【文章內(nèi)容簡介】 接抗磁場干擾的原理： 先設(shè)想當(dāng)無磁干擾時先設(shè)想當(dāng)無磁干擾時，調(diào)電橋到平衡，兩個測量臂的數(shù)值分別為，調(diào)電橋到平衡，兩個測量臂的數(shù)值分別為 R3和和 C4。如存在磁干擾時。如存在磁干擾時，調(diào)節(jié)電橋到平衡，兩個測量臂的數(shù)值分別為（，調(diào)節(jié)電橋到平衡，兩個測量臂的數(shù)值分別為（ R3+△R 3）和（）和（C4+△C 4），此時電橋兩臂實(shí)際上是有電位差的，由于它克服了磁干擾），此時電橋兩臂實(shí)際上是有電位差的，由于它克服了磁干擾電勢，才使檢流計指零。假若電勢，才使檢流計指零。假若 把檢流計和電橋兩臂相接的兩端倒換一把檢流計和電橋兩臂相接的兩端倒換一下下 ，由于其他條件不變，此時如又調(diào)電橋到平衡，兩個測量臂的數(shù)值，由于其他條件不變，此時如又調(diào)電橋到平衡，兩個測量臂的數(shù)值將分別為將分別為 (R3－－ △R 3)和和 (C4－－ △C 4) 當(dāng)檢流計正接時測得：當(dāng)檢流計正接時測得： tgδ 1=ω(C 4+△C 4)R4 CX1=C0R4/（（ R3+△R 3）） ??當(dāng)檢流計反接時測得：當(dāng)檢流計反接時測得： tgδ 2 = ω(C 4－－ △C 4)R4 CX2?? = C0R4/（（ R3－－ △R 3)??因無磁場干擾時：因無磁場干擾時： tgδ= ωC 4R4 CX = C0R4/R3， ??故可得：故可得： tgδ= (tgδ 1+tgδ 2)/2CX = 2ＣＣ X1CX2/（（ CX1+CX2 ））4）測量介損的功效）測量介損的功效測量介損能有效地發(fā)現(xiàn)的缺陷：測量介損能有效地發(fā)現(xiàn)的缺陷：（（ 1）絕緣受潮）絕緣受潮（（ 2）穿透性導(dǎo)電通道）穿透性導(dǎo)電通道（（ 3）絕緣內(nèi)含氣泡的游離、絕緣分層、脫殼等）絕緣內(nèi)含氣泡的游離、絕緣分層、脫殼等（（ 4）老化劣化，繞組上附積油泥）老化劣化，繞組上附積油泥（（ 5）絕緣油臟污、劣化等）絕緣油臟污、劣化等測量介損不易發(fā)現(xiàn)的局部性缺陷：測量介損不易發(fā)現(xiàn)的局部性缺陷：（（ 1）非穿透性局部損壞（測介損時沒有發(fā)生局部放電））非穿透性局部損壞（測介損時沒有發(fā)生局部放電）（（ 2）很小部分絕緣的老化劣化）很小部分絕緣的老化劣化（（ 3）個別的絕緣弱點(diǎn)）個別的絕緣弱點(diǎn)例例 1：當(dāng)試品絕緣有兩種不同絕緣并聯(lián)組成：當(dāng)試品絕緣有兩種不同絕緣并聯(lián)組成 則：則：當(dāng)當(dāng) C2/Cx越小，越小， C2中缺陷（中缺陷（ tgδ 增大）在測整體的增大）在測整體的 時越難發(fā)現(xiàn)時越難發(fā)現(xiàn)解決辦法是將整體絕緣分解后分部測量解決辦法是將整體絕緣分解后分部測量 （如分別（如分別對變壓器線圈和套管的對變壓器線圈和套管的 tgδ 進(jìn)行測量）進(jìn)行測量）5）測量介損時的注意事項(xiàng)）測量介損時的注意事項(xiàng)（（ 1）盡可能地分部測試）盡可能地分部測試（（ 2）與溫度的關(guān)系：）與溫度的關(guān)系： 不同溫度下的測量結(jié)果不能換算不同溫度下的測量結(jié)果不能換算 為進(jìn)行比較，要求在相同溫度條件下測試。為進(jìn)行比較，要求在相同溫度條件下測試。（（ 3）與電壓的關(guān)系：）與電壓的關(guān)系： 試驗(yàn)電壓過低，不易發(fā)現(xiàn)缺陷，因接近工作電壓。試驗(yàn)電壓過低，不易發(fā)現(xiàn)缺陷，因接近工作電壓。（（ 4）表面泄漏要排除：加屏蔽環(huán)）表面泄漏要排除：加屏蔽環(huán)（（ 5）抗干擾措施：屏蔽和接地要好）抗干擾措施：屏蔽和接地要好（（ 6）測量繞組絕緣時，應(yīng)將繞組首尾短接，避免電感和）測量繞組絕緣時，應(yīng)將繞組首尾短接，避免電感和 勵磁鐵損造成誤差勵磁鐵損造成誤差4 局部放電的測量局部放電的測量 1）局部放電概念和特點(diǎn)）局部放電概念和特點(diǎn)2）測量局部放電的幾種方法）測量局部放電的幾種方法3）局部放電的脈沖電流測量法）局部放電的脈沖電流測量法4）脈沖電流法測）脈沖電流法測 PD的基本回路和檢測阻抗的基本回路和檢測阻抗5）實(shí)施）實(shí)施 PD測量的其它技術(shù)問題測量的其它技術(shù)問題1）） 局部放電的概念和特點(diǎn)：局部放電的概念和特點(diǎn)： 局部放電的概念：局部放電的概念： Partial Discharge簡稱為簡稱為 PD，指在一定外施電壓作用下，指在一定外施電壓作用下，電氣設(shè)備內(nèi)部絕緣里面存在的弱點(diǎn)處發(fā)生的局部重復(fù)擊，電氣設(shè)備內(nèi)部絕緣里面存在的弱點(diǎn)處發(fā)生的局部重復(fù)擊穿和熄滅現(xiàn)象穿和熄滅現(xiàn)象 局部放電的危害：局部放電的危害：這種局部放電發(fā)生在一個或幾個絕緣內(nèi)部的缺陷中（如氣這種局部放電發(fā)生在一個或幾個絕緣內(nèi)部的缺陷中（如氣隙或氣泡），因?yàn)樵谶@個很小的空間內(nèi)電場強(qiáng)度很大。雖隙或氣泡），因?yàn)樵谶@個很小的空間內(nèi)電場強(qiáng)度很大。雖然其放電能量很小，在短時間內(nèi)對電氣設(shè)備的絕緣強(qiáng)度并然其放電能量很小，在短時間內(nèi)對電氣設(shè)備的絕緣強(qiáng)度并不造成影響，但電氣設(shè)備在工作電壓下長期運(yùn)行時，局部不造成影響，但電氣設(shè)備在工作電壓下長期運(yùn)行時，局部放電會逐步擴(kuò)大，并產(chǎn)生不良化合物，使絕緣慢慢地?fù)p壞放電會逐步擴(kuò)大，并產(chǎn)生不良化合物，使絕緣慢慢地?fù)p壞，日積月累，最后可導(dǎo)致整個絕緣被擊穿，發(fā)生電氣設(shè)備，日積月累，最后可導(dǎo)致整個絕緣被擊穿，發(fā)生電氣設(shè)備的突發(fā)性故障的突發(fā)性故障局部放電的特點(diǎn)：局部放電的特點(diǎn)：當(dāng)介質(zhì)內(nèi)部發(fā)生局部放電時，伴隨著發(fā)生許當(dāng)介質(zhì)內(nèi)部發(fā)生局部放電時，伴隨著發(fā)生許多現(xiàn)象。有些屬于電的：如電脈沖的產(chǎn)生，多現(xiàn)象。有些屬于電的：如電脈沖的產(chǎn)生，介質(zhì)損耗的增大和電磁波放射；有些屬于非介質(zhì)損耗的增大和電磁波放射；有些屬于非電的：如光、熱、噪音、氣體壓力的變化和電的：如光、熱、噪音、氣體壓力的變化和化學(xué)變化?；瘜W(xué)變化。局部放電的檢測：局部放電的檢測： 這些現(xiàn)象都可以用來判斷局部放電是否存這些現(xiàn)象都可以用來判斷局部放電是否存在，因此檢測的方法也可以分為電的和非電在，因此檢測的方法也可以分為電的和非電的兩類的兩類 2）測量局部放電的幾種方法）測量局部放電的幾種方法A 局部放電源局部放電源B 電磁波的傳播電磁波的傳播C 高壓端的電壓下落高壓端的電壓下落D 高壓端對地雜散電容的電場傳播高壓端對地雜散電容的電場傳播E 流經(jīng)接地線電流信號和磁場傳播流經(jīng)接地線電流信號和磁場傳播電磁測量方法電磁測量方法 :絕緣油的氣相色譜分析法：絕緣油的氣相色譜分析法： 這項(xiàng)試驗(yàn)是通過檢這項(xiàng)試驗(yàn)是通過檢查電氣設(shè)備油樣內(nèi)所含的氣體組成的含量來判查電氣設(shè)備油樣內(nèi)所含的氣體組成的含量來判斷設(shè)備內(nèi)部的隱藏缺陷斷設(shè)備內(nèi)部的隱藏缺陷超聲波探測法：超聲波探測法： 在電氣設(shè)備外壁放上由壓電元在電氣設(shè)備外壁放上由壓電元件和前置放大器組成的超聲波探測器，用以探件和前置放大器組成的超聲波探測器，用以探測局部放電所造成的超聲波，從而了解有無局測局部放電所造成的超聲波，從而了解有無局部放電的發(fā)生，粗測其強(qiáng)度和發(fā)生的部位部放電的發(fā)生，粗測其強(qiáng)度和發(fā)生的部位PD非電量法的檢測非電量法的檢測3）局部放電的脈沖電流測量法）局部放電的脈沖電流測量法局部放電的三電容模型局部放電的三電容模型以三個電容來表征介質(zhì)內(nèi)部存在缺陷時的局部放電的機(jī)理以三個電容來表征介質(zhì)內(nèi)部存在缺陷時的局部放電的機(jī)理Cg：： 氣泡的電容；氣泡的電容；Cb：： 和和 Cg相串聯(lián)部分的介質(zhì)電容；相串聯(lián)部分的介質(zhì)電容；Cm：： 其余大部分絕緣的電容其余大部分絕緣的電容 介質(zhì)內(nèi)部氣隙放電的三電容模型介質(zhì)內(nèi)部氣隙放電的三電容模型 (a)具有氣泡的介質(zhì)剖面具有氣泡的介質(zhì)剖面 (b)等值電路等值電路 氣泡很小，氣泡很小， Cg比比 Cb大，大， Cm比比 Cg大很多大很多電極間加上交流電壓電極間加上交流電壓 u，則，則 Cg上的電壓為上的電壓為 ug，? Ug = UCb/(Cg+Cb) 介質(zhì)內(nèi)部氣隙放電的三電容模型介質(zhì)內(nèi)部氣隙放電的三電容模型 (a)具有氣泡的介質(zhì)剖面具有氣泡的介質(zhì)剖面 (b)等值電路等值電路 例如：例如：Cg=1pFCb=Cm=100pF則：則： Ug=1kV。 U=100kV局部放電機(jī)理局部放電機(jī)理 Ug = UCb/(Cg+Cb) ug隨外加電壓隨外加電壓 u升高，當(dāng)升高，當(dāng) u上升到上升到 Us瞬時值時，瞬時值時， ug到達(dá)到達(dá) Cg的的放電電壓放電電壓 Ug， Cg氣隙放電。于是氣隙放電。于是 Cg上的電壓一下子從上的電壓一下子從 Ug下下降到降到 Ur，然后放電熄滅。，然后放電熄滅。 Ur叫做殘余電壓，它可以接近為叫做殘余電壓，它可以接近為零值，也可以為小于零值，也可以為小于 Ug（均絕對值）的其它值（均絕對值）的其它值 局部放電時氣隙中的電壓和電流的變化局部放電時氣隙中的電壓和電流的變化 局部放電時氣隙中的電壓和電流的變化局部放電時氣隙中的電壓和電流的變化 Ug = UCb/(Cg+Cb)放電火花一熄滅，放電火花一熄滅， Cg上的電壓將再次上升，由于此時上的電壓將再次上升，由于此時 Cg及及Cb已經(jīng)有了一個初始的直流電壓，所以此后的已經(jīng)有了一個初始的直流電壓，所以此后的 ug 值不能值不能直接用上式來表達(dá)，直接用上式來表達(dá)， ug 值與上式表達(dá)的值在絕對值上要值與上式表達(dá)的值在絕對值上要小一個（小一個（ Ug－－ Ur）值。外加電壓仍在上升，）值。外加電壓仍在上升， Cg上的電壓也上的電壓也順勢而上升，當(dāng)它再次升到順勢而上升，當(dāng)它再次升到 Ug時，時， Cg再次放電，電壓再次再次放電，電壓再次降到降到 Ur，放電再次熄滅，放電再次熄滅 Cg上的電壓從上的電壓從 Ug突變?yōu)橥蛔優(yōu)?Ur（均絕對值）的一瞬間（均絕對值）的一瞬間，就是局部放電脈沖的形成的時刻，此時通過，就是局部放電脈沖的形成的時刻，此時通過 Cg有一脈沖電流，局部放電時氣泡中的電壓和電流有一脈沖電流，局部放電時氣泡中的電壓和電流的變化如圖所示的變化如圖所示局部放電時氣隙中的電壓和電流的變化局部放電時氣隙中的電壓和電流的變化 介質(zhì)內(nèi)部氣隙放電的三電容模型介質(zhì)內(nèi)部氣隙放電的三電容模型 (a)具有氣泡的介質(zhì)剖面具有氣泡的介質(zhì)剖面 (b)等值電路等值電路 真實(shí)放電量：真實(shí)放電量： △qr = (Ug －－ Ur)[Cg+CmCb/(Cm+Cb)]