【正文】 和泄漏電流的功效測(cè)量絕緣電阻和泄漏電流能有效地發(fā)現(xiàn)的缺陷：測(cè)量絕緣電阻和泄漏電流能有效地發(fā)現(xiàn)的缺陷： 兩極間穿透性的導(dǎo)電通道、兩極間穿透性的導(dǎo)電通道 絕緣受潮、絕緣受潮 表面污垢、表面污垢測(cè)量絕緣電阻和泄漏電流不易發(fā)現(xiàn)的缺陷：測(cè)量絕緣電阻和泄漏電流不易發(fā)現(xiàn)的缺陷： 絕緣的局部缺陷（局部損傷或裂縫、含有氣泡、絕緣的局部缺陷（局部損傷或裂縫、含有氣泡、 絕緣分層、脫開等）絕緣分層、脫開等） 絕緣的老化（此時(shí)的絕緣電阻還相當(dāng)高）、絕緣的老化（此時(shí)的絕緣電阻還相當(dāng)高）5）測(cè)量絕緣電阻和泄漏電流的注意事項(xiàng)）測(cè)量絕緣電阻和泄漏電流的注意事項(xiàng)A、測(cè)量結(jié)果不應(yīng)作為最后定論，應(yīng)與下列數(shù)據(jù)比較：、測(cè)量結(jié)果不應(yīng)作為最后定論，應(yīng)與下列數(shù)據(jù)比較： （（ 1）、歷史資料）、歷史資料 （（ 2）、同類設(shè)備數(shù)據(jù)）、同類設(shè)備數(shù)據(jù) （（ 3）、同一設(shè)備不同部位（不同相）的數(shù)據(jù)）、同一設(shè)備不同部位（不同相）的數(shù)據(jù) 當(dāng)當(dāng) K2時(shí)，有缺陷存在時(shí)，有缺陷存在 (4)、其它實(shí)驗(yàn)結(jié)果、其它實(shí)驗(yàn)結(jié)果B、要考慮測(cè)量時(shí)溫度的影響，只有同一溫度下的結(jié)果才能比較、要考慮測(cè)量時(shí)溫度的影響，只有同一溫度下的結(jié)果才能比較C、測(cè)量電壓要穩(wěn)定，直流脈動(dòng)不應(yīng)大于、測(cè)量電壓要穩(wěn)定，直流脈動(dòng)不應(yīng)大于 3%D、測(cè)量?jī)x表的保護(hù)與屏蔽、測(cè)量?jī)x表的保護(hù)與屏蔽E、測(cè)量前應(yīng)充分放電，避免殘余電荷造成誤差、測(cè)量前應(yīng)充分放電，避免殘余電荷造成誤差F、被試品的接地問(wèn)題、被試品的接地問(wèn)題3 介質(zhì)損耗角正切的測(cè)量介質(zhì)損耗角正切的測(cè)量 1）西林電橋的基本原理）西林電橋的基本原理 2）反接法的西林電橋）反接法的西林電橋 3）存在外界電磁場(chǎng)干擾時(shí)的測(cè)量）存在外界電磁場(chǎng)干擾時(shí)的測(cè)量 4）測(cè)量介損的功效）測(cè)量介損的功效 5）測(cè)量介損的注意事項(xiàng)）測(cè)量介損的注意事項(xiàng)測(cè)試無(wú)線電材料：測(cè)試無(wú)線電材料： 常采用高頻施壓法，所加的常采用高頻施壓法，所加的電壓不高電壓不高在電工界：在電工界： 測(cè)量測(cè)量 tgδ 的儀器和方法有多種，西的儀器和方法有多種，西 林電橋測(cè)法和電流比較式電橋測(cè)法林電橋測(cè)法和電流比較式電橋測(cè)法在線監(jiān)測(cè)：在線監(jiān)測(cè)： 采用微計(jì)算機(jī)對(duì)采用微計(jì)算機(jī)對(duì) tgδ 的測(cè)量的測(cè)量測(cè)量介損的方法測(cè)量介損的方法1）西林電橋的基本原理）西林電橋的基本原理高壓臂：高壓臂： 一個(gè)是代表試品的一個(gè)是代表試品的Z1；另一個(gè)是無(wú)損耗的標(biāo)準(zhǔn)；另一個(gè)是無(wú)損耗的標(biāo)準(zhǔn)電容電容 C0，它以阻抗，它以阻抗 Z2作為代作為代表。低壓臂：低壓臂： 一個(gè)處在橋箱體內(nèi)一個(gè)處在橋箱體內(nèi)，一個(gè)是可調(diào)無(wú)感電阻，一個(gè)是可調(diào)無(wú)感電阻 R3；；另一個(gè)是無(wú)感電阻另一個(gè)是無(wú)感電阻 R4和可調(diào)和可調(diào)電容電容 C4的并聯(lián)回路。前者以Z3來(lái)代表，后者以來(lái)代表，后者以 Z4來(lái)代表來(lái)代表 保護(hù)：保護(hù)： 放電管放電管 P電橋平衡：電橋平衡： 檢流計(jì)檢流計(jì) G檢零檢零屏蔽：屏蔽： 消除雜散電容的影響消除雜散電容的影響 西林電橋的基本回路西林電橋的基本回路 電橋的平衡條件：電橋的平衡條件：Z1/Z3 = Z2/Z4串聯(lián)等值回路串聯(lián)等值回路tgδ=ωR4 C4Cx = R4C0/R3并聯(lián)等值回路并聯(lián)等值回路tgδ=ωR4 C4Cx = R4C0/[R3 (1+tg2δ)] Cx：： 因?yàn)橐驗(yàn)?tg2δδ 極小極小，故兩種等值電路的，故兩種等值電路的 Cx相等相等 西林電橋的基本回路西林電橋的基本回路 解之得：解之得： GxG4 – ω2CxC4 = 0 (1) G4Cx + GxC4 = G3C0 (2)由（由（ 2）得：）得： tgδ = IRx/ICx=Gx/ ωCx = ωC4/G4= ωR4C4取取 R4=104/л ? ω=100 л則則 tgδ = 106C4（（ F）） =C4（（ μF））將將 Gx=ωCx tgδ 。所。這變電橋回路的接地點(diǎn)。第一次先調(diào)采用兩次測(cè)量。，然后再測(cè)得第二次的數(shù)值，然后再測(cè)得第二次的數(shù)值tgδ 2和和 Cx″ ，可用下式計(jì)算，可用下式計(jì)算得準(zhǔn)確的得準(zhǔn)確的 tgδ 和和 Cx值值 。如存在磁干擾時(shí)。假若電勢(shì)，才使檢流計(jì)指零。為進(jìn)行比較，要求在相同溫度條件下測(cè)試。試驗(yàn)電壓過(guò)低，不易發(fā)現(xiàn)缺陷，因接近工作電壓。雖隙或氣泡），因?yàn)樵谶@個(gè)很小的空間內(nèi)電場(chǎng)強(qiáng)度很大。有些屬于電的：如電脈沖的產(chǎn)生，多現(xiàn)象。化學(xué)變化。 U=100kV局部放電機(jī)理局部放電機(jī)理 Ug = UCb/(Cg+Cb) ug隨外加電壓隨外加電壓 u升高，當(dāng)升高，當(dāng) u上升到上升到 Us瞬時(shí)值時(shí)，瞬時(shí)值時(shí)， ug到達(dá)到達(dá) Cg的的放電電壓放電電壓 Ug， Cg氣隙放電。于是 Cg上的電壓一下子從上的電壓一下子從 Ug下下降到降到 Ur，然后放電熄滅。 Ur叫做殘余電壓，它可以接近為叫做殘余電壓，它可以接近為零值，也可以為小于零值，也可以為小于 Ug（均絕對(duì)值）的其它值（均絕對(duì)值）的其它值 局部放電時(shí)氣隙中的電壓和電流的變化局部放電時(shí)氣隙中的電壓和電流的變化 局部放電時(shí)氣隙中的電壓和電流的變化局部放電時(shí)氣隙中的電壓和電流的變化 Ug = UCb/(Cg+Cb)放電火花一熄滅，放電火花一熄滅， Cg上的電壓將再次上升，由于此時(shí)上的電壓將再次上升，由于此時(shí) Cg及及Cb已經(jīng)有了一個(gè)初始的直流電壓，所以此后的已經(jīng)有了一個(gè)初始的直流電壓，所以此后的 ug 值不能值不能直接用上式來(lái)表達(dá)，直接用上式來(lái)表達(dá)， ug 值與上式表達(dá)的值在絕對(duì)值上要值與上式表達(dá)的值在絕對(duì)值上要小一個(gè)（小一個(gè)（ Ug－－ Ur）值。外加電壓仍在上升， Cg上的電壓也上的電壓也順勢(shì)而上升，當(dāng)它再次升到順勢(shì)而上升，當(dāng)它再次升到 Ug時(shí)，時(shí)， Cg再次放電，電壓再次再次放電，電壓再次降到降到 Ur，放電再次熄滅，放電再次熄滅 Cg上的電壓從上的電壓從 Ug突變?yōu)橥蛔優(yōu)?Ur（均絕對(duì)值）的一瞬間（均絕對(duì)值）的一瞬間，就是局部放電脈沖的形成的時(shí)刻，此時(shí)通過(guò)，就是局部放電脈沖的形成的時(shí)刻，此時(shí)通過(guò) Cg有一脈沖電流，局部放電時(shí)氣泡中的電壓和電流有一脈沖電流，局部放電時(shí)氣泡中的電壓和電流的變化如圖所示的變化如圖所示局部放電時(shí)氣隙中的電壓和電流的變化局部放電時(shí)氣隙中的電壓和電流的變化 介質(zhì)內(nèi)部氣隙放電的三電容模型介質(zhì)內(nèi)部氣隙放電的三電容模型 (a)具有氣泡的介質(zhì)剖面具有氣泡的介質(zhì)剖面 (b)等值電路等值電路 真實(shí)放電量：真實(shí)放電量： △qr = (Ug －－ Ur)[Cg+CmCb/(Cm+Cb)] ≈ U gCg (1kV*1pF=1000pC) 實(shí)際無(wú)法測(cè)量實(shí)際無(wú)法測(cè)量 整體電壓降落：整體電壓降落： △U = Cb （（ UgUr) /（（ Cm+Cb) （（ *1kV/100pF=）） 可測(cè)可測(cè) 視在放電量：視在放電量： △q = △U{Cm+[CbCg/(Cb+Cg)]}= △UCm ≈ U gCb (1kV*=10pC) 可測(cè)可測(cè) 視在放電量是局部放電試驗(yàn)中的重要參量，國(guó)際和國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)中，視在放電量是局部放電試驗(yàn)中的重要參量，國(guó)際和國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)中， 對(duì)于各類高壓設(shè)備的對(duì)于各類高壓設(shè)備的 △q 的允許值均有所規(guī)定的允許值均有所規(guī)定放電能量放電能量 表征局部放電的基本參數(shù)，除了視在放電量表征局部放電的基本參數(shù)，除了視在放電量 △q外，還有一次脈沖放電能量外，還有一次脈沖放電能量 W?? W =△qr(Ug Ur) /2 =△q(Cg+Cb)(Ug Ur)/(2 Cb) 當(dāng)外施電壓由零上升到當(dāng)外施電壓由零上升到 Us時(shí)，時(shí)， Cg上的電壓為上的電壓為 Ug，即即 Ug=UsCb/(Cg+Cb)??可得可得 W =△qUs/2 ?? 放電重復(fù)率放電重復(fù)率放電重復(fù)率放電重復(fù)率 N：： 是表征是表征 PD的另一個(gè)基本參數(shù)。因?yàn)樵诩訅喊胫芷趦?nèi)能發(fā)生好幾個(gè)脈沖。所以定義一秒鐘內(nèi)產(chǎn)生的脈沖數(shù)叫做放電重復(fù)率沖數(shù)叫做放電重復(fù)率 N， N也是一個(gè)重要參量?？梢酝ㄟ^(guò)實(shí)驗(yàn)求得驗(yàn)求得如果如果 每半周內(nèi)的放電次數(shù)為每半周內(nèi)的放電次數(shù)為 n，則，則 N=2fn=100n 局部放電時(shí)氣隙中的電壓和電流的變化局部放電時(shí)氣隙中的電壓和電流的變化 局部放電的其它表示方法局部放電的其它表示方法 為了表征局部放電在一定期間內(nèi)的平均綜合效應(yīng)，還提為了表征局部放電在一定期間內(nèi)的平均綜合效應(yīng)，還提出了各種累積參數(shù)，如出了各種累積參數(shù)，如 平均放電電流，放電功率平均放電電流，放電功率 等。有時(shí)還測(cè)量局部放電的還測(cè)量局部放電的 起始放電電壓起始放電電壓 和和 熄滅電壓熄滅電壓 。以及放電電流的時(shí)域表示法。 局部放電的統(tǒng)計(jì)表示法（在線檢測(cè)常用）局部放電的統(tǒng)計(jì)表示法（在線檢測(cè)常用） : n q ф 三維統(tǒng)計(jì)譜圖；三維統(tǒng)計(jì)譜圖； 以及以及 n ф和和 q – ф兩維譜圖兩維譜圖 等等 影響局部放電特性的多種因素：影響局部放電特性的多種因素： 主要有電壓的幅主要有電壓的幅值、電壓的波形和頻率、電壓的作用時(shí)間、環(huán)境的溫度及值、電壓的波形和頻率、電壓的作用時(shí)間、環(huán)境的溫度及濕度和氣壓等濕度和氣壓等 4）脈沖電流法測(cè)）脈沖電流法測(cè) PD的基本回路和檢測(cè)阻抗的基本回路和檢測(cè)阻抗三種基本測(cè)量回路三種基本測(cè)量回路電橋電橋 平衡平衡 回路回路 試品通過(guò)試品通過(guò) Ck后與檢測(cè)阻抗后與檢測(cè)阻抗并聯(lián)并聯(lián) 的回路的回路 試品與檢測(cè)阻抗試品與檢測(cè)阻抗相相 串聯(lián)串聯(lián) 的回路的回路 5）實(shí)施）實(shí)施 PD測(cè)量的抗干擾問(wèn)題測(cè)量的抗干