG=VT時漏極電流的 %(105) ?S給出了閾值電壓 VT的下限 * 亞閾值電流 （ 5） 模型的缺陷 前述模型的缺陷 ： 分段 計算漏電流，計算時： ?假定在亞閾值區(qū)（弱反型）只有擴(kuò)散電流 ?假定在線性區(qū)和飽和區(qū)（強反型區(qū)）只有漂移電流（且模型 不能自行飽和 ，需要人為的建立飽和區(qū)的特性） ?導(dǎo)致電流在弱反型區(qū)和強反型區(qū)不可能有一個平滑的過渡。 qTkVV BTnon ???????????????????????D s a tDSTnGSDSTnGSD s a tDSonGSDSDSTnGSonGStonGSonDSVVVVVVVVVVVVVVVVVVVVII,)1()(2,)()e x p (2??????DSIDSVonVTnVPaoSah 模型和薄層電荷模型 PaoSah Model和 Charge Sheet Model彌補了上述缺點，這兩種理論都可以計算亞閾值電流，也可以實現(xiàn)自行飽和。 PaoSah Model: , SolidStateElectron.,9,pp927937 (1966) Charge Sheet Model: ,et al,SolidStateElectron.,21,pp345355 (1978) MOS亞閾值特性
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