無機合成考試資料(編輯修改稿)
2025-02-02 08:03 本頁面
【文章內容簡介】 應，合成可在瞬間完成。通常用來合成金屬件化合物：①高壓可提高反應速率和產物的轉化率，降低合成溫度，大大縮短合成時間。 ②高壓可使容許因子偏小、而利用一般常壓高溫方法難于合成的化合物得以順利合成，如PrTmO3等。③高壓有增加物質密度、對稱性、配位數的作用和縮短鍵長的傾向。④高壓合成較易獲得單相物質，可以提高結晶度。⑤高壓高溫可以起到氧化作用，獲得高氧化態(tài)的化合物，也可以起到還原作用。⑥在一定的條件下，高壓也可促進化合物的分解。高壓可以抑制固體中原子的擴散， 也可促使原子的遷移。⑦高壓既可以抑制非晶晶化過程，也可以促進非晶晶化過程。高壓還可以改變原子的自旋態(tài)，也可使某些元素在晶體中具有優(yōu)選位置的作用等等。 ：①在大氣壓()條件下不能生長出滿意的晶體；②要求有特殊的晶型結構；③晶體生長需要有高的蒸氣壓；④生長或合成的物質在大氣壓下或在熔點以下會發(fā)生分解；⑤在常壓條件下不能發(fā)生化學反應而只有在高壓條件下才能發(fā)生化學反應；⑥要求有某些高壓條件下才能出現的高價態(tài)(或低價態(tài))以及其它的特殊的電子態(tài)；⑦要求某些高壓條件下才能出現的特殊性能等情況。 ：①空位②間隙原子③雜質④替代原子⑤締合中心缺陷的表示方法：①空位缺陷用V (Vacancy)表示 ②雜質缺陷用雜質的元素符號表示③電子缺陷用e (electron的字首) 表示④空穴缺陷用h (hole的字首) 表示。什么是硝基特點缺陷：：BeerLambert定律光化學反應的實質是：光致電子激發(fā)態(tài)的化學反應：晶體生長機制大致可分為以下幾個階段:①原子由母相介質吸附在生長晶面上。②擴散至臺階處并附著在臺階上。 ③擴散至扭折處并穩(wěn)定地堆砌到晶相上.
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