[工程科技]邏輯門(mén)電路(編輯修改稿)
2025-03-17 02:33 本頁(yè)面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 電平的最小值 VOH(min)和輸出低電平的最大值 VOL(max) 。 ⑶ 噪聲 容限 VNH和 VNL 將兩個(gè)門(mén)電路互相連接使用時(shí)，前一個(gè)門(mén)的輸出即為下一個(gè)門(mén)的輸入，由于 G1輸出高、低電平有一定的允許范圍， G2輸入高、低電平也有一定的允許范圍，他們的差值即為噪聲容限。 高電平噪聲容限 低電平噪聲容限 ( m in )( m in ) IHOHNH VVV ??( m a x )( m a x ) OLILNL VVV ??如圖可求出： VNH== VNL== ⑷ 高電平輸入電流 和低電平輸入電流 VOL 無(wú)論輸入電壓是高電平 (VDD)還是低電（ 0V），保護(hù)二極管都不導(dǎo)通，因此輸入電流很小，一般都在 1μ A以下。 當(dāng)輸入 Vi高于 VDD+ ，二極管將導(dǎo)通，電流會(huì)很大，為此，輸入端必需串接保護(hù)電阻。 輸入端懸空狀態(tài)下，柵極上會(huì)造成電荷積累，使柵極擊穿，為此，多余的柵極應(yīng)正確處理。 ⑸ 高電平輸出電流 和低電平輸出電流 空載時(shí)， CMOS門(mén)電路輸出的高電平接近于 VDD，輸出的低電平接近于 0。 當(dāng)帶負(fù)載時(shí)，情況如下： 輸出高電平時(shí)： 輸出低電平時(shí)： ( m in )OHOH VV ? ( m in )OLOL VV ?2. 開(kāi)關(guān)電氣特性和參數(shù) ⑴ 傳輸延遲時(shí)間 2PL HPH Lpdttt ??平均傳輸時(shí)間 ⑵ 動(dòng)態(tài)功耗 靜態(tài)功耗可以忽略不計(jì)。 當(dāng) VO由低電平變?yōu)楦唠娖綍r(shí)，電源經(jīng) T2向 CL充電，充電電流產(chǎn)生功率損耗。當(dāng) VO由高電平變?yōu)榈碗娖綍r(shí)， CL經(jīng) T1放電，放電電流也產(chǎn)生功率損耗。 T2 T1 由于 CL充放電產(chǎn)生的功耗 PL可由下式計(jì)算： fVCP DDLL 2? f為為輸出電壓變化的頻率 電路在輸出電平轉(zhuǎn)換過(guò)程中，必定在一個(gè)短暫的瞬時(shí) T1和 T2同時(shí)導(dǎo)通，產(chǎn)生一個(gè)尖峰電流，于是有一個(gè)瞬變功耗 PT。 fVCP DDpdT 2?Cpd 稱(chēng)為功耗電容，手冊(cè)中查出。 ⑶ 輸入電容 C1 輸入電容 C1包括輸入級(jí)一對(duì) MOS管的柵極電容以及輸入保護(hù)電路的接線(xiàn)電容。 3. 3. 1 半導(dǎo)體二極管的開(kāi)關(guān)特性 靜態(tài)特性 1. 外加正向電壓 (正偏 ) 二極管導(dǎo)通 (相當(dāng)于開(kāi)關(guān)閉合 ) V D ?V2. 外加反向電壓 (反偏 ) V ?DV二極管截止 (相當(dāng)于開(kāi)關(guān)斷開(kāi) ) 0D ?I硅二極管伏安特性 陰極 A 陽(yáng)極 K PN結(jié) A K + DVDIP區(qū) N區(qū) + + + + + + + + 正向 導(dǎo)通區(qū) 反向 截止區(qū) 反向 擊穿區(qū) /mA DI/V 0 (BR)VDV 雙極型半導(dǎo)體二極管和三極管的開(kāi)關(guān)特性 uY uA uB R0 D2 D1 +VCC +10V 3. 3. 2 二極管與門(mén)和或門(mén) 一、 二極管與門(mén) 3V 0V 符號(hào) : 與門(mén) （ AND gate) A B Y amp。 0 V 0 V UD = V 0 3 3 0 真值表 A B Y 0 0 0 1 1 0 1 1 0 0 0 1 Y = AB 電壓關(guān)系表 uA/V uB/V uY/V D1 D2 0 0 0 3 3
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