功率mosfet之基礎(chǔ)篇(編輯修改稿)
2025-08-14 11:47 本頁面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 變化而變化。 ? 以上兩個(gè)參數(shù)可以說明器件最關(guān)鍵的性能，一般是選擇 MOSFET的第一考慮因素 銳駿半導(dǎo)體 MOSFET的主要參數(shù) ? 漏極電流 ID ID在溝道損耗容限內(nèi)，可在漏極連續(xù)通入的直流電流最大值。一般數(shù)據(jù)說明書中給定兩個(gè)值，一個(gè)是在背板溫度為 25℃ 時(shí)，另一個(gè)是在背板溫度為 100℃ 時(shí)。這兩個(gè)數(shù)據(jù)在實(shí)際應(yīng)用中數(shù)據(jù)說明書中給定的條件很難達(dá)到，所以電流值在實(shí)際運(yùn)行中很難達(dá)到。因此最大電流降額作為背板溫度的函數(shù)，所引用的兩個(gè)值是降額曲線上的兩個(gè)點(diǎn)。降額曲線如圖四所示 以 RU4090L為例，在背板溫度為 25℃ ， ID=90A；在背板溫度為 100℃ ， ID=73A；數(shù)據(jù)說明書中有降額曲線，如圖五所示 銳駿半導(dǎo)體 MOSFET的主要參數(shù) 銳駿半導(dǎo)體 MOSFET的主要參數(shù) 銳駿半導(dǎo)體 MOSFET的主要參數(shù) ? 最大耗散功率 PD PD表示在規(guī)定的背板溫度下，可在 MOSFET連續(xù)消耗損耗的最大值。 一般數(shù)據(jù)說明書中也會(huì)給定兩個(gè)值，一個(gè)是在背板溫度為 25℃ 時(shí)，另一個(gè)是在背板溫度為 100℃ 時(shí)。這兩個(gè)數(shù)據(jù)在實(shí)際應(yīng)用中也很難達(dá)到數(shù)據(jù)說明書中給定的條件，所以也需要降額使用。降額曲線如圖六所示。 以 RU40
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