真空蒸發(fā)ppt課件(編輯修改稿)
2025-05-31 07:24 本頁面
【文章內容簡介】 。/s) 1 10 100 1000 109 103 104 105 106 107 101 102 103 104 105 10 1 101 102 103 103 102 10 1 避免環(huán)境殘存氣體對薄膜的污染 : 使用高真空技術 。 提高薄膜生長速率 。 預蒸發(fā)活性金屬薄膜。 關系曲線 點蒸發(fā)源的膜厚分布： 2/32011????????????????hlddh l 2． 面蒸發(fā)源 2 2coscos)1(rnMdAMd ness?????面蒸發(fā)源的特性 當 n=1時 222011????????hldd點源和面源的比較 ： 面源： 222011????????hldd點源： 2/32011????????????????hldd1) 兩種源的相對膜厚分布的均勻性都不理想； 2) 點源的膜厚分布稍均勻些； 3) 在相同條件下， 面源的中心膜厚為點源的 4倍。 如圖表示與蒸發(fā)源平行放置于正上方的平面基片 提高膜厚均勻性的措施： 1) 采用若干分離的小面積蒸發(fā)源，最佳的數量 , 合理的布局和蒸發(fā)速率； 2)改變基片放置方式以提高厚度均勻 ： a) 球面放置基片（ 只對 n=1適用 ）； b) 基片平面旋轉； c) 行星旋轉基片架； 204sesdM MdA r??旋轉方式 : (a) 基片在圓頂上，繞軸旋轉 。 (b) 基片在鼓面上，源位于中軸線，鼓面繞中軸線旋轉； (c)行星式旋轉 . Calculated film thickness variation across the radius of a rotating disk. 較準或提高襯底溫度 蒸發(fā)沉積的陰影問題 計算機模擬凹坑內的沉積 蒸發(fā)法制備薄膜的結構 蒸發(fā)原子的沉積過程 : (1)陰影效應 (2)表面擴散 (3)體擴散 (4
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