絕緣及試驗ppt課件(編輯修改稿)
2025-02-13 19:05 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 或表示為， )II(fVA??。 可見，偏轉(zhuǎn)角 α只與兩電流大小的比值有關(guān)。 推導出 3—— 1式表明，偏轉(zhuǎn)角 α只反映了絕緣電阻的大小。 高電壓技術(shù) 測量絕緣電阻可發(fā)現(xiàn)下列缺陷： A、總體絕緣質(zhì)量不良； B、絕緣受潮； C、貫穿性的導電通道； D、絕緣表面情況不良。 但不能發(fā)現(xiàn)絕緣中的局部缺陷和絕緣老化。 試驗的意義（作用）： 能發(fā)現(xiàn)絕緣受潮或有集中性的導電通道 。 高電壓技術(shù) 接線 LGE兆 歐 表法 蘭瓷 體屏 蔽 環(huán)芯 柱用兆歐表測量套管絕緣的接線圖 高電壓技術(shù) 方法及 注意事項 規(guī)定以加電壓后 60秒測得的數(shù)值為該試品的絕緣電阻值。 實驗前后試品都應(yīng)接地放電一定時間； 高壓引線應(yīng)盡量架空，盡可能減少支撐物的影響； 每次測量結(jié)束時，應(yīng)在保持兆歐表電源電壓的條件下，先斷開高壓引線以防止反擊打壞儀表； 對帶有繞組的試品應(yīng)將繞組首末端短接再接入到高壓端； 測量絕緣電阻時應(yīng)記錄溫度，并進行溫度校正。 高電壓技術(shù) (二 ) 吸收比的測量 吸收比 k 1560RRK ? 令 t=15s和 t=60s瞬間的兩個電流值 I15和 I60所對應(yīng)的絕緣電阻分別為 R15和 R60則比值即為吸收比。 吸收比恒大于 1，且 K值越大表示 吸收現(xiàn)象越顯著、絕緣的性能越好 ；一旦絕緣嚴重受潮或有大的缺陷時 K1值接近于 1， 吸收現(xiàn)象不明顯。 一般要求： K1 高電壓技術(shù) 測量方法 按測絕緣電阻的方法測 15秒和 60秒時的電阻再按公式 1560RRK ?： 按測絕緣電阻的方法測 10分鐘和 1分鐘時的電阻 39。139。60RRK ?高電壓技術(shù) 三、 介質(zhì)損耗的測量 高電壓技術(shù) 三、 介質(zhì)損耗的測量 介質(zhì)的功率損耗和介質(zhì)損耗角正切 tgδ成正比， tgδ 是絕緣品質(zhì)的重要指標，測量 tgδ值是判斷電氣設(shè)備絕緣 狀態(tài)的一項靈敏有效的方法。 tgδ能反映絕緣的整體性缺陷和小電容試品中的局部 性缺陷。由 tgδ隨電壓而變化的曲線，可判斷絕緣是否受 潮、含有氣泡及老化的程度。但不能靈敏的反映大容量 發(fā)電機、變壓器和電力電纜絕緣中的局限性缺陷，這時 應(yīng)盡可能將這些設(shè)備分解，分別測量它們的 tgδ。 測量 tgδ常用高壓交流平衡電橋 (西林電橋 )，不平衡 電橋 (介質(zhì)試驗器 )或低功率因數(shù)瓦特表來測量，這里主要 介紹西林電橋。 ???? tgCUtgUIUIUIP pCR 2c o s ????高電壓技術(shù) ㈠ 西林電橋基本原理 西林電橋原理接線圖 ○ ○ U I1 C I2 V A P B CN Cx Rx V R3 R4 C4 D 高電壓技術(shù) ○ ○ U I1 C I2 V A P B CN Cx Rx V R3 R4 C4 D 被試品以并聯(lián)等值電路表示，其等值電容和電阻分別為 Cx和 Rx； R3為可調(diào)的無感電阻； CN為高壓標準電容器的電容；C4為可調(diào)電容； R4為定值無感電阻； P為交流檢流計。 調(diào)節(jié) R3和 C4，使電橋達到平衡，即通過檢流計 P的電流為零，此時有 UCA/UAD=UCB/UBD 高電壓技術(shù) 由于通過橋臂 CA和 AD， CB和 BD的電流分別均為 I1和 I2，所以各橋臂電壓之比即相應(yīng)的橋臂阻抗之比 即 Z1/Z3=Z2/Z4 或 Z1Z4=Z2Z3 xxCjRZ??? 1 11NCjZ ?12 ?33 RZ ?444 11CjRZ???○ ○ U I1 C I2 V A P B CN Cx Rx V R3 R4 C4 D 式中 高電壓技術(shù) 可求得試品電容 Cx和等值電阻 Rx 介質(zhì)并聯(lián)等值電路的介質(zhì)損耗角正切 因為 ω=2πf=100π，若取 R4=1000/π(Ω) 則 tgδ=C4 由于 tgδ1，所以 圖中， A、 B兩處接有放電管 V，目的是防止 R3 、 C4上 出現(xiàn)高電壓 ? ?Nx CRCRCRR2442242423 1????441 RCRCtgxx??? ??? ? NNx CRRtgRCRC342341 ??? ??????? ??RCRCRC NX 24242341 ω高電壓技術(shù)
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