【正文】 ，其絕緣電阻還可能是比較高的）。 R、 K只是參考性指標， 其合格不能肯定絕緣良好 ，尤其是電壓高的設(shè)備，因搖表額定電壓低。 所以，不僅應與規(guī)定標準比較，還應將試驗數(shù)據(jù)與本絕緣的歷史數(shù)據(jù)比較，與同類設(shè)備的數(shù)據(jù)比較，以及同一設(shè)備不同相之間比較。 泄漏電流的測量 優(yōu)點： ? 試驗電壓高 ，故能發(fā)現(xiàn)兆歐表所不能發(fā)現(xiàn)的尚未完全貫通的集中性缺陷，所以 測試靈敏度比兆歐表高 。 ? 微安表的刻度為線性，且量程可選擇， 讀數(shù)準確 。 ? 絕緣電阻 —— 泄漏電流對應的電阻 3URi? ?某設(shè)備絕緣的泄漏電流曲線 曲線 1：絕緣良好；曲線 2：絕緣受潮； 曲線 3：絕緣中有未貫通的集中性缺陷； 曲線 4：絕緣有擊穿的危險 作出試驗電壓與電流的關(guān)系曲線，由曲線的線性度可判斷絕緣的狀態(tài) 11010101101010DIIII?? ?????????（加上電壓 分鐘后的電流）極化指數(shù)（加上電壓 分鐘后的電流）（加上電壓 分鐘后的電流）泄漏指數(shù)（開始放電 分鐘后的電流）絕緣材料受潮后，與吸收電流相比，泄漏電流會增加。由此可根據(jù)極化指數(shù)和泄漏指數(shù)來判斷受潮程度。 試驗接線 測量泄漏電流的電路圖 .—被試品； H— 高電位電極； L— 低電位電極； A— 直流電位表； R— 保護電阻； P— 放電管； . AHLSPKRC微安表的保護 保護電阻 R用來產(chǎn)生電壓，使流過微安表的電流達到一定數(shù)值時放電管 P動作。 并聯(lián)電容器：濾波電容，減少微安表的擺動；還可使放電管兩端電壓上升陡度降低，使放電管來得及動作。電容器可以提供高頻電流支路（ C1μF）。 測量泄漏電流能有效發(fā)現(xiàn)的缺陷： 測量絕緣電阻所能發(fā)現(xiàn)的缺陷測量泄漏電流均能發(fā)現(xiàn)，此外對于某些兆歐表不能發(fā)現(xiàn)的尚未完全貫穿的集中性缺陷有一定的反映。 ? 讀取泄漏電流值的時間，一般規(guī)定為到達實驗電壓后 1min，并需記錄試品絕緣的電阻及環(huán)境溫度。 ? 注意對微安表的保護。 （ 1） 當外加電壓及頻率一定時，電介質(zhì)的損耗 P與 tgσ及 C成正比；而對于一定結(jié)構(gòu)的試品來說， C為定值，故可直接由 tgσ的大小來判斷試品絕緣的優(yōu)劣。 絕緣介質(zhì)的損耗： 介質(zhì)損耗角正切的定義 介質(zhì)損耗角示意圖 crcr IUIUIUIII?????? ?????由上式可得功率三角形 ， 如圖所示 因此可得： ???? t a nt a nt a n 2 CUUIQP c ???P 與試驗電壓 、 試品電容量 、 尺寸等有關(guān) ?tan只取決于材料特性與材料的物理尺寸無關(guān) ， 可有效發(fā)現(xiàn) 絕緣受潮 ，絕緣內(nèi)有氣泡 ， 絕緣臟物與劣化等缺陷 ? 當電氣設(shè)備絕緣整體性能下降 ， 如普遍受潮 、 臟污或老化 ， 以及絕緣中有間隙發(fā)生局部放電時 ， 流過絕緣的 有功電流分量 IRx將增大 ， tgδ也增大 . ? 通過測量 tgδ值可以發(fā)現(xiàn)絕緣的 分布性缺陷 . ? 若缺陷部分在整個絕緣中的體積較大 ， 則測量 tg? 容易發(fā)現(xiàn)絕緣的缺陷 。 QS1型 西林電橋 智能型介質(zhì)損失測量儀 QS1型西林電橋是一種平衡電橋，由四個橋臂 R R4和 C CN及 CX和一個檢流計構(gòu)成。由于 R3的最大允許工作電流為 ，故在 10千伏實驗電壓下，當被試品容量大于 3184pF時，應接入分流電阻。 測量接線 被試品處于高壓側(cè)，兩端均對地絕緣，此時橋體處于低壓側(cè)，操作安全方便，測量結(jié)果也比較準確。 被試品兩端對地絕緣， 實驗室采用 ， 安全 。 適用于一端接地的被試品。 (2) 反接線 2. 外界電磁場對電橋的干擾 外界電場干擾源 ~ 39。1C13C14C3R4C4RNCxGxCu?（ 1）外界電場的干擾 包括試驗時的高壓電源和試驗現(xiàn)場其他高壓帶電體引起的干擾。 ? 加設(shè)屏障 當電橋靠近漏磁通較大的設(shè)備時，會受到磁場的干擾。 磁場干擾 將電橋移至磁場干擾范圍以外，或?qū)蝮w就地轉(zhuǎn)動改變角度找到干擾的最小的方位?，F(xiàn)場試驗時，設(shè)備溫度是變化的，為便于比較，應將不同溫度下測得的 tg?值換算至 20℃ 。如果絕緣中存在氣泡、分層、脫殼等， 當所加試驗電壓足以使絕緣中的氣泡或氣隙放電，或者電暈、局部放電發(fā)生時，tg?的值將隨試驗電壓的升高而迅速增大。 ?tg一般來說 ， 良好的絕緣在額定電壓范圍內(nèi) ， tgδ 值幾乎保持不變 ， 如圖 3中的曲線 1所示 。 如果絕繞受潮 ，則電壓較低時的 tgδ 值就已相當大 ，電壓升高時 、 更將急劇增大；電壓回落時 ， tgδ 也耍比電壓上升時更大一些 ， 因而形成不閉合的分叉曲線 ， 如圖中的曲線 3所示 ， 主要原因是介質(zhì)的溫度團發(fā)熱而提高了 。 但對電容量較大的設(shè)備 ，如大中型變壓器、電力電纜、電容器、發(fā)電機等， 測 tg?只能發(fā)現(xiàn)整體分布性缺陷 。 對于可以分解為幾個絕緣部分的被試品，分解后來進行 tg?的測試，可以更有效地發(fā)現(xiàn)缺陷。但應注意，屏蔽線不應改變被試品內(nèi)的電場分布。 原理： 利用傳感器 從試品上取得所需的電壓信號 U和電流信號 I，經(jīng)前置 A/D轉(zhuǎn)換電路數(shù)字化后，送至數(shù)據(jù)處理計算機或單片機， 經(jīng)數(shù)據(jù)處理后算出電流電壓之間的相位差 ?，最后得到 tg?的測量值。 測試 tg δ對于下列缺陷不太靈敏： （ 1）非貫穿性的局部損壞； （ 2）很小部分絕緣的老化劣化； （ 3）個別的絕緣弱點。 測量結(jié)果的分析判斷： （ 1）與試驗規(guī)程規(guī)定值比較； （ 2）與以往的測試結(jié)果比較； （ 3）與同樣運行條件下的同類型設(shè)備比較。 例如絕緣由兩部分并聯(lián)組成，各部分的電容和介質(zhì)損失角的正切分別為 C tg δ1和 C tg δ2。 XX CtgCtgCCUtgCUtgCUtg 22112222112 ???????? ????在一定的電壓和頻率下， tg δ反映介質(zhì)內(nèi)單位體積的能耗。絕緣厚度 d一定時，面積 S越大，其電容量越大，電容電流越大，即電容電流與面積成正比。 對電容量較小的設(shè)備，如套管、互感器等，測量tg δ值能有效地發(fā)現(xiàn)局部集中性和整體分布性的缺陷。因此，通常對運行中的電機、電纜等設(shè)備進行預防性試驗時，不做 tg δ測試。 測量時應選取合適的溫度 絕緣的 tg δ值與溫度有關(guān)，但 tg δ值與溫度之間沒有準確的換算關(guān)系，故應盡量在差不多的溫度條件下測量 tg δ，并以此作比較。 測量時應選取合適的試驗電壓 良好的絕緣，在其額定電壓范圍內(nèi)， tg δ值是幾乎不變。 測定 tg δ時所加的電壓，原則上最好接近于被試品的正常工作電壓。實際上多難以達到正常工作電壓，一般多用 10kV。試驗時被試品表面應清潔、干燥，必要時加屏蔽環(huán)，屏蔽環(huán)應裝設(shè)在被試品與橋體相連的一端附近的表面上，且應與被試品與橋體連線的屏蔽相連。 原因： 繞組絕緣的容性電流流過繞組時產(chǎn)生較大的磁通， 繞組電感和勵磁鐵損會使測量結(jié)果產(chǎn)生很大的誤差。 ? 現(xiàn)場測量時注意電磁場的干擾對測量結(jié)果的影響。 局部放電的測試 局部放電 是指由于電氣設(shè)備內(nèi)部絕緣存在弱點，在一定外施電壓下發(fā)生的局部重復擊穿和熄滅現(xiàn)象 。由于這些 異物的電導和介電常數(shù)不同于絕緣物 ，在外施電壓作用下， 異物附近的電場較強 ，該處可能產(chǎn)生電離放電。 氣泡的介電常數(shù)小，其擊穿場強低，所以分散在絕緣物中的氣泡是局部放電的發(fā)源地。 但長期作用時，會加速絕緣老化，絕緣強度降低 。氣隙電離產(chǎn)生 O3， NO， NO2等氣體，遇水會產(chǎn)生硝酸或亞硝酸，對絕緣材料和金屬有氧化和腐蝕作用； ? 在局部放電區(qū)，產(chǎn)生高能輻射線，引起材料分解； ? 局部溫度升高，造成熱裂解，氣隙膨脹而使固體絕緣開裂、分層、脫殼，且使該部分絕緣的電導和介質(zhì)損耗增加，加速絕緣老化、破壞。 所以 檢查絕緣物中局部放電 缺陷存在與否以及發(fā)展情況、放電強度，是一種 判斷絕緣在長期運行中絕緣性能好壞的較好方法，也是估計絕緣老化速度的重要依據(jù)。 通常將視在放電量△ q作為局部放電強度的參數(shù)。 一、測量的基本接線 局部放電的檢測方法可分為 電氣檢測法 和 非電檢測法 兩大類。非電檢測法有超聲波探測法和絕緣油的氣相色譜分析。 uZxCmZKCA MKCAMuZxCmZuZKCAMxC39。被試品一發(fā)生局部放電，因被試品 Cx、耦合電容 Ck和檢測阻抗 Zm構(gòu)成的回路內(nèi)有電流流過，就可由檢出阻抗把與脈沖電流成比例的脈沖電壓檢測出來，檢測到的信號通過放大器送到測量儀器上。 直接法 （ 1）并聯(lián)法 CX為被試品， Ck為耦合電容，它為被試品與測量阻抗之間提供一條低阻抗通道。 Z為低通濾波器，可以讓工頻電壓作用到試品上，阻止被測的高頻脈沖或電源的高頻噪聲通過。 uZxCmZKCAM（ 2）串聯(lián)法 串聯(lián)法適合于被試品兩端都不接地的情況 。 平衡法 試品 Cx與耦合電容 Ck均與地絕緣，測量阻抗Zm與 Zm’分別接在 Cx與 Ck的低壓端與地之間。 平衡法抗干擾能力好 ，因為外部干擾源在 Zm和Z′m上產(chǎn)生的干擾信號基本上相互抵消，而在 CX發(fā)生局部放電時，放電脈沖在 Z m和 Z′m上產(chǎn)生的信號卻是相互疊加的。mZmZ二、局部放電的測量阻抗和測量儀器 （ 1）測量阻抗 Zm的選擇 ? 要 消除 或減弱輸出電壓的 工頻成分 ； ? 要使脈沖分量的持續(xù)時間足夠小，以 保證 快速連續(xù)脈沖的 分辨率 ； ? 阻抗值應 足夠高 ，由它承擔大部分脈沖電壓，并決定輸出電壓和電流的波形。 （ 3）測量儀器（顯示單元） 為了防止干擾：裝設(shè)數(shù)字濾波器。 測量儀器所測得的 局部放電脈沖值是與被試品的局部放電視在放電量 ?q成比例的 ，要從指示值來算得 ?q是困難的，只能通過試驗來確定，即局部放電的測量儀器必須進行 試驗校正 。 外部干擾： 高壓試驗回路以外的因素引起的干擾。 (2) 對測量線路進行屏蔽。 (4) 提高高壓試驗回路中各元件發(fā)生電暈的電壓。 (6) 合理選擇放大電路的頻帶或調(diào)諧放大電路的諧振頻率。 四、試驗結(jié)果的分析判斷 試驗規(guī)程規(guī)定了某些設(shè)備在規(guī)定電壓下的允許視在放電量，可將測量結(jié)果與規(guī)定值進行比較。 五、用超聲波探測器測量局部放電 （ 1）特點 抗干擾能力相對較強 ，可以在運行中和耐壓試驗時檢測絕緣內(nèi)部的局部放電，適合預防性試驗的要求。若 在設(shè)備外壁放一壓電元件 ，在交變壓力波的作用下，具有壓電效應的晶體便產(chǎn)生交變的彈性變形，晶體沿受力方向的兩端面上便會出現(xiàn)交變的束縛電荷。超聲波探測法可了解有無局部放電的發(fā)生，粗測其放電強度和發(fā)生的部位。 ? 若一個電氣設(shè)備在運行電壓下長期存在一定程度的局部放電，會加速絕緣物的老化和破壞。 ? 測量局部放電常采用